EDI超純水設(shè)備適用于集成電路芯片，單晶硅，顯象管，液晶顯示器，計(jì)算機(jī)硬盤(pán)，線路板等工藝所需的純水和超純水制備。其關(guān)鍵器件采用美國(guó)Electropure公司的EDI模塊及HANNA公司的電導(dǎo)率表、電阻率表。其它主要配件則采用了國(guó)產(chǎn)優(yōu)質(zhì)材料及配件。這種配置方法既保證了設(shè)備長(zhǎng)期穩(wěn)定的運(yùn)行以節(jié)約了投資成本，進(jìn)一步推動(dòng)了EDI這種環(huán)保易用的水處理設(shè)備在中國(guó)的應(yīng)用。本公司生產(chǎn)的PR-RO-EDI一體化設(shè)備采用全自動(dòng)控制系統(tǒng)，操作簡(jiǎn)單，不需要酸堿再生，可連續(xù)生產(chǎn)；不需要處理廢酸堿，安裝條件簡(jiǎn)單，系統(tǒng)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，運(yùn)行成本低，水質(zhì)穩(wěn)定，安裝維修簡(jiǎn)便。
EDI與傳統(tǒng)混床的比較——
項(xiàng)目 | EDI | 混床 |
產(chǎn)水性質(zhì) | 15～18MΩ·cm | 2～10MΩ·cm |
穩(wěn)定性 | 水質(zhì)穩(wěn)定 | 水質(zhì)受樹(shù)脂交換狀況，再生品質(zhì)影響大 |
操作性 | 操作簡(jiǎn)便，無(wú)需專(zhuān)業(yè)熟練工 | 再生時(shí)對(duì)操作人員操作水平要求高 |
環(huán)保性 | 無(wú)需酸堿，無(wú)任何化學(xué)汙染 | 需要酸堿再生，需解決酸堿儲(chǔ)存與排放的問(wèn)題 |
連續(xù)運(yùn)行 | 再生時(shí)無(wú)需停機(jī)，邊運(yùn)行邊再生 | 再生時(shí)需要停機(jī)再生 |
運(yùn)行費(fèi)用 | 低 | 高 |
初期投資 | 較高 | 低 |
拋光混床：采用高交換容量、充分再生、無(wú)化學(xué)析出的核子級(jí)樹(shù)脂，去除純水中殘余的微量帶電離子及弱電解質(zhì)，使水質(zhì)達(dá)到18MΩ·cm以上。
EDI模塊進(jìn)水條件
PH值 5.0～9.5 電導(dǎo)率 1~20μs/cm,導(dǎo)電率2～20μs/cm 總C02 <5ppm 硅 <0.5ppm 硬度以(CaC03計(jì)) <1.0ppm 進(jìn)水壓力 0.15～0.5MPa
應(yīng)用領(lǐng)域
超純水常用于微電子工業(yè)、半導(dǎo)體工業(yè)、發(fā)電工業(yè)和實(shí)驗(yàn)室。
EDI模塊結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
1、淡水隔板采用衛(wèi)生級(jí)PE材料
2、EDI膜片采用進(jìn)口均相膜和國(guó)產(chǎn)異相離子交換膜
3、采用進(jìn)口EDI專(zhuān)用均粒樹(shù)脂和國(guó)產(chǎn)EDI專(zhuān)用均粒樹(shù)脂
4、EDI電極板采用鈦鍍釕技術(shù)
5、壓緊板采用具有硬性的合金鋁軋鑄而成。
6、固定螺絲采用國(guó)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)件
7、膜堆出廠試壓7bar不漏水
8、膜堆電阻低、功耗小
9、外觀裝飾板造型美觀結(jié)實(shí)
10、膜堆處理水量3T/H，最小模堆處理水量 11、純水、濃水、極水通道設(shè)計(jì)合理，不易堵塞，水流分布均勻、*。 進(jìn)水指標(biāo)要求 ◎通常為單級(jí)反滲透或二級(jí)反滲透的滲透水 ◎TEA(總可交換陰離子，以CaCO3計(jì))：＜25ppm。 ◎電導(dǎo)率：＜40μS/cm ◎ＰH：6.0～9.0。當(dāng)總硬度低于0.1ppm時(shí)，EDI工作的pH范圍為8.0～9.0。 ◎溫度： 5～35℃。 ◎進(jìn)水壓力：＜4bar(60psi)。 ◎硬度：(以CaCO3計(jì))：＜1.0ppm。 ◎有機(jī)物( TOC)：＜0.5ppm。 ◎氧化劑：Cl2＜0.05ppm，O3＜0.02ppm。 ◎變價(jià)金屬： Fe＜0.01ppm，Mn＜0.02ppm。 ◎H2S：＜0.01ppm。 ◎二氧化硅：＜0.5ppm。 ◎色度：＜5APHA。 ◎二氧化碳的總量：＜10ppm ◎SDI 15min：＜1.0。
