產(chǎn)品簡(jiǎn)介：高真空濺射可用于金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多種新型薄膜材料的制備，且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛用于大專、科研院所的薄膜材料研究、制備。
產(chǎn)品型號(hào) | GSL-CKJS-450-B1磁控濺射 | ||
安裝條件 | 本設(shè)備要求在海拔1000m以下，溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機(jī)（加注純凈水或者去離子水） 2、電：AC380V 50Hz，必須有良好接地 3、氣：設(shè)備腔室內(nèi)需充注氮/氬氣（純度99.99%以上），需自備實(shí)驗(yàn)氣體氣瓶（自帶Ø10mm雙卡套接頭）及減壓閥 4、場(chǎng)地：設(shè)備尺寸3500×1600mm，承重1000kg以上 5、通風(fēng)裝置：需要 | ||
主要特點(diǎn) | 1、真空度高。 2、可制備多種薄膜，金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等，應(yīng)用廣泛。 3、體積小，操作簡(jiǎn)便。 4、清理安裝便捷。 5、控制可選一體化觸摸屏控制 | ||
技術(shù)參數(shù) | 1、主濺射室尺寸：Ø450×355mm筒形真空室 2、主濺射室真空度：5×10-5Pa 3、永磁靶3套，靶材尺寸φ2″，各靶射頻與直流濺射兼容（其中1個(gè)靶可濺射鐵磁材料），靶與樣品距離90-110mm可調(diào) 4、三靶共濺，三個(gè)靶可共同折向樣品中心，距離40-80mm可調(diào) 5、基片加熱與水冷獨(dú)立工作，加熱爐可與水冷樣品臺(tái)可互換，加熱工溫度 600℃±1℃ 6、樣品尺寸：φ1″ 7、樣品臺(tái)可連續(xù)回轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5-15轉(zhuǎn)/分 8、基片可加-200V負(fù)偏壓 9、公轉(zhuǎn)6工位樣品臺(tái)，可一次性安裝6片φ1″基片，拆下水冷加熱樣品臺(tái)可換上6工位樣品臺(tái)，其中5個(gè)工位為自然冷卻工位，1個(gè)加熱工位，加熱工位溫度 600℃±1℃ | ||
產(chǎn)品規(guī)格 | 整機(jī)尺寸：1500×900mm×2000mm； | ||
標(biāo)準(zhǔn)配件 | 1 | 電源控制系統(tǒng) | 1套 |
2 | 真空獲得系統(tǒng) | 1套 | |
3 | 真空測(cè)量裝置 | 1套 | |
