一. 前言：
現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場(chǎng)上居于主導(dǎo)地位。由于科技進(jìn)步，電力電子裝置對(duì)輕薄短小及高性能之要求 ,帶動(dòng)MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換....等領(lǐng)域，使半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)技術(shù)人員在市場(chǎng)需求下，對(duì)大功率元件的發(fā)展技術(shù)，持續(xù)在突破。
半導(dǎo)體元件除了本身功能要良好之外，其各項(xiàng)參數(shù)能否達(dá)到電路上的要求，必須定期測(cè)量，否則產(chǎn)品的質(zhì)量特性很難保證，尤其是較大的功率元件，因具有耗損性，易老化及效率降低，因不平衡導(dǎo)致燒毀，甚至在使用中會(huì)發(fā)生爆炸。所以對(duì)新產(chǎn)品及使用中的元件參數(shù)的篩選及檢查更為重要。
半導(dǎo)體元件的每一個(gè)參數(shù)，依其極性的不同，都須要一個(gè)*的測(cè)量電路，我公司所設(shè)計(jì)生產(chǎn)的半導(dǎo)體元件自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，具有一組繼電器形成的矩陣電路，依每個(gè)參數(shù)的定義，形成千變?nèi)f化的電路，再依元件的出廠規(guī)格加上額定的電流或電壓后，在極短的時(shí)間內(nèi)將所須要的數(shù)據(jù)量測(cè)出來(lái)，且有些參數(shù)從量測(cè)的數(shù)據(jù)經(jīng)快速運(yùn)算即可得知其特性是否在規(guī)定范圍內(nèi)。
二.大功率半導(dǎo)體元件在應(yīng)用上常見(jiàn)的幾個(gè)問(wèn)題
1. 什么是大功率半導(dǎo)體元件？其用途為何？
凡是半導(dǎo)體元件如金屬氧化場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶閘管）、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等，其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上，均可屬于大功率的范圍。如下圖片所示。此類元件多用于車船，工廠的動(dòng)力，光電及其他能源的轉(zhuǎn)換上。
2. 何謂半導(dǎo)體元件的參數(shù)？對(duì)元件使用上有何重要性？
中大功率的元件僅在功能上的完好是不夠的，因其必須承受規(guī)格上的大電壓與電流，在某條件下，大承受度的數(shù)據(jù)便稱為此元件的參數(shù)。若元件的工作條件超過(guò)其參數(shù)數(shù)據(jù)，元件可能會(huì)立刻燒毀或造成性的損壞。
3. 大功率半導(dǎo)體器件為何有老化的問(wèn)題
任何產(chǎn)品都有設(shè)計(jì)使用壽命，同一種產(chǎn)品不同的使用環(huán)境和是否得到相應(yīng)的維護(hù)，延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命和設(shè)備良好運(yùn)行具有極為重要。功率元件由于經(jīng)常有大電流往復(fù)的沖擊，對(duì)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)均具有一定的耗損性及破壞性，若其工作狀況又經(jīng)常在其安全工作區(qū)的邊緣，更會(huì)加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一樣是不可避免的問(wèn)題。
4. 為何老化的元件必須盡早發(fā)現(xiàn)及盡早更換？
當(dāng)功率元件老化時(shí)，元件的內(nèi)阻在導(dǎo)通時(shí)必定會(huì)加大，因而使溫度升高，并使其效能降低。長(zhǎng)期使用后若溫升過(guò)高時(shí)，會(huì)使元件在關(guān)閉時(shí)的漏電流急遽升高。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加)，進(jìn)而使半導(dǎo)體的接口產(chǎn)生大量崩潰，而將此元件*燒毀。當(dāng)元件損毀時(shí)，會(huì)連帶將其驅(qū)動(dòng)電路上的元件或與其并聯(lián)使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發(fā)現(xiàn)更換。
5. 如何檢測(cè)元件有老化的現(xiàn)象？
半導(dǎo)體元件有許多參數(shù)都很重要，有些參數(shù)如：放大倍率，觸發(fā)參數(shù)，閂扣，保持參數(shù)，崩潰電壓等，是提供給工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)的依據(jù)，在檢測(cè)元件是否有老化的現(xiàn)象時(shí)，僅須測(cè)量導(dǎo)通參數(shù)及漏電流二項(xiàng)即可。將量測(cè)的數(shù)據(jù)與其出廠規(guī)格相比較，就可判定元件的好壞或退化的百分比。
6. 欲測(cè)知元件老化，所須提供的測(cè)量范圍為何？
當(dāng)大功率元件在作導(dǎo)通參數(shù)的測(cè)試時(shí)，電流必須大到其所能承受的正常工作值，同時(shí)，在作關(guān)閉參數(shù)的漏電流測(cè)試時(shí)，電壓也必須夠高，以仿真元件在真正工作狀態(tài)下的電流與電壓，如此其老化的程度才可顯現(xiàn)。當(dāng)這兩個(gè)參數(shù)通過(guò)后，便表示元件基本上良好，再進(jìn)一步作其他參數(shù)的測(cè)量，以分辨其中的優(yōu)劣。建議進(jìn)行高溫測(cè)試，模擬器件使用工況，更為準(zhǔn)確的判斷器件老化程度。
7. 如何執(zhí)行導(dǎo)通參數(shù)與漏電流的量測(cè)？
測(cè)試條件中待輸入的數(shù)字，必須依照元件生產(chǎn)廠所提供的規(guī)格來(lái)輸入，而測(cè)量結(jié)果，亦必須在其所規(guī)定的大限額內(nèi)，否則，便為不良品。
8. 節(jié)省成本
三. 華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介
我公司所設(shè)計(jì)生產(chǎn)的半導(dǎo)體元件自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)具備下列測(cè)試能力：
可單機(jī)獨(dú)立操作，測(cè)試范圍達(dá)5000V及16000A。
外接大電流擴(kuò)展裝置，檢測(cè)范圍可擴(kuò)展1600A。
外形尺寸和電源要求
主機(jī)尺寸(mm): 457 (18″) × 533 (21″) × 292 (11.5″)
重量(kg): 26 (57lbs)
電 源: 240VAC（-15）
50/60HZ Fused 2A/1A
華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀測(cè)試的IGBT參數(shù)包括：ICES（漏流）、BVCES（耐壓）、IGESF（正向門極漏流）、IGESR（反向門極漏流）、VGETH（門檻電壓／閾值）、VGEON（通態(tài)門極電壓）、VCESAT（飽和壓降）、ICON（通態(tài)集極漏流）、VF二極管壓降、等全直流參數(shù), 所有小電流指標(biāo)保證1重復(fù)測(cè)試精度, 大電流指標(biāo)保證2以內(nèi)重復(fù)測(cè)試精度。
華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBTc測(cè)試儀，可以仿真元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓，并測(cè)量重要參數(shù)的數(shù)據(jù)，再與原出廠指標(biāo)比較，由此來(lái)判定元件的好壞或退化的百分比。每個(gè)電流模塊，都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng)，以便在測(cè)試時(shí)，提供內(nèi)部電路及電池組充電之用； 可選購(gòu)?fù)獠扛邏耗K，執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如：各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)5KV。
四.測(cè)試大功率元件應(yīng)用范例說(shuō)明？
2011年，我們?cè)诘罔F運(yùn)營(yíng)公司前海車輛段大修車間，進(jìn)行了實(shí)際的展示與操作，廠方提供了許多元件來(lái)測(cè)試，其中一部份由于損毀嚴(yán)重，在一開(kāi)始的功能與元件判別過(guò)程，即被判出局，而未進(jìn)入實(shí)質(zhì)的參數(shù)量測(cè)，也有全新的IGBT，量測(cè)結(jié)果*合乎出廠規(guī)格.對(duì)其測(cè)試數(shù)據(jù)極為滿意，解決了特大功率器件因無(wú)法測(cè)試給機(jī)車在使用帶來(lái)的工作不穩(wěn)定、器件易燒壞、易爆炸等問(wèn)題。用戶能對(duì)舊品元件作篩選，留下可用元件，確實(shí)掌握設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)的可靠度。
測(cè)試參數(shù)多且完整、應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛，但只要使用其基本的2項(xiàng)功能：開(kāi)啟大電流壓降，關(guān)閉小電流的漏電流，就可知道大功半導(dǎo)體有沒(méi)有老化的現(xiàn)象。
· 可移動(dòng)型儀器，使用方便，測(cè)試簡(jiǎn)單快速，立即提供測(cè)試結(jié)果與數(shù)值。
· 適用的半導(dǎo)體元件種類多，尤其能測(cè)大功率元件。
· 用戶能確實(shí)掌握新采購(gòu)元件的質(zhì)量，避免用到瑕疵或仿冒品。
· *由計(jì)算機(jī)控制、快速精確的設(shè)定參數(shù)。
· 適用于實(shí)驗(yàn)室和老化篩選的測(cè)試。
· 操作非常簡(jiǎn)單、速度快。
· *計(jì)算機(jī)自動(dòng)判斷、自動(dòng)比對(duì)。
華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀,IGBT半導(dǎo)體器件測(cè)試系統(tǒng)的主要應(yīng)用領(lǐng)域概括如下：
· 半導(dǎo)體元器件檢測(cè)中心應(yīng)用華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀可擴(kuò)大檢測(cè)中心的檢測(cè)范圍、提高檢測(cè)效率，提升檢測(cè)水平，增加經(jīng)濟(jì)效益；
· 半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)廠 應(yīng)用華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀可對(duì)半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)線的成品進(jìn)行全參數(shù)的測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的合格率；
· 電子電力產(chǎn)品生產(chǎn)、檢修廠應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的半導(dǎo)體元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；
· 航天、領(lǐng)域 應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；
· 、電子信息等領(lǐng)域應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；
· 機(jī)車、汽車、船舶控制系統(tǒng)生產(chǎn)廠應(yīng)用華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀可對(duì)所應(yīng)用到的元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；
· 水力、電力控制系統(tǒng)生產(chǎn)廠應(yīng)用華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀可對(duì)所應(yīng)用到的元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性。
· 優(yōu)勢(shì)行業(yè)：電力設(shè)備、地鐵、鐵路動(dòng)力車組和運(yùn)用大功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行設(shè)計(jì)、制造的行業(yè)。
華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的V-I 特性測(cè)試 ， 廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車 ，風(fēng)力發(fā)電 ，變頻器， 焊機(jī)行業(yè)的 IGBT來(lái)料選型和失效分析。測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。能夠通過(guò)電腦操作成IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；具體如下：
ICES 集電極-發(fā)射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓
ICON 通態(tài)電極電流
VGEON 通態(tài)柵極電壓
VF 二極管正向?qū)▔航?/span>
整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能，可生成測(cè)試曲線，方便操作使用。
測(cè)試實(shí)例
Vce-Ic特征曲線
Vgth-Vce特征曲線
測(cè)試界面
華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的V-I 特性測(cè)試 ， 廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車 ，風(fēng)力發(fā)電 ，變頻器， 焊機(jī)行業(yè)的 IGBT來(lái)料選型和失效分析以及在線檢修.地鐵高鐵大修車間檢修用IGBT測(cè)試儀
一. 前言：
現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場(chǎng)上居于主導(dǎo)地位。由于科技進(jìn)步，電力電子裝置對(duì)輕薄短小及高性能之要求 ,帶動(dòng)MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換....等領(lǐng)域，使半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)技術(shù)人員在市場(chǎng)需求下，對(duì)大功率元件的發(fā)展技術(shù)，持續(xù)在突破。
半導(dǎo)體元件除了本身功能要良好之外，其各項(xiàng)參數(shù)能否達(dá)到電路上的要求，必須定期測(cè)量，否則產(chǎn)品的質(zhì)量特性很難保證，尤其是較大的功率元件，因具有耗損性，易老化及效率降低，因不平衡導(dǎo)致燒毀，甚至在使用中會(huì)發(fā)生爆炸。所以對(duì)新產(chǎn)品及使用中的元件參數(shù)的篩選及檢查更為重要。
半導(dǎo)體元件的每一個(gè)參數(shù)，依其極性的不同，都須要一個(gè)*的測(cè)量電路，我公司所設(shè)計(jì)生產(chǎn)的半導(dǎo)體元件自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，具有一組繼電器形成的矩陣電路，依每個(gè)參數(shù)的定義，形成千變?nèi)f化的電路，再依元件的出廠規(guī)格加上額定的電流或電壓后，在極短的時(shí)間內(nèi)將所須要的數(shù)據(jù)量測(cè)出來(lái)，且有些參數(shù)從量測(cè)的數(shù)據(jù)經(jīng)快速運(yùn)算即可得知其特性是否在規(guī)定范圍內(nèi)。
二.大功率半導(dǎo)體元件在應(yīng)用上常見(jiàn)的幾個(gè)問(wèn)題
1. 什么是大功率半導(dǎo)體元件？其用途為何？
凡是半導(dǎo)體元件如金屬氧化場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶閘管）、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等，其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上，均可屬于大功率的范圍。如下圖片所示。此類元件多用于車船，工廠的動(dòng)力，光電及其他能源的轉(zhuǎn)換上。
2. 何謂半導(dǎo)體元件的參數(shù)？對(duì)元件使用上有何重要性？
中大功率的元件僅在功能上的完好是不夠的，因其必須承受規(guī)格上的大電壓與電流，在某條件下，大承受度的數(shù)據(jù)便稱為此元件的參數(shù)。若元件的工作條件超過(guò)其參數(shù)數(shù)據(jù)，元件可能會(huì)立刻燒毀或造成性的損壞。
3. 大功率半導(dǎo)體器件為何有老化的問(wèn)題
任何產(chǎn)品都有設(shè)計(jì)使用壽命，同一種產(chǎn)品不同的使用環(huán)境和是否得到相應(yīng)的維護(hù)，延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命和設(shè)備良好運(yùn)行具有極為重要。功率元件由于經(jīng)常有大電流往復(fù)的沖擊，對(duì)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)均具有一定的耗損性及破壞性，若其工作狀況又經(jīng)常在其安全工作區(qū)的邊緣，更會(huì)加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一樣是不可避免的問(wèn)題。
4. 為何老化的元件必須盡早發(fā)現(xiàn)及盡早更換？
當(dāng)功率元件老化時(shí)，元件的內(nèi)阻在導(dǎo)通時(shí)必定會(huì)加大，因而使溫度升高，并使其效能降低。長(zhǎng)期使用后若溫升過(guò)高時(shí)，會(huì)使元件在關(guān)閉時(shí)的漏電流急遽升高。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加)，進(jìn)而使半導(dǎo)體的接口產(chǎn)生大量崩潰，而將此元件*燒毀。當(dāng)元件損毀時(shí)，會(huì)連帶將其驅(qū)動(dòng)電路上的元件或與其并聯(lián)使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發(fā)現(xiàn)更換。
5. 如何檢測(cè)元件有老化的現(xiàn)象？
半導(dǎo)體元件有許多參數(shù)都很重要，有些參數(shù)如：放大倍率，觸發(fā)參數(shù)，閂扣，保持參數(shù)，崩潰電壓等，是提供給工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)的依據(jù)，在檢測(cè)元件是否有老化的現(xiàn)象時(shí)，僅須測(cè)量導(dǎo)通參數(shù)及漏電流二項(xiàng)即可。將量測(cè)的數(shù)據(jù)與其出廠規(guī)格相比較，就可判定元件的好壞或退化的百分比。
6. 欲測(cè)知元件老化，所須提供的測(cè)量范圍為何？
當(dāng)大功率元件在作導(dǎo)通參數(shù)的測(cè)試時(shí)，電流必須大到其所能承受的正常工作值，同時(shí)，在作關(guān)閉參數(shù)的漏電流測(cè)試時(shí)，電壓也必須夠高，以仿真元件在真正工作狀態(tài)下的電流與電壓，如此其老化的程度才可顯現(xiàn)。當(dāng)這兩個(gè)參數(shù)通過(guò)后，便表示元件基本上良好，再進(jìn)一步作其他參數(shù)的測(cè)量，以分辨其中的優(yōu)劣。建議進(jìn)行高溫測(cè)試，模擬器件使用工況，更為準(zhǔn)確的判斷器件老化程度。
7. 如何執(zhí)行導(dǎo)通參數(shù)與漏電流的量測(cè)？
測(cè)試條件中待輸入的數(shù)字，必須依照元件生產(chǎn)廠所提供的規(guī)格來(lái)輸入，而測(cè)量結(jié)果，亦必須在其所規(guī)定的大限額內(nèi)，否則，便為不良品。
8. 節(jié)省成本
三. 華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介
我公司所設(shè)計(jì)生產(chǎn)的半導(dǎo)體元件自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)具備下列測(cè)試能力：
可單機(jī)獨(dú)立操作，測(cè)試范圍達(dá)5000V及16000A。
外接大電流擴(kuò)展裝置，檢測(cè)范圍可擴(kuò)展1600A。
外形尺寸和電源要求
主機(jī)尺寸(mm): 457 (18″) × 533 (21″) × 292 (11.5″)
重量(kg): 26 (57lbs)
電 源: 240VAC（-15）
50/60HZ Fused 2A/1A
華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀測(cè)試的IGBT參數(shù)包括：ICES（漏流）、BVCES（耐壓）、IGESF（正向門極漏流）、IGESR（反向門極漏流）、VGETH（門檻電壓／閾值）、VGEON（通態(tài)門極電壓）、VCESAT（飽和壓降）、ICON（通態(tài)集極漏流）、VF二極管壓降、等全直流參數(shù), 所有小電流指標(biāo)保證1重復(fù)測(cè)試精度, 大電流指標(biāo)保證2以內(nèi)重復(fù)測(cè)試精度。
華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBTc測(cè)試儀，可以仿真元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓，并測(cè)量重要參數(shù)的數(shù)據(jù)，再與原出廠指標(biāo)比較，由此來(lái)判定元件的好壞或退化的百分比。每個(gè)電流模塊，都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng)，以便在測(cè)試時(shí)，提供內(nèi)部電路及電池組充電之用； 可選購(gòu)?fù)獠扛邏耗K，執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如：各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)5KV。
四.測(cè)試大功率元件應(yīng)用范例說(shuō)明？
2011年，我們?cè)诘罔F運(yùn)營(yíng)公司前海車輛段大修車間，進(jìn)行了實(shí)際的展示與操作，廠方提供了許多元件來(lái)測(cè)試，其中一部份由于損毀嚴(yán)重，在一開(kāi)始的功能與元件判別過(guò)程，即被判出局，而未進(jìn)入實(shí)質(zhì)的參數(shù)量測(cè)，也有全新的IGBT，量測(cè)結(jié)果*合乎出廠規(guī)格.對(duì)其測(cè)試數(shù)據(jù)極為滿意，解決了特大功率器件因無(wú)法測(cè)試給機(jī)車在使用帶來(lái)的工作不穩(wěn)定、器件易燒壞、易爆炸等問(wèn)題。用戶能對(duì)舊品元件作篩選，留下可用元件，確實(shí)掌握設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)的可靠度。
測(cè)試參數(shù)多且完整、應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛，但只要使用其基本的2項(xiàng)功能：開(kāi)啟大電流壓降，關(guān)閉小電流的漏電流，就可知道大功半導(dǎo)體有沒(méi)有老化的現(xiàn)象。
· 可移動(dòng)型儀器，使用方便，測(cè)試簡(jiǎn)單快速，立即提供測(cè)試結(jié)果與數(shù)值。
· 適用的半導(dǎo)體元件種類多，尤其能測(cè)大功率元件。
· 用戶能確實(shí)掌握新采購(gòu)元件的質(zhì)量，避免用到瑕疵或仿冒品。
· *由計(jì)算機(jī)控制、快速精確的設(shè)定參數(shù)。
· 適用于實(shí)驗(yàn)室和老化篩選的測(cè)試。
· 操作非常簡(jiǎn)單、速度快。
· *計(jì)算機(jī)自動(dòng)判斷、自動(dòng)比對(duì)。
華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀,IGBT半導(dǎo)體器件測(cè)試系統(tǒng)的主要應(yīng)用領(lǐng)域概括如下：
· 半導(dǎo)體元器件檢測(cè)中心應(yīng)用華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀可擴(kuò)大檢測(cè)中心的檢測(cè)范圍、提高檢測(cè)效率，提升檢測(cè)水平，增加經(jīng)濟(jì)效益；
· 半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)廠 應(yīng)用華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀可對(duì)半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)線的成品進(jìn)行全參數(shù)的測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的合格率；
· 電子電力產(chǎn)品生產(chǎn)、檢修廠應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的半導(dǎo)體元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；
· 航天、領(lǐng)域 應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；
· 、電子信息等領(lǐng)域應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；
· 機(jī)車、汽車、船舶控制系統(tǒng)生產(chǎn)廠應(yīng)用華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀可對(duì)所應(yīng)用到的元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；
· 水力、電力控制系統(tǒng)生產(chǎn)廠應(yīng)用華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀可對(duì)所應(yīng)用到的元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性。
· 優(yōu)勢(shì)行業(yè)：電力設(shè)備、地鐵、鐵路動(dòng)力車組和運(yùn)用大功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行設(shè)計(jì)、制造的行業(yè)。
華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的V-I 特性測(cè)試 ， 廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車 ，風(fēng)力發(fā)電 ，變頻器， 焊機(jī)行業(yè)的 IGBT來(lái)料選型和失效分析。測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。能夠通過(guò)電腦操作成IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；具體如下：
ICES 集電極-發(fā)射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓
ICON 通態(tài)電極電流
VGEON 通態(tài)柵極電壓
VF 二極管正向?qū)▔航?/span>
整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能，可生成測(cè)試曲線，方便操作使用。
測(cè)試實(shí)例
Vce-Ic特征曲線
Vgth-Vce特征曲線
測(cè)試界面
華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的V-I 特性測(cè)試 ， 廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車 ，風(fēng)力發(fā)電 ，變頻器， 焊機(jī)行業(yè)的 IGBT來(lái)料選型和失效分析以及在線檢修.地鐵高鐵大修車間檢修用IGBT測(cè)試儀
