碳化硅高溫氧化爐能夠滿足 SiC 圓片的高溫氧化工藝; 同時(shí)亦可用于常規(guī)的硅圓片的氧化。

簡(jiǎn)介

Centrotherm Oxidator 150 經(jīng)過(guò)團(tuán)體的, 能夠滿足 SiC 圓片的高溫氧化工藝; 同時(shí)亦可用于常規(guī)的硅圓片的氧化。

Oxidator 150

Oxidator 150 [1]

爐管和加熱器均處于真空密閉反應(yīng)腔內(nèi); 上下料腔室可用Ar或 N2 進(jìn)行吹掃。這樣的設(shè)計(jì)可以有毒氣體 [如 NO, N2O, H2, NO2 等] 使用。

MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）氧化工藝使用 N2O 氣氛, 可以 SiO2/SiC 接觸表面以獲得高的通道遷移率, 同時(shí)可提高SiC表面氧化物的穩(wěn)定性和壽命。

高達(dá) 1350 ℃ 的溫度和其他支持功能為研制SiC 氧化工藝和低界面陷阱密度, 高通道移動(dòng)率的氧化層提供可能。

新式 centrotherm Oxidator 150 的反應(yīng)腔，具有高性能, 占地少和降低成本生產(chǎn)的特點(diǎn); 提供工藝靈活度, 同時(shí)能夠有毒氣體的使用。

性能

真空密封反應(yīng)腔

占地面積小 [1.8m2]

批處理圓片尺寸2″, 3″, 4″, 6″

批處理數(shù)量 40 片硅片2″, 50片硅片6″

真空度小于10-3 mbar

可以并排安裝