HS-NCS-200非接觸厚度電阻率測(cè)試儀
 一、測(cè)試原理 
1、電阻率測(cè)試探頭原理 電阻率測(cè)試模塊是由一對(duì)共軸渦流傳感器，以及后續(xù)的處理電路組成。將半導(dǎo)體硅片置于兩個(gè)探頭的間隙中時(shí)，在電磁場(chǎng)的作用下，半導(dǎo)體硅片中會(huì)產(chǎn)生渦流效應(yīng)，通過(guò)檢測(cè)渦流效應(yīng)的大小，可以換算出該硅片的電阻率和方塊電阻。本方法是一種非接觸無(wú)損測(cè)量的方法，不損傷材料表面，可以在大多數(shù)場(chǎng)合有效替代四探針?lè)y(cè)試電阻率以及方塊電阻。
 
 
 2、厚度測(cè)試探頭原理 厚度探頭采用的是一對(duì)共軸電容位移傳感器。電容傳感器具有重復(fù)性好，測(cè)試數(shù)值穩(wěn)定，技術(shù)成熟等優(yōu)點(diǎn)，廣泛用于各種材料厚度的測(cè)試。 
二、適用范圍 
本設(shè)備為非接觸無(wú)損測(cè)量設(shè)備，測(cè)試過(guò)程中對(duì)硅片表面以及內(nèi)部不會(huì)造成損傷。特別適用于代替四探針?lè)ㄓ糜诎雽?dǎo)體硅片成品分選檢驗(yàn)。一臺(tái)儀器可以同時(shí)對(duì)厚度和電阻率兩個(gè)指標(biāo)進(jìn)行測(cè)試分選，減少了測(cè)試工序和測(cè)試時(shí)間，提高了測(cè)試效率。 典型的客戶(hù)：科研單位、硅片生產(chǎn)廠商、半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠商、光伏企業(yè)、導(dǎo)電薄膜研發(fā)生產(chǎn)企業(yè)。
 三、儀器構(gòu)成 
1、測(cè)試主機(jī)：1臺(tái) 2、電源線：1根 3、串口數(shù)據(jù)線：1根 4、電腦端軟件：1套 5、塑料定位柱：2個(gè)
 四、儀器外觀尺寸結(jié)構(gòu)及圖片
 1、整機(jī)尺寸：340*260*180mm 
2、機(jī)箱顏色：電腦白 
3、儀器結(jié)構(gòu)：本儀器采用厚度探頭和電阻率探頭前后并列安裝的方式。 
儀器外觀圖片（不同批次外觀有細(xì)微區(qū)別） 
五、儀器主要指標(biāo) 
1、電氣規(guī)格 a．使用標(biāo)準(zhǔn)三插頭，由220V交流電供電，整機(jī)功耗小于15瓦。 b．本儀器測(cè)試平臺(tái)和外殼均為金屬材料，按照安全規(guī)范，請(qǐng)確保電源地線正確連接。 
2、測(cè)試范圍 測(cè)試樣品要求：厚度小于600um的半導(dǎo)體硅片以及其他類(lèi)似材料。(為客戶(hù)提供特殊定制，厚度的測(cè)試范圍可以擴(kuò)展到800um) 電阻率范圍： L檔： 0.2-5 Ω·cm H檔： 5-50 Ω·cm 注：電阻率不在上述量程范圍內(nèi)的可以按要求調(diào)整，調(diào)整的范圍可以在0.001-100Ω*cm。 厚度范圍： 100-600 um （定制版可以做到 300-800um） 注：普通版本厚度大于700um的硅片無(wú)法放入測(cè)試區(qū)域。
 3、電阻率測(cè)試精度（在正確校準(zhǔn)，23攝氏度環(huán)境中預(yù)熱2小時(shí)的情況下測(cè)定） 范圍(單位)重復(fù)度 測(cè)量誤差（正確校準(zhǔn)情況下） 0.2-5 Ω*cm<1%<5% 5-50 Ω*cm<2%<5% 注：該數(shù)據(jù)為500um左右厚度硅片中心電阻率測(cè)試結(jié)果。 
4、厚度測(cè)試精度(在正確校準(zhǔn)，23攝氏度環(huán)境中預(yù)熱2小時(shí)的情況下測(cè)定) 范圍(單位)重復(fù)度測(cè)量誤差（正確校準(zhǔn)情況下） 100-600 um<+-1um<+-1um 
六、安裝說(shuō)明 
1、軟硬件要求 自備帶有串口（DB9接口）的筆記本或者臺(tái)式電腦，屏幕分辨率不低于1024*1280.預(yù)裝XP系統(tǒng)以及EXCEL 2003辦公軟件（本公司不提供XP系統(tǒng)以及OFFICE軟件）。
 2、儀器安裝和環(huán)境要求
 a、推薦測(cè)試條件為23±2℃，相對(duì)濕度小于70%，測(cè)試環(huán)境推薦使用空調(diào)等調(diào)溫設(shè)備，保持室內(nèi)溫濕度的穩(wěn)定。 
b、放置在水平堅(jiān)固的桌面上，避免傾側(cè)或者震動(dòng)。
 c、勿靠近熱源，強(qiáng)的電磁場(chǎng)或者出風(fēng)口。特別提醒：等無(wú)線通訊設(shè)備工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生電磁脈沖，干擾測(cè)試結(jié)果。測(cè)試時(shí)請(qǐng)與設(shè)備保持1m以上的距離。 
d、環(huán)境需要一定的清潔度 e、勿堵塞儀器底面和后面板的風(fēng)扇散熱口。 f、DB9數(shù)據(jù)線和電源線按照要求接好。
 八、儀器使用簡(jiǎn)介（詳細(xì)的信息請(qǐng)參考使用說(shuō)明書(shū)）
 1 開(kāi)機(jī)預(yù)熱 打開(kāi)儀器后面板開(kāi)關(guān)，散熱風(fēng)扇開(kāi)始工作，打開(kāi)軟件。預(yù)熱30分鐘，使得儀器跟環(huán)境之間溫度達(dá)到平衡再開(kāi)始校準(zhǔn)和測(cè)試。本儀器工作功率15w以?xún)?nèi)，可以長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)開(kāi)機(jī)，推薦工作時(shí)間內(nèi)不需要關(guān)機(jī)。
 2 厚度校準(zhǔn) 厚度校準(zhǔn)采用2片硅片校準(zhǔn)。校準(zhǔn)硅片的值可以取200um左右和600um左右的經(jīng)過(guò)標(biāo)定的硅片各一片。其中測(cè)試3寸片的時(shí)候需要用三寸的樣片校準(zhǔn)，4寸及以上使用4寸片校準(zhǔn)。使用過(guò)程中，由于環(huán)境溫度和濕度的變化，厚度測(cè)試值可能會(huì)出現(xiàn)漂移。請(qǐng)隔2-3小時(shí)用校準(zhǔn)硅片點(diǎn)檢一次，出現(xiàn)漂移請(qǐng)重新校準(zhǔn)。
 3.電阻率校準(zhǔn) 電阻率校準(zhǔn)采用的也是2片硅片校準(zhǔn)。校準(zhǔn)硅片可以選取500um左右厚度的硅片，一般要求被測(cè)試片的值在兩片校準(zhǔn)樣片測(cè)試值之間。與厚度測(cè)試類(lèi)似，由于環(huán)境溫度的變化，電阻率測(cè)試值可能會(huì)出現(xiàn)漂移。請(qǐng)隔2-3小時(shí)用校準(zhǔn)硅片點(diǎn)檢一次，出現(xiàn)漂移的話請(qǐng)重新校準(zhǔn)。
 4.測(cè)試臺(tái)面清潔 測(cè)試臺(tái)面使用的是鋁氧化層，具有耐磨和光滑的特點(diǎn)，勿使用硬物敲或者鋒利的刀片劃，否則可能損壞表面，影響使用。日常清潔可以使用布沾酒精輕輕擦拭。清潔表面之后，請(qǐng)過(guò)10-20分鐘，等酒精和水分*揮發(fā)之后，再進(jìn)行測(cè)試。否則水蒸氣或者酒精蒸汽可能會(huì)影響測(cè)試結(jié)果。