1、設(shè)備概述

1.1

設(shè)備數(shù)量

1套

1.2

設(shè)備功能

測(cè)試功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)

1.3

設(shè)備組成

設(shè)備包含硬件模塊和軟件模塊兩大部分

1.4

硬件模塊

設(shè)備硬件部分應(yīng)包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線纜，測(cè)試夾具、控制電腦等

1.5

軟件模塊

設(shè)備軟件部分應(yīng)包括：

1.操作系統(tǒng)、備份、保存、編輯、上傳等基本功能；

2.圖形化操作界面；

3.輸出EXCEL、word版測(cè)試報(bào)告

4.切換大小功率測(cè)試模塊，達(dá)到相應(yīng)測(cè)試精度

5.I-V特性曲線，曲線上測(cè)試點(diǎn)數(shù)據(jù)可以導(dǎo)出到EXCEL表格；

6.同一測(cè)試條件的器件的測(cè)試曲線可以在軟件內(nèi)進(jìn)行對(duì)比，新測(cè)曲線可以與原測(cè)曲線進(jìn)行對(duì)比；

2、設(shè)備尺寸

2.1

設(shè)備總體長(zhǎng)度

≤   500mm

2.2

設(shè)備總體寬度

≤450mm

2.3

設(shè)備總體高度

≤300mm

3、技術(shù)指標(biāo)

★

3.1

機(jī)臺(tái)可測(cè)試器件類型

二極管、MOSFET、IGBT單管及模組

★

3.2

機(jī)臺(tái)可測(cè)IGBT項(xiàng)目

及測(cè)試范圍

VGE(th)柵極閾值電壓

VCES集射極截止電壓

ICES集射極截止電流

VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降

Iges柵極漏電流

VF二極管導(dǎo)通電壓

可以測(cè)5000V,2000A以下的IGBT模塊

★

3.3

機(jī)臺(tái)可測(cè)MOS項(xiàng)目

Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)

★

3.4

VGE(th)柵極閾值電壓測(cè)量范圍

0.1～10V分辨率：0.001V

3.5

VGE(th)

測(cè)試條件與精度

VGE：0.1～10V±1%±0.01V；

集電極電流Ic：

10～50mA±1%±0.5mA；

★

3.6

VCES集射極截止電壓測(cè)量范圍

0~5000V 分辨率0.1V

3.7

VCES

測(cè)試條件與精度

集電極電流ICES：

0.01～1mA±3%±0.001mA；

1～10mA±2%±0.01mA；

10～50mA±1%±0.1mA；

集電極電壓VCES：

0-5000V±1%±2V；

★

3.8

ICES集射極截止電流測(cè)量范圍

0.01～50mA 分辨率   0.001uA

3.9

ICES

測(cè)試條件與精度

集電極電壓VCES：

50～500V±1%±1V；

500～5000V±1%±2V；

集電極電流ICES：

0.001～1mA±3%±0.001mA；

1～10mA±2%±0.01mA；

10～50mA±1%±0.1mA；

★

3.10

VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降測(cè)量范圍

0.001～10V 分辨率 1mV

3.11

VCE(sat)

測(cè)試條件與精度

集電極電壓VCEs：

0.001～10V±0.5%±0.001V

柵極電壓Vge：

5～40V±1%±0.01V

集電極電流ICE：0-1600A

0～100A±1%±1A；

100～1600A±1%±1A；

★

3.12

Iges柵極漏電流

測(cè)量范圍

0.01～10μA 分辨率   0.1nA

3.13

Iges

測(cè)試條件與精度

柵極漏電流IGEs：

0.01～10μA±2%±0.005μA

柵極電壓Vge：

±1Ｖ～100V±1%±0.1V；

Vce=0V；

★

3.14

VF正向特性測(cè)試

測(cè)量范圍

0.1～10V 分辨率   0.001V

3.15

VF正向特性測(cè)試

測(cè)試條件與精度

二極管導(dǎo)通電壓Vf：

0.1～10V±1%±0.01V

電流IF：

0～100A±2%±1A；

100～1600A±1%±2A；