VTC-1RF是一款小型臺(tái)式單靶等離子濺射儀(射頻磁控型)，配有1英寸的磁控等離子濺射頭和射頻（RF）等離子電源，此款設(shè)備主要用于制作非導(dǎo)電薄膜，特別是一些氧化物薄膜。對(duì)于新型非導(dǎo)電薄膜的探索，它是一款廉價(jià)并且高效的實(shí)驗(yàn)幫手。
我們用此設(shè)備得到擇優(yōu)取向的ZnO薄膜
技術(shù)參數(shù)
輸入電源 | - 220VAC 50/60Hz, 單相
- 800W (包括真空泵）
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等離子源 | - 一個(gè)100W，13.5MHz的射頻電源安裝在移動(dòng)柜內(nèi)
- 配有一13.5MHz,100W的射頻電源（采用手動(dòng)匹配）
- 可選配300W射頻電源（自動(dòng)匹配）
- 注意：100W手動(dòng)調(diào)節(jié)的RF（射頻）電源價(jià)格較低，但是每一次對(duì)于不同的靶材，都需要手動(dòng)設(shè)置參數(shù)才能產(chǎn)生等離子體，比較耗費(fèi)時(shí)間。300W自動(dòng)匹配的RF（射頻）電源，價(jià)格較昂貴，但比較節(jié)約時(shí)間。
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磁控濺射頭 | - 一個(gè)1英寸磁控濺射頭（帶有水冷夾層），采用快速接頭與真空腔體相連接
- 靶材尺寸: 直徑為25.4mm,大厚度3mm
- 一個(gè)快速擋板安裝在法蘭上（手動(dòng)操作，見圖左3）
- 濺射頭所需冷卻水：流速10ml/min（儀器中配有一臺(tái)流速為16ml/min的循環(huán)水冷機(jī)）
- 同時(shí)可選配2英寸濺射頭
- 選配2英寸濺射頭靶材尺寸：直徑為50.8mm，大厚度6mm
  
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真空腔體 | - 真空腔體：160 mm OD x 150 mm ID x 250mm H，采用高純石英制作
- 密封法蘭:直徑為165 mm . 采用金屬鋁制作，采用硅膠密封圈密封
- 一個(gè)不銹鋼網(wǎng)罩住整個(gè)石英腔體，以屏蔽等離子體
- 真空度：<1.0*10-2 Torr （采用雙極旋片真空泵）
- <5*10-5 torr （采渦旋分子泵）
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載樣臺(tái) | - 載樣臺(tái)可旋轉(zhuǎn)（為了制膜更加均勻）并可加熱
- 載樣臺(tái)尺寸：直徑50mm （大可放置2英寸的基片）
- 旋轉(zhuǎn)速度：1 - 20 rpm
- 樣品臺(tái)的高加熱溫度為700℃(短期使用，恒溫不超過(guò)1小時(shí))，長(zhǎng)期使用溫度500℃
- 控溫精度+/- 10℃
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真空泵 | 可選用直聯(lián)式雙極旋片泵,也可選用德國(guó)制作的分子泵系統(tǒng)  |
薄膜測(cè)厚儀 | - 一個(gè)精密的石英振動(dòng)薄膜測(cè)厚儀安裝在儀器上，可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)薄膜的厚度，分辨率為0.10 ?
- LED顯示屏顯示，同時(shí)也輸入所制作薄膜的相關(guān)數(shù)據(jù)
 
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質(zhì)保和質(zhì)量認(rèn)證 | - 一年質(zhì)保期，終生維護(hù)
- CE認(rèn)證
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使用注意事項(xiàng) | - 這款1英寸的射頻濺射鍍膜儀主要是用于在單晶基片上制備氧化物膜，所以并不需要太高的真空度
- 為了較好地排出真空腔體中的氧氣，建議用5%H2+95 %N2對(duì)真空腔體清洗2-3次，可有效減少真空腔體中的氧含量
- 請(qǐng)用純度大于5N的Ar來(lái)進(jìn)行等離子濺射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建議將鋼瓶中的惰性氣體通過(guò)凈化系統(tǒng)過(guò)后，再導(dǎo)入到真空腔體內(nèi)
 
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