頂點70v提供的性能和多功能性，要求分析和研究應(yīng)用。其創(chuàng)新設(shè)計的結(jié)果是的靈活性和的性能。數(shù)據(jù)采集基于24位動態(tài)范圍的雙通道增量式ADC，并行運行并集成到探測器前置放大器電子器件中。這個*的DigiTectTM技術(shù)可以防止外界信號的干擾，保證的信噪比.
真空光學(xué)
利用70 V真空紅外光譜儀的可抽空光學(xué)臺架，可在中、近、遠紅外/太赫茲波段獲得峰值靈敏度，而不必擔心掩蓋水汽或CO2吸收引起的微弱光譜特征。在納米科學(xué)研究領(lǐng)域，例如在亞單層領(lǐng)域，可以取得突出的成果。
Bruker調(diào)頻FIR-MIR光譜
獨樹一幟Bruker FM技術(shù)提供了在6000厘米范圍內(nèi)獲得完整的遠紅外光譜和中紅外光譜的可能性。-1至50厘米-1在一步測量中不需要改變?nèi)魏喂鈱W(xué)元件。
寬光譜范圍
頂點70v可任意配置光學(xué)元件，覆蓋10厘米的光譜范圍。-1在遠紅外/太赫茲范圍內(nèi)，通過中紅外和近紅外，可達到28，000厘米的可見光/紫外光譜范圍。-1。它的預(yù)對準光學(xué)元件和對齊的巖石固體TM干涉儀，量程變化方便，免維護。
人工智能網(wǎng)絡(luò)
集成了采樣附件和光學(xué)元件的識別、測量參數(shù)的自動設(shè)置和檢測等功能，使FTIR光譜技術(shù)簡單、快速、可靠。此外，分光計部件的在線檢查使故障診斷和維護變得簡單。一套完整的軟件工具確保了這一功能。
即插即用：設(shè)置簡單
在世界各地，無論您在哪里，插入電源線和以太網(wǎng)連接，頂點70v已準備好操作。以太網(wǎng)連接到頂點70v還提供了通過您的網(wǎng)絡(luò)或萬維網(wǎng)控制光譜儀的可能性。
頂點70v是要求研發(fā)應(yīng)用的理想儀器。
外部附件、來源和探測器
70 V真空分光計配有5個束流出口端口和2個束流輸入端口，可方便地升級具有外部測量附件、源和探測器的系統(tǒng)。這包括以下方面：
? PMA 50偏振調(diào)制附件VCD和下午-IRRAS
? PLⅡ光致發(fā)光模塊
? RAM IIFT-Raman模塊與RamanScopeⅢ型FT-Raman顯微鏡
? TGA-FT-IR耦合
? Hyperion系列FTIR顯微鏡
? Hyperion 3000紅外成像系統(tǒng)
? HTS-XT高通量篩選擴展
? iMac焦平面陣列宏成像附件
? 外部樣品艙XSA，可撤離或可凈化
? 外真空密閉特高壓室適配
? 真空PL/PT/PR測量裝置
? 固體和液體用MIR或NIR光纖探針的光纖耦合單元
? 大積分球
? 自動取樣裝置
? 外FIR汞源
? *的寬量程MIR-FIR分束器和探測器(Bruker調(diào)頻)
? 外部發(fā)射適配器
? 外高性能MIR源
? 外真空四位探測器室
? 適用于飛行情報區(qū)探測的測速儀自適應(yīng)
70 V真空光譜儀非常適合于高靈敏度、高穩(wěn)定性和高時間分辨率的研究應(yīng)用。低至FIR/THz區(qū)域的可用光譜范圍可為工業(yè)研究提供額外的具體應(yīng)用。多才多藝的頂點70v系統(tǒng)提供與合適的配件和適當?shù)臏y量技術(shù)的使用相結(jié)合，這是在FTIR光譜領(lǐng)域幾乎每一個需求的解決方案。
研發(fā)
? 時間分辨、振幅(AM)和相位調(diào)制(PM)光譜的連續(xù)步進掃描技術(shù)步進掃描/快速掃描/交錯掃描)
? 超高真空中的紅外光譜
? 用于電極表面和電解質(zhì)原位研究的FT-IR光譜電化學(xué)
? 水中蛋白質(zhì)的調(diào)查(CONFOCHECK)
? 確定分子的構(gòu)型(VCD)
制藥業(yè)
? 熱分析方法表征醫(yī)藥產(chǎn)品的穩(wěn)定性和揮發(fā)性含量(TGA-FT-IR)
? 遠紅外區(qū)活性藥物成分多態(tài)性的鑒別Bruker調(diào)頻)
聚合物與化學(xué)
? 聚合物復(fù)合材料中無機填料的遠紅外鑒別Bruker調(diào)頻)
? 聚合物的動態(tài)流變學(xué)研究
? 揮發(fā)性化合物的測定及熱分解過程的表征(TGA-FTIR)
? 反應(yīng)監(jiān)測和反應(yīng)控制(MIR纖維探針)
? 無機礦物和顏料的鑒定
表面分析
? 薄層和單層膜的檢測與表征
? 表面分析結(jié)合偏振調(diào)制下午-IRRAS)
材料科學(xué)
? 光學(xué)和高反射材料(窗戶、反射鏡)的表征
? 暗色材料的光聲光譜(PAS)研究及深度剖面分析
? 材料發(fā)射特性的表征
半導(dǎo)體
? 質(zhì)量控制用硅片中氧和碳含量的測定
