管式流量計(jì)
傳感器早已滲透到諸如工業(yè)生產(chǎn)、環(huán)境保護(hù)、醫(yī)學(xué)診斷、生物工程、等等極其之廣泛的領(lǐng)域?？梢院敛豢鋸埖卣f(shuō)，幾乎每一個(gè)現(xiàn)代化項(xiàng)目，都離不開(kāi)各種各樣的傳感器。下面就用電阻應(yīng)變計(jì)測(cè)試方法測(cè)定加速度傳感器的電壓靈敏度。首先我們需要了解是加速度傳感器標(biāo)定的原理：它是基于牛頓第二運(yùn)動(dòng)定律，可以用重力分析法對(duì)加速度傳感器進(jìn)行標(biāo)定。測(cè)量系統(tǒng)由安裝在剛性基礎(chǔ)上帶有緩沖墊的力傳感器，裝有加速度傳感器的圓柱形鋼質(zhì)量塊，以及導(dǎo)軌。
分體式電磁流量計(jì)主要用于測(cè)量封閉管道中的導(dǎo)電液體和漿液中的體積流量。包括酸、堿、鹽等強(qiáng)腐蝕性的液體。該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于石油、化工、冶金、紡織、食品、制藥、造紙等行業(yè)以及環(huán)保、市政管理，水利建設(shè)等領(lǐng)域。
管式流量計(jì)
其控制技術(shù)由初的分立元器件的模擬電路控制，逐步發(fā)展為基于微處理器、微控制器和數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)等全數(shù)字控制系統(tǒng)。各種不同的功率變換器，實(shí)質(zhì)是將系統(tǒng)輸入電氣參數(shù)變換為用戶所需要的輸出電氣參數(shù)?；镜碾姎鈪?shù)有電壓、電流、頻率、相數(shù)、波形、功率等6項(xiàng)?；陔姶鸥袘?yīng)原理而問(wèn)世的變壓器，實(shí)現(xiàn)了交流電壓和交流電流的自如變換，實(shí)現(xiàn)了高壓交流輸電和低壓配電到用戶，使電能的方便使用成為現(xiàn)實(shí);而由于電力電子技術(shù)的進(jìn)步，誕生了整流器、斬波器、逆變器、變頻器等各種功率變換器，完成了頻率、相位、相數(shù)的受控變換，使電能的產(chǎn)生、輸送、分配和應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了優(yōu)化，使以電能為核心的各種能量的轉(zhuǎn)換，使電參數(shù)的控制和改變，上升到率和高功率因數(shù)的新階段。
電磁流量計(jì)按轉(zhuǎn)換器與傳感器組裝方式分類，有分體式和一體型。
分體型電磁流量計(jì)是電磁流量計(jì)普遍應(yīng)用的形式，如下圖所展示的，傳感器接入管道，轉(zhuǎn)換器裝在儀表室或人們易于接近的傳感器附近，相距數(shù)十到數(shù)百米。
為防止外界噪聲侵入，信號(hào)電纜通常采用雙芯屏蔽線。測(cè)量電導(dǎo)率較低液體而相聚超過(guò)30m時(shí)，為防止電纜部分電容造成信號(hào)衰減，內(nèi)層屏蔽也有要求接上與芯線同電位低阻抗源的屏蔽驅(qū)動(dòng)。分體型電磁流量計(jì)的轉(zhuǎn)換器可遠(yuǎn)離現(xiàn)場(chǎng)惡劣環(huán)境，電子部件檢查、調(diào)整和參數(shù)設(shè)定就比較方便。
光電探測(cè)器是將光脈沖轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的元器件，在LiDAR系統(tǒng)中充當(dāng)眼睛的角色，是關(guān)鍵的傳感器。目前主要的光電探測(cè)器有雪崩光電二極管（AvalanchePhotonDiode，簡(jiǎn)光電探測(cè)器是將光脈沖轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的元器件，在LiDAR系統(tǒng)中充當(dāng)“眼睛”的角色，是關(guān)鍵的傳感器。目前主要的光電探測(cè)器有雪崩光電二極管（AvalanchePhotonDiode，簡(jiǎn)稱APD）/單光子雪崩二極管（SinglePhotonAvalancheDiode，簡(jiǎn)稱SPAD）、硅光電倍增管（MPPC）和PIN光電二極管。
分體式電磁流量計(jì)測(cè)量原理是基于法拉第電磁感應(yīng)定律，分體式電磁流量計(jì)由傳感器和轉(zhuǎn)換器組成，傳感器安裝在測(cè)量管道上，轉(zhuǎn)換器被安裝在離傳感器30米內(nèi)或100米內(nèi)的場(chǎng)合，兩者間由屏蔽電纜連接。
再簡(jiǎn)單一點(diǎn)，就是考慮更好的散熱吧。功率管發(fā)熱功率管的功耗分成兩部分，開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。要注意，大多數(shù)場(chǎng)合特別是LED市電驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，開(kāi)關(guān)損害要遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗。開(kāi)關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動(dòng)能力和工作頻率有關(guān)，所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以下幾個(gè)方面解決：不能片面根據(jù)導(dǎo)通電阻大小來(lái)選擇MOS功率管，因?yàn)閮?nèi)阻越小，cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右，2N60的cgs為350pF左右，5N60的cgs為1200pF左右，差別太大了，選擇功率管時(shí)，夠用就可以了。
1、測(cè)量不受流體密度、粘度、溫度、壓力和電導(dǎo)率變化的影響；
