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多功能磁增強(qiáng)反應(yīng)離子刻蝕機(jī)

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公司名稱武漢賽斯特精密儀器有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)
所在地武漢市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2021/4/26 10:17:35
訪問(wèn)次數(shù)361

產(chǎn)品標(biāo)簽:

等離子刻蝕機(jī)半導(dǎo)體檢測(cè)儀器半導(dǎo)體儀器設(shè)備全套?

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武漢賽斯特精密儀器有限公司是武漢市專業(yè)研發(fā)，以力學(xué)試驗(yàn)機(jī)儀器為主，同時(shí)銷售各種、中低端分析儀器?，F(xiàn)有員工60多人，公司成功開發(fā)了PCI放大采集卡和中文版試驗(yàn)軟件，并采用全數(shù)字化，操作簡(jiǎn)捷，*符合GB、ISO、JIS、ASTM、DIN等標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的要求，公司亦通過(guò)了ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證和國(guó)家計(jì)量體系認(rèn)證，榮獲了“武漢市第九界消費(fèi)者滿意單位”的稱號(hào)。

產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子、高校、研究機(jī)構(gòu)、環(huán)保機(jī)構(gòu)、航天、石油化工、紡織制造、第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)、研究院、新能源、集成電路、芯片、封裝測(cè)試、半導(dǎo)體行業(yè)、顯示器領(lǐng)域、光電材料、鋰電池、機(jī)械生產(chǎn)等領(lǐng)域。并與武漢理工大學(xué)、華中科技大學(xué)等建立了長(zhǎng)期合作，每年投入大量研究經(jīng)費(fèi)，招攬各方技術(shù)人才加盟突破國(guó)內(nèi)技術(shù)壁壘，不斷攻克新的技術(shù)難題，另外公司還積極拓展海外業(yè)務(wù)，產(chǎn)品遠(yuǎn)銷越南，印度，埃及等國(guó)家和地區(qū)。

本著“專業(yè)品質(zhì)，專業(yè)服務(wù)”為宗旨，以“科技、品質(zhì)、競(jìng)爭(zhēng)、創(chuàng)新”為理念，通過(guò)不斷汲取新的技術(shù)，新的理念，繼續(xù)開發(fā)研制新產(chǎn)品，并為廣大客戶提供優(yōu)質(zhì)的售前，售中，售后服務(wù)。熱烈歡迎廣大新老朋友業(yè)函，來(lái)電，蒞臨我公司參觀指導(dǎo)！

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多功能磁增強(qiáng)反應(yīng)離子刻蝕機(jī) 實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)工藝過(guò)程參數(shù)，以達(dá)到理想的側(cè)面輪廓。實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)工藝過(guò)程參數(shù)，以達(dá)到理想的側(cè)面輪廓。

多功能磁增強(qiáng)反應(yīng)離子刻蝕機(jī) 產(chǎn)品信息

多功能磁增強(qiáng)反應(yīng)離子刻蝕機(jī)

SPTS作為*的深硅刻蝕和犧牲層刻蝕設(shè)備的供應(yīng)商，SPTS能夠提供一系列的解決方案來(lái)滿足客戶的生產(chǎn)和開發(fā)要求。通過(guò)一系列的技術(shù)的開發(fā)，SPTS能為客戶提供一系列的*的工藝，比如功率MOSFET和200mm和300mm晶圓上的端封裝（3D封裝和芯片級(jí)封裝）。

深硅刻蝕工藝的主要過(guò)程包括：

1）鈍化處理過(guò)程（C4F8等離子體）

一階段：由C4F8產(chǎn)生CFn聚合物沉淀在所有的表面

2）刻蝕過(guò)程（SF6等離子體）

第二階段：由于離子體的定向運(yùn)動(dòng)，基面上的聚合物被去除的速度要比在側(cè)壁的去除速度快。

第三階段：暴露的硅表面就會(huì)被F系物刻蝕掉，SF6*提供等離子體，來(lái)實(shí)現(xiàn)高深寬比的刻蝕。

多功能磁增強(qiáng)反應(yīng)離子刻蝕機(jī)

深硅刻蝕的主要應(yīng)用包括: MEMS，*封裝（TSV）,功率器件等等。

SPTS提供一系列的設(shè)備來(lái)滿足客戶研發(fā)到生產(chǎn)不同的要求。包括ICP-SR/SRE系列，而Pegasus則是大量生產(chǎn)所使用的設(shè)備。

Pegasus是行業(yè)先的深槽刻蝕設(shè)備，可以提供理想的刻蝕速度，但同時(shí)保證側(cè)面特征良好控制和一致性。通過(guò)利軟件“boost and delay”和利 “parameter ramping” 以及絕緣硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高性能的工藝控制。

parameter ramping技術(shù)：

實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)工藝過(guò)程參數(shù)，以達(dá)到理想的側(cè)面輪廓。

關(guān)鍵詞：刻蝕機(jī) 芯片