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紅外后對(duì)準(zhǔn)雙面刻蝕機(jī)

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱(chēng)武漢賽斯特精密儀器有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號(hào)
  • 所  在  地武漢市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2021/4/28 14:42:13
  • 訪問(wèn)次數(shù)307
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     武漢賽斯特精密儀器有限公司是武漢市專(zhuān)業(yè)研發(fā),以力學(xué)試驗(yàn)機(jī)儀器為主,同時(shí)銷(xiāo)售各種、中低端分析儀器。現(xiàn)有員工60多人,公司成功開(kāi)發(fā)了PCI放大采集卡和中文版試驗(yàn)軟件,并采用全數(shù)字化,操作簡(jiǎn)捷,*符合GB、ISO、JIS、ASTM、DIN等標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的要求,公司亦通過(guò)了ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證和國(guó)家計(jì)量體系認(rèn)證,榮獲了“武漢市第九界消費(fèi)者滿意單位”的稱(chēng)號(hào)。
 
    產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子、高校、研究機(jī)構(gòu)、環(huán)保機(jī)構(gòu)、航天、石油化工、紡織制造、第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)、研究院、新能源、集成電路、芯片、封裝測(cè)試、半導(dǎo)體行業(yè)、顯示器領(lǐng)域、光電材料、鋰電池、機(jī)械生產(chǎn)等領(lǐng)域。并與武漢理工大學(xué)、華中科技大學(xué)等建立了長(zhǎng)期合作,每年投入大量研究經(jīng)費(fèi),招攬各方技術(shù)人才加盟突破國(guó)內(nèi)技術(shù)壁壘,不斷攻克新的技術(shù)難題,另外公司還積極拓展海外業(yè)務(wù),產(chǎn)品遠(yuǎn)銷(xiāo)越南,印度,埃及等國(guó)家和地區(qū)。
 
    本著“專(zhuān)業(yè)品質(zhì),專(zhuān)業(yè)服務(wù)”為宗旨,以“科技、品質(zhì)、競(jìng)爭(zhēng)、創(chuàng)新”為理念,通過(guò)不斷汲取新的技術(shù),新的理念,繼續(xù)開(kāi)發(fā)研制新產(chǎn)品,并為廣大客戶提供優(yōu)質(zhì)的售前,售中,售后服務(wù)。熱烈歡迎廣大新老朋友業(yè)函,來(lái)電,蒞臨我公司參觀指導(dǎo)!
檢測(cè)儀器全套,測(cè)試設(shè)備全套等
加工定制
紅外后對(duì)準(zhǔn)雙面刻蝕機(jī) 是行業(yè)先的深槽刻蝕設(shè)備,可以提供理想的刻蝕速度,但同時(shí)保證側(cè)面特征良好控制和一致性。
紅外后對(duì)準(zhǔn)雙面刻蝕機(jī) 產(chǎn)品信息

紅外后對(duì)準(zhǔn)雙面刻蝕機(jī)

 

SPTS作為*的深硅刻蝕和犧牲層刻蝕設(shè)備的供應(yīng)商,SPTS能夠提供一系列的解決方案來(lái)滿足客戶的生產(chǎn)和開(kāi)發(fā)要求。通過(guò)一系列的技術(shù)的開(kāi)發(fā),SPTS能為客戶提供一系列的*的工藝,比如功率MOSFET和200mm和300mm晶圓上的端封裝(3D封裝和芯片級(jí)封裝)。

深硅刻蝕工藝的主要過(guò)程包括:

1) 鈍化處理過(guò)程(C4F8等離子體)

一階段:由C4F8產(chǎn)生CFn聚合物沉淀在所有的表面

2) 刻蝕過(guò)程(SF6等離子體)

第二階段:由于離子體的定向運(yùn)動(dòng),基面上的聚合物被去除的速度要比在側(cè)壁的去除速度快。

第三階段:暴露的硅表面就會(huì)被F系物刻蝕掉,SF6*提供等離子體,來(lái)實(shí)現(xiàn)高深寬比的刻蝕。

 

紅外后對(duì)準(zhǔn)雙面刻蝕機(jī)

 

深硅刻蝕的主要應(yīng)用包括: MEMS,*封裝(TSV),功率器件等等。

 

SPTS提供一系列的設(shè)備來(lái)滿足客戶研發(fā)到生產(chǎn)不同的要求。包括ICP-SR/SRE系列,而Pegasus則是大量生產(chǎn)所使用的設(shè)備。

 

Pegasus是行業(yè)先的深槽刻蝕設(shè)備,可以提供理想的刻蝕速度,但同時(shí)保證側(cè)面特征良好控制和一致性。通過(guò)利軟件“boost and delay”和利 “parameter ramping” 以及絕緣硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高性能的工藝控制。

 

parameter ramping技術(shù):

實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)工藝過(guò)程參數(shù),以達(dá)到理想的側(cè)面輪廓。

關(guān)鍵詞:刻蝕機(jī) 芯片
15700106413
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