真空晶體生長爐技術(shù)特征
采用*的控制技術(shù),能精密控制爐內(nèi)壓力,爐膛內(nèi)壓力波動?。?/span>
采用動密封技術(shù),能精密控制坩堝移動與旋轉(zhuǎn);
采用特殊結(jié)構(gòu)設(shè)計,能有效控制籽晶位置;
采用特殊的爐膽結(jié)構(gòu)和加熱器布置,經(jīng)溫場模擬計算,能有效控制爐內(nèi)溫場分布;
具備柔性抽真空、爐內(nèi)分壓控制等功能;
采用*的隔熱結(jié)構(gòu)和材料,爐膽隔熱性能好、蓄熱少,
采用特殊的高溫紅外測量技術(shù),控溫準(zhǔn)確,誤差小。
真空晶體生長爐產(chǎn)品規(guī)格
型號/參數(shù) | VCG-4 | VCG-6 | VCG-8 |
產(chǎn)品尺寸 | 4英寸 | 6英寸 | 8英寸 |
溫度(℃) | 2400-2600 | 2400-2600 | 2400-2600 |
溫度均勻性(℃) | ±5 | ±5 | ±5 |
極限真空度(Pa) | 10-5-10-3 | 10-5-10-3 | 10-5-10-3 |
壓升率(pa/h) | 0.67 | 0.67 | 0.67 |
真空晶體生長爐配置選擇
結(jié)構(gòu)形式:上出料/下出料
爐門鎖緊方式:手動/自動
爐殼材質(zhì):內(nèi)層不銹鋼/全碳鋼/全不銹鋼
保溫材質(zhì):高純碳?xì)?石墨氈/固化氈
加熱器:等靜壓石墨/金屬
熱電偶:C/K/N/S分度號
紅外儀:單比色/雙比色
適于工藝氣氛:N2/Ar/H2