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塑料薄膜膠帶介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀

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公司名稱北京縱橫金鼎儀器設(shè)備有限公司
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廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時間2022/6/26 18:19:25
訪問次數(shù)130

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公司介紹主營產(chǎn)品

北京縱橫金鼎儀器設(shè)備有限公司（簡稱金鼎儀器，JDYQ）于2016年注冊成立，注冊資金5000萬元。是以中國航天研究院，清華大學(xué)系專家作為公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)。公司致力于各類試驗(yàn)儀器的研發(fā)、生產(chǎn)、制造及銷售，并有自主研發(fā)軟件的專業(yè)團(tuán)隊(duì)，公司總部坐落于美麗富饒的經(jīng)濟(jì)文化交流中心——北京市，物華天寶，人杰地靈。
公司自創(chuàng)建以來，一直保持著健康穩(wěn)定的發(fā)展態(tài)勢，并以超過%的年均增長速度快速持續(xù)發(fā)展，完善的客戶服務(wù)體系，確保了金鼎儀器產(chǎn)品的設(shè)計(jì)*，質(zhì)量穩(wěn)定，供貨及時和服務(wù)周到。公司擁有自主的設(shè)計(jì)資質(zhì)，已獲得十余項(xiàng)國家Z利產(chǎn)品。公司擁有一批專業(yè)從事設(shè)計(jì)、制造、安裝、調(diào)試及售后服務(wù)的員工隊(duì)伍：在軟件設(shè)計(jì)和技術(shù)研發(fā)上，公司擁有清華大學(xué)、工業(yè)大學(xué)高級工程師的專家團(tuán)隊(duì)和專業(yè)*、勇于創(chuàng)新的中青年專業(yè)技術(shù)人員和項(xiàng)目人員；金鼎儀器本著“鑄造輝煌，唯有質(zhì)量”的堅(jiān)定信念。
金鼎儀器立志打造專業(yè)精深，通過不斷創(chuàng)新及與用戶的深入合作持續(xù)改進(jìn)產(chǎn)品，保證用戶對品牌的*信任。我們對品牌成功的定義或許與眾不同，我們的目標(biāo)是成為國內(nèi)用戶二次購買率的試驗(yàn)儀機(jī)品牌，即用戶流失率的企業(yè)。

展望未來，金鼎儀器正在以打造基業(yè)長青百年企業(yè)的發(fā)展目標(biāo)為指導(dǎo)，全面提升內(nèi)部管控，按照專業(yè)化、規(guī)?；⑵放苹?、資本化的發(fā)展策略，先。同時，金鼎儀器不斷致力于與企業(yè)集團(tuán)強(qiáng)強(qiáng)合作，以共創(chuàng)中國精密儀器行業(yè)的美好明天而不斷努力。

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產(chǎn)品簡介在線詢價

描述：塑料薄膜膠帶介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀電容器的電極之間及電極周圍的空間全部充以絕緣材料時，其形成的電容量CX與同一個結(jié)構(gòu)形成的在真空中的電容量CO比。 εr = CX / CO

塑料薄膜膠帶介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀產(chǎn)品信息

高頻絕緣材料的介電常數(shù)（相對電容率）和

介質(zhì)損耗因數(shù)（tanδ）的測量

介電常數(shù)（相對電容率）ε_r

１.ε_r的定義 塑料薄膜膠帶介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀

電容器的電極之間及電極周圍的空間全部充以絕緣材料時，其形成的電容量C_X與同一個結(jié)構(gòu)形成的在真空中的電容量C_O比。

ε_r = C_X/ C_O ( 1 )

由于在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下，不含二氧化碳的干炒空氣的相對電容率ε_r等于

1.00053，近似與１。因此，在一般測量中，都以該結(jié)構(gòu)在空氣中形成的電容量C_O來替代真空中的電容量C_O。

　　２.平板電容的ε_r塑料薄膜膠帶介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀

因?yàn)樵诮^緣材料的測量中，一般都采用平板電容的結(jié)構(gòu)。平板電容在空氣中的電容量為 C_O?。?/span>εO S / D 4 ；當(dāng)平板電容二極片之間夾入絕緣材料時，平板電容二極片之間的電容量為 CＸ?。?/span>εr S / D 2　，如果令 CO?。?CＸ　　。則可獲得下面公式２的絕緣材料介電常數(shù)計(jì)算式（εO ≈ 1）。

　　３.ε_r的測量

利用LJD-B型或LJD-C型高頻Q表和S916型介電常數(shù)/介電常數(shù)數(shù)顯測量裝置能很方便地實(shí)現(xiàn)介電常數(shù)εr 的測量。具體步驟如下：

（1）選擇一臺測試頻率能滿足測試要求的Q表，按Q表的操作說明，接通Q表電源后。根據(jù)測試的要求，設(shè)定一個測試頻率。將Q表的主調(diào)電容，調(diào)至中間值。然后選配一個與測試頻率相適應(yīng)的高Q值電感線圈，插入Q表頂部標(biāo)有電感符號的接線柱上。（該電感的值應(yīng)能保證主調(diào)電容在中間值與Z大值之間調(diào)節(jié)時，能找到一個諧振點(diǎn)）

（2）將S916型測量裝置上的二夾具插頭插入Q表頂部標(biāo)有電容符號的接線柱上。按S916的操作說明，開啟電源；調(diào)節(jié)測量裝置的測微桿，使平板電容器二極片相接為止，然后將S916此時顯示的值校準(zhǔn)為“0”。

（3）將被測的絕緣材料夾入到平板電容器二極片之間。絕緣材料表面應(yīng)平整、光滑。尺寸、形狀應(yīng)與電容器極片相一致。調(diào)節(jié)測量裝置的測微桿，使平板電容器二極片夾住樣品止。

（４）調(diào)節(jié)Q表的主調(diào)電容，使 Q表上顯示的Q值達(dá)到Z大值。讀取S916測試裝置液晶顯示屏上此時顯示的絕緣材料厚度值，計(jì)為D 2。

（５）取出二極片之間被測的絕緣材料，這時Q表又失諧，此時順時針調(diào)節(jié)測量裝置的測微桿（保持Q表的主調(diào)電容值不變），重新使 Q表上顯示的Q值達(dá)到Z大值，讀取測試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值記為D ４。

（６）計(jì)算出被測的絕緣材料的介電常數(shù)ε_r

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ε_r　= D ２ / D 4 ( ２ )

介質(zhì)損耗因數(shù)（tanδ）

1.介質(zhì)損耗因數(shù)（tanδ）的定義

一個有損耗的電容器都可以用一個純電容C_S和一個電阻R_ＣS的串聯(lián)來表示（也可以用一個純電容C_P和一個電阻R_P的并聯(lián)來表示，它們表達(dá)的結(jié)果是一致的）。

串聯(lián)等效電路

R_ＣSC_S

這樣一個有損耗的電容器的介質(zhì)損耗因數(shù)定義為在電阻上損耗的功率與電容C_S上的無功功率之比。如果流過的電流為I_S，則該電容器的介質(zhì)損耗因數(shù)的正玄值為：

tanδ＝＝ωC_S R_ＣS ?。ǎ常?/span>

從上面的公式中可看出介質(zhì)損耗因數(shù)與頻率、電容值和損耗電阻值都是有關(guān)聯(lián)的、

2.介質(zhì)損耗因數(shù)與元件品質(zhì)因數(shù)Q值之間的關(guān)系

同樣，一個有損耗的電容器的品質(zhì)因數(shù)定義為在電容C_S上的無功功率與在電阻上損耗的功率之比

Q＝＝1/ωC_S R_ＣS 　 （４）

從上面的公式中可見，介質(zhì)損耗因數(shù)與元件品質(zhì)因數(shù)Q值之間互為倒數(shù)的關(guān)系。因此，利用Ｑ表來測量介質(zhì)損耗因數(shù)是很可行的方法。

Ｑ表是采用諧振法來測量元件品質(zhì)因數(shù)Q值的，因此Ｑ表都自帶有一個

可變的電容器（都采用高Ｑ值的以空氣為介質(zhì)的電容器）；一個信號穩(wěn)定的信號源。在外配一個合適的電感器后，Ｑ表都能在信號源頻率所能覆蓋的范圍內(nèi)，找到一個頻率諧振點(diǎn)ωo　。在沒有其它外加損耗器件時，Ｑ表諧振回路的Ｑ值為：

Q1 ＝　　　　　　　＝＝

＝＝＝

因?yàn)榭諝饨橘|(zhì)電容器的Q_Ｃ＞＞　Q_L（電感Q值），所以有

Q1 ≈ QＬ （５）

當(dāng)在空氣介質(zhì)電容器兩端并聯(lián)一個帶損耗的電容器時，此時上面的公式不能再成立，如果這時Ｑ表諧振時的Ｑ值為Q２，則有

　　　Q２　＝＝　

Q_Ｃ＝

此時的電容器的介質(zhì)損耗因數(shù)為：

tanδ＝ ωC_S R_ＣS ＝ 1/ Q_Ｃ＝（６）

空氣介質(zhì)電容器兩端并聯(lián)一個帶損耗的電容器的等效電路圖如下。

Ｒ２、ΔＣ分別為帶損耗電容器的等效損耗電阻和電容值。Ｃ１－ΔＣ為

空氣介質(zhì)電容器的電容值。

根據(jù)阻抗相等的原則有

１/（Ｒ２＋１/ωΔＣ）＋ω（Ｃ1－ΔＣ）＝１/（Ｒ1＋1/ωＣ1）　

　　　　對上式整理后有

因?yàn)榭諝饨橘|(zhì)電容器的損耗可忽略，因此可認(rèn)為電容的損耗就是并聯(lián)的帶損耗電容器的損耗；既ωＲ２ΔＣ＝ωＲ1Ｃ1。整理上式后可得：

Ｒ２＝Ｒ1Ｃ1^２/ΔＣ^２

由此可得到并聯(lián)的帶損耗的電容器的介質(zhì)損耗因數(shù)為：

tanδ＝ωΔＣＲ２ ＝ωΔＣＲ1Ｃ1^２/ΔＣ^２＝ωＲ1Ｃ1Ｃ1/ΔＣ

將上與式（６）相比較，則有：

　　　　　　tanδ ＝ ?。? （７）

　３. 介質(zhì)損耗因數(shù)（tanδ）的測量

利用LJD-B型或LJD-C型高頻Q表和S916型介電常數(shù)/介電常數(shù)數(shù)顯測量裝置能很方便地實(shí)現(xiàn)介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ 的測量。因?yàn)樵谶@兩款高頻Q表中，專門增加了介質(zhì)損耗因數(shù)的測量程序，設(shè)置了測試按鍵，在顯示屏上可直接讀得介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ值。從而省去了以往復(fù)雜的計(jì)算工作。具體步驟如下：

（1）選擇一臺測試頻率能滿足測試要求的Q表，按Q表的操作說明，接Q表電源后。根據(jù)測試的要求，設(shè)定一個測試頻率。將Q表的主調(diào)電容，調(diào)至較大值，為后面接入測量裝置和被測材料時增加的電容，預(yù)留出空間。然后選配一個與測試頻率相適應(yīng)的高Q值電感線圈，插入Q表頂部標(biāo)有電感符號的接線柱上。（該電感的值應(yīng)能保證主調(diào)電容在不帶有被測材料時，在中間值與Z大值之間調(diào)節(jié)時能找到一個諧振點(diǎn)）。本公司為 Q表配套使用的LKI-1電感組能滿足要求，如：1MHz 時電感取250uH，15MHz時電感取1.5uH。

（2）將S916型測量裝置上的二夾具插頭插入Q表頂部標(biāo)有電容符號的接線柱上。按S916的操作說明，開啟電源。

（3）測出損耗測試裝置在測試狀態(tài)下的機(jī)構(gòu)電容CZ，步驟如下：

a. 將被測的絕緣材料樣品夾入到平板電容器二極片之間。絕緣材料表面應(yīng)平整、光滑。尺寸、形狀應(yīng)與電容器極片相一致。調(diào)節(jié)測量裝置的測微桿，使平板電容器二極片夾住樣品止。（注意調(diào)節(jié)時要用測微桿，以免夾得過緊或過松）。然后取出平板電容器中的樣品，但要保持平板電容器間的間距不變。

b. 改變Q表上的主調(diào)電容容量，使Q表處于諧振點(diǎn)上（既使 Q表上顯示的Q值達(dá)到Z大值）；電容讀數(shù)記為C1。

c. 然后取下測試裝置，再改變Q表上的主調(diào)電容容量，重新使之諧振，電容讀數(shù)記為C3，此時可計(jì)算得到測試裝置的電容為CZ = C3 －C1。

（4）介質(zhì)損耗因數(shù)的測試

a. 重新把測試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測試回路的“電容”兩個端上。

把被測樣品插入二極片之間，改變Q表上的主調(diào)電容容量，使Q表處于諧振點(diǎn)上。然后按一次 Q表上的小數(shù)點(diǎn)（tgδ）鍵，在顯示屏上原電感顯示位置上將顯示C0= x x x，此時可輸入分布電容值。分布電容值為機(jī)構(gòu)電容CZ和電感分布電容C0（參考電感的技術(shù)說明）的和。分布電容值輸入的有效位為3位，0.1pF至99.9 pF，輸入時不需輸入小數(shù)點(diǎn)，只需輸入3位有效數(shù)。例0.1pF，只需輸入

001；99.9pF，只需輸入999。同時，顯示屏上原C和Q顯示變化為C2和Q2。它表示的是現(xiàn)在的主調(diào)電容容量和回路Q值。

b．取出平板電容器中的樣品，（保持平板電容器間的間距不變）這時Q表又失諧，再改變Q表上的主調(diào)電容容量，使Q表重新處于諧振點(diǎn)上。

c. 第二次按下 Q表上的小數(shù)點(diǎn)（tgδ）鍵，顯示屏上原C2和Q2顯示變化為C1和Q1，同時顯示出所測試的絕緣材料樣品的介質(zhì)損耗因數(shù)tn =．x x x x x ，完成測試后。第三次按下 Q表上的小數(shù)點(diǎn)（tgδ）鍵，既退出介質(zhì)損耗系數(shù)的測試。