| 功率金屬氧化物場效應(yīng)管 | 1 | 漏源間反向擊穿電壓 | 半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3407.1 | 只測： -3.5kV～3.5kV |
| 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 3407 | 只測： -3.5kV～3.5kV | |||
| 2 | 通態(tài)電阻 | 半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3421.1 | 只測： 0～10k?,,0～1500A | |
| 3 | 閾值電壓 | 半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3404 | 只測： -10V～10V | |
| 4 | 漏極反向電流 | 半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3415.1 | 只測： -100mA～100mA | |
| 5 | 柵極漏電流 | 半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3411.1 | 只測： -100mA～101mA | |
| 6 | 體二極管壓降 | 半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 4011.4 | 只測： 0A～1500A | |
| 7 | 跨導(dǎo) | 半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3475.2 | 只測： 1ms～1000s | |
| 8 | 開關(guān)時(shí)間 | 半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3472.2 | 只測： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A | |
| 9 | 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 3472 | 只測： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A | ||
| 10 | 體二極管反向恢復(fù)時(shí)間 | 半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只測： 10ns～2µs | |
| 11 | 體二極管反向恢復(fù)電荷 | 半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只測： 1nC～100µC | |
| 12 | 柵極電荷 | 半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3471.3 | 只測： Qg：0.5nC～500nC | |
| 13 | 單脈沖雪崩能量 | 半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3470.2 | 只測： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A | |
| 14 | 柵極串聯(lián)等效電阻 | 功率MOSFET柵極串聯(lián)等效電阻測試方法 JESD24-11:1996(R2002) | 只測： 0.1Ω～50Ω | |
| 15 | 穩(wěn)態(tài)熱阻 | 半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3161.1 | 只測： Ph：0.1W～250W | |
| 16 | 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 3161 | 只測： Ph：0.1W～250W | ||
| 17 | 輸入電容 | 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分：場效應(yīng)晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.10 | 只測： -3kV～3kV,0～1MHz | |
| 18 | 輸出電容 | 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分：場效應(yīng)晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.11 | 只測： -3kV～3kV,0～1MHz | |
| 19 | 反向傳輸電容 | 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分：場效應(yīng)晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.12 | 只測： -3kV～3kV,0～1MHz | |
| 20 | 老煉試驗(yàn) | 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 1042 | 只測： 條件A、條件B， Vdsmax：3500V， Tjmax：200℃ | |
| 21 | 溫度，反偏和操作壽命試驗(yàn) JESD22-A108F:2017 | 只測： HTRB和HTGB試驗(yàn) | ||
| 22 | 間歇功率試驗(yàn) | 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 1042 | 只測： 條件D（間歇功率） | |
| 23 | 穩(wěn)態(tài)功率試驗(yàn) | 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 1042 |
西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測試實(shí)驗(yàn)室(簡稱長禾實(shí)驗(yàn)室)位于西安市*經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，是一家從事功率半導(dǎo)體器件測試服務(wù)的，是CNAS 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室，屬于大功率器件測試服務(wù)中心。
長禾實(shí)驗(yàn)室擁有的系統(tǒng)設(shè)備的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和完善的服務(wù)體系。實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有的測試儀器設(shè)備100余臺套測試人員20余名。我們緊跟國際國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，以客戶需求為導(dǎo)向，不斷創(chuàng)新服務(wù)項(xiàng)目和檢測技術(shù)，借助便利的服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，為合作伙伴提供的技術(shù)服務(wù)。
長禾實(shí)驗(yàn)室專注于功率半導(dǎo)體器件的動、靜態(tài)參數(shù)檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗(yàn)、熱阻測試等領(lǐng)域的技術(shù)服務(wù)。業(yè)務(wù)范圍主要涉及國內(nèi)軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、科研單位院所、工業(yè)控制船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導(dǎo)體（寬禁帶半導(dǎo)體）應(yīng)用解決方案服務(wù)商。
長禾實(shí)驗(yàn)室秉承創(chuàng)新務(wù)實(shí)的經(jīng)營理念，為客戶提供的服務(wù)、完善的解決方案及的技術(shù)支持；同時(shí)注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研院所的合作與交流，測試技術(shù)與服務(wù)水平不斷提升。
大功率半導(dǎo)體元器件檢測服務(wù)
IGBT開關(guān)時(shí)間損耗參數(shù)測試服務(wù) 產(chǎn)品信息
