磁控離子濺射儀為掃描電鏡用戶在制樣過程中提供了更廣泛的選擇，以便適用支持掃描電子顯微鏡所需的涂層要求。磁控濺射的原理是，在電場內(nèi)在疊加一個磁場，這樣電子在疊加場內(nèi)做螺旋運動，行程很長，每個電子電離的氣體分子比直流多很多很多，所以可以在低電壓下，有較好的真空度。濺射產(chǎn)生同樣的鍍膜效果。但是因為磁控真空度相對高，所以鍍膜的顆粒小，膜層附著力好，靶材的利用率也高。   在直流濺射過程中，樣品的溫升主要來自于負離子在電場作用下對樣品的轟擊，在磁控濺射中，負離子都被磁場束縛了，所以基本沒有對樣品的轟擊，所以溫升基本沒有，很適合溫度敏感性的樣品制備。

磁控低電壓為600V,直流等離子電壓為2400V.

磁控真空度為3Pa,直流等離子真空度為7-10Pa。

濺射技術

　　在電子顯微鏡領域內(nèi)，往往需要對樣品進行表面鍍膜從而使樣品表面成像或者圖像質(zhì)量得到改善。在樣品表面覆蓋一層導電的金屬薄膜可以消除荷電反應，降低電子束對樣品表面的熱量損傷，可以提高SEM對樣品進行形貌觀察,所需要的二次電子信號量。噴金后可以提供二次電子產(chǎn)額,提升信號強度和圖像質(zhì)量。

　   濺射電流12mA,濺射時間10s        濺射電流10mA,濺射時間20s    　         濺射電流12mA,濺射時間30s     　 濺射電流10mA,濺射時間60s   

系統(tǒng)特點：

○ 儀器采用微處理器控制，自動化程度高精確控制、易于操作；

○ 低電壓、較好真空度下的實現(xiàn)大電流濺射，可濺射金、銀、銅、鉑等常用金屬靶材；

○ 金膜顆粒絕大多數(shù)＜10nm，顆粒更細，均勻度更好，附著力更強，觀測效果更佳；

○   靶材利用率更高，磁控濺射靶材利用率為直流濺射的2倍,為用戶節(jié)約靶材費用.

○ 電子和負離子被磁場束縛在靶材附近，鍍膜過程中基本沒有溫升，適用溫度敏感性樣品；

○ 采用微處理器控制，擴展性能好，可實時顯示真空度、濺射電流、濺射時間、設備運行時間、靶材使用時間等，方便了解設備情況，具備過流、真空保護功能，安全可靠；

○ 內(nèi)置用戶使用向?qū)Ш驼f明書，方便用戶 操作；內(nèi)置膜厚估算公式，便于用戶了 解鍍膜狀態(tài)；