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環(huán)保APP正式上線

華科智源igbt模塊篩選分析

參考價(jià) 200
訂貨量 ≥1臺(tái)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號(hào)ITC57300
  • 所  在  地深圳市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2020/11/5 18:23:18
  • 訪問(wèn)次數(shù)1114
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   深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè),坐落于改革開(kāi)放之都-中國(guó)深圳,核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測(cè)儀,MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀,MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,在線式檢修用IGBT測(cè)試儀,變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀,IGBT模塊測(cè)試儀,軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀,風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀,產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等;
    華夏神州,科技興國(guó),智能創(chuàng)新,源遠(yuǎn)流長(zhǎng);華科智源公司 核心團(tuán)隊(duì)由華中科技大學(xué)等國(guó)內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建,致力于中國(guó)功率半導(dǎo)體事業(yè),積極響應(yīng)國(guó)家提出的中國(guó)制造2025戰(zhàn)略,投身于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。
    深圳華科智源科技有限公司-,功率器件測(cè)試方案供應(yīng)商,2025中國(guó)制造 • 芯片設(shè)計(jì)及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來(lái)料選型。

首件檢測(cè)儀,首件檢測(cè)系統(tǒng),SMT智能首件檢測(cè)儀,首樣檢測(cè),首板確認(rèn)
測(cè)量范圍 igbt mos bjt 測(cè)量精度 Vcesat Vgeth lces lges
外形尺寸 500(寬)x 450(深)x 250(高)cm;mm 用途 檢修地鐵 汽車
重量 30kg
華科智源igbt模塊篩選分析系統(tǒng)的自動(dòng)化程度高,按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作,實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化的智能測(cè)試,計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果,測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本或 EXCEL 格式存儲(chǔ)。測(cè)試方法靈活,可完美測(cè)試器件以及單個(gè)單元和多單元的模塊測(cè)試。
華科智源igbt模塊篩選分析 產(chǎn)品信息

華科智源igbt模塊篩選分析系統(tǒng)適合工廠、研究所用做IGBT及其模塊的篩選、檢驗(yàn)、分析以及器件生產(chǎn)廠用做生產(chǎn)測(cè)試,是一款針對(duì)IGBT的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng)。

系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)功率源為3500V/200A,電流可擴(kuò)展至2000A。

系統(tǒng)的自動(dòng)化程度高,按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作,實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化的智能測(cè)試,計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果,測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本或 EXCEL 格式存儲(chǔ)。測(cè)試方法靈活,可完美測(cè)試器件以及單個(gè)單元和多單元的模塊測(cè)試。

系統(tǒng)采用品牌工控機(jī),具有抗電磁干擾能力強(qiáng),排風(fēng)量大等特點(diǎn)

系統(tǒng)安全穩(wěn)定,PLC 對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖。

 

華科智源igbt模塊篩選分析主要由計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)和PLC控制系統(tǒng)組成

計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)

計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)是該測(cè)試設(shè)備的中心控制單元,設(shè)備有一部分的工作程序、工作時(shí)序、開(kāi)關(guān)的動(dòng)作狀態(tài),數(shù)據(jù)采集等均由計(jì)算機(jī)完成。計(jì)算機(jī)

采用研華工業(yè)控制機(jī),具有抗電磁干擾能力強(qiáng),排風(fēng)量大等特點(diǎn)。

計(jì)算機(jī)中,裝有美國(guó)國(guó)家儀器公司生產(chǎn)的數(shù)據(jù)采集卡NI PCI6221卡2塊,NI PCI6221是一塊多功能的數(shù)據(jù)采集卡,具有三組數(shù)據(jù)端口,16/8個(gè)

模擬量輸入端口,兩個(gè)模擬量輸出口、兩個(gè)定時(shí)器計(jì)數(shù)器。

PLC控制系統(tǒng)

控制系統(tǒng)除工控機(jī)外,還采用了歐姆龍系列的PLC,PLC主要對(duì)設(shè)備的工作時(shí)序、開(kāi)關(guān)動(dòng)作等進(jìn)行控制,并且與計(jì)算機(jī)進(jìn)行通訊,完成了整個(gè)系

統(tǒng)的自動(dòng)控制功能;PLC不僅控制開(kāi)關(guān)的動(dòng)作,而且對(duì)系統(tǒng)中主要開(kāi)關(guān)的工作狀態(tài)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控,并與硬件進(jìn)行互鎖,實(shí)現(xiàn)了可靠的安全控制功能。

系統(tǒng)特征

針對(duì)IGBT的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng)

大功率(IV可擴(kuò)展至4500A,6000V

自動(dòng)化程度高(按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作)

計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果,測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化文本或EXECL格式存儲(chǔ)

采用品牌工控機(jī),具有抗電磁干擾能力強(qiáng),排風(fēng)量大等特點(diǎn)

測(cè)試方法靈活(可完美測(cè)試器件以及單個(gè)和多單元的模塊測(cè)試)

安全穩(wěn)定(PLC對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并與硬件進(jìn)行互鎖)

測(cè)試范圍

EN-3020C系統(tǒng)是專為測(cè)試IGBT而設(shè)計(jì)。能夠真實(shí)準(zhǔn)確測(cè)試出IGBT的各種靜態(tài)參數(shù):其測(cè)試范圍如下:

1)柵極-發(fā)射極漏電流測(cè)試                     VGES、IGES

2)柵極-發(fā)射極閾值電壓測(cè)試                   Vge(th)

3)集電極-發(fā)射極電壓測(cè)試測(cè)試                 VCES、ICES

4)集電極-發(fā)射極飽和電壓測(cè)試測(cè)試             Vge(sat)、IC

5)二極管壓降測(cè)試測(cè)試                        VF、IF

6)二極管反向可恢復(fù)直流電壓測(cè)試          VR、IR

外形尺寸和電源要求

尺 寸:800×800×1800(mm)

質(zhì) 量:210kg

環(huán)境溫度:15~40℃

工作電壓:AC220V±10%無(wú)嚴(yán)重諧波

電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz

通信接口: USB RS232

系統(tǒng)功耗: 380W

參數(shù)/條件

; overflow-wrap:normal; word-break:normal"> <table class="table" style="-webkit-tap-highlight-color:rgba(0, 0, 0, 0); border-collapse:collapse; box-sizing:border-box; font-size:14px; min-width:

參數(shù)/條件

           

參  數(shù)

   

ENJ 35200 IGBT

ENJ 30200 IGBT

     

靜態(tài)參數(shù)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)

靜態(tài)參數(shù)手動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)

 

條  件

   

①柵極-發(fā)射極漏電流IGES

         

IGES: 0.1-10uA±3%±0.1uA

         

集電極電壓VCE: 0V

         

柵 極 電 壓 VGE: 20V ±3%±0.2V

         

②集電極-發(fā)射極電壓BVCES

         

集電極電壓VCES: 100-3500V±5%±10V(選配)

         

集電極電流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA

 

100-3500V±5%±10V

100-3000V±5%±10V

柵 極 電 壓 VGE: 0V

         

③集電極發(fā)射極飽和電壓VCESAT

         

VCESAT:0.1-10V

         

柵極電壓 V G E : ±15V±2%±0.2V

         

集電極電流ICE:10-200A±5%(選配)

   

10-200A±5%

10-200A±5%

④集電極-發(fā)射極截止電流ICES

         

集電極電流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA

   

100-3500V±5%

100-3000V±5%

集電極電壓VCE: 100-3500V±5%(選配)

         

柵 極 電 壓V G E : 0V

         

⑤柵極-發(fā)射極閥值電壓測(cè)試VGETH

         

VGETH: 0.1-10V±3%±0.1V

         

VGE=VCE

         

集電極電流ICE: 30mA±3%

         

⑥二極管壓降測(cè)試VF

         

VF: 0.1-5V±3%±0.01V

         

柵極電壓VGE: 0V

         

流  I F :10-200A±5%(選配)

   

10-200A±5%

10-200A±5%

導(dǎo)通電流  IC:10-200A±5%

         

柵極電壓VGE:±15V±0.2V

         

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