產(chǎn)品名稱：LJD型絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀

產(chǎn)品型號：LJD-B、LJD-C、QS-37

符合標準：GB/T1409、GB/T5594

產(chǎn)品用途：固體、液體絕緣材料的介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試

適用材料：橡膠塑料薄膜、陶瓷玻璃、絕緣材料、高分子材料等

測試范圍：10KHZ-70MHZ、100KHZ-160MHZ

主要配置：主機Q表、夾具、電感組成

測試項目：介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、介質(zhì)損耗因數(shù)、介質(zhì)損耗角正切值

使用人群：科研所、教學、質(zhì)量、單位等

付款方式：全款發(fā)貨

產(chǎn)品品牌：縱橫金鼎

產(chǎn)品貨期：1-3個工作日

產(chǎn)品類別：電性能檢測儀器

一、LJD型絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀概述：

LJD-C型介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀作為新一代的通用、多用途、多量程的阻抗測試儀器，測試頻率上限達到目前高的160MHz.LJD-C介電常數(shù)測試儀采用了多項技術(shù)：

雙掃描技術(shù) - 測試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動調(diào)諧搜索功能。

雙測試要素輸入 - 測試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過數(shù)字按鍵輸入。

雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。

自動化測量技術(shù) -對測試件實施 Q 值、諧振點頻率和電容的自動測量。

全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。

DDS 數(shù)字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。

計算機自動修正技術(shù)和測試回路優(yōu)化 —使測試回路 殘余電感減至 ，* Q 讀數(shù)值在不同頻率時要加以修正的困惑。

LJD-C介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀的創(chuàng)新設(shè)計，無疑為高頻元器件的阻抗測量提供了*的解決方案，它給從事高頻電子設(shè)計的工程師、科研人員、高校實驗室和電子制造業(yè)提供了更為方便的檢測工具，測量值更為精確，測量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點調(diào)諧電容值下檢測器件的品質(zhì)，無須關(guān)注量程和換算單位。

二、主要技術(shù)特性：

Q 值測量范圍:       2 ～ 1023,量程分檔：30100﹑300﹑1000，自動換檔或手動換檔

固有誤差:≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）,≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）

工作誤差:≤7％ ± 滿度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）,≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）

電感測量范圍:       4.5nH ～ 140mH

電容直接測量范圍:   1 ～ 200pF

主電容調(diào)節(jié)范圍:     18 ～ 220pF

主電容調(diào)節(jié)準確度:   100pF 以下 ± 1pF;100pF 以上 ± 1 ％

信號源頻率覆蓋范圍:  100kHz ～ 160MHz

頻率分段 （ 虛擬 ）: 100 ～ 999.999kHz, 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz,100 ～ 160MHz

頻率指示誤差        :3 × 10 -5 ± 1 個字

三、夾具工作特性

1.平板電容器：

極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選

極片間距可調(diào)范圍：≥15mm

2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm

3. 夾具損耗正切值≤4×10－4 （1MHz）

4．測微桿分辨率：0.001mm

四、配置：

主機一臺

電感九支

夾具一套

隨機文件一套

一、概述

LJD-B/LJD-C介電常數(shù)測試儀主要區(qū)別

    LJD-B/LJD-C介電常數(shù)測試儀能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介電常數(shù)和介質(zhì)損耗因數(shù)，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機關(guān)、學校、工廠等單位。

LJD-B/LJD-C介電常數(shù)測試儀是北京縱橫金鼎儀器設(shè)備有限公司新研制的產(chǎn)品，它以DDS數(shù)字直接合成方式產(chǎn)生信號源，頻率達

70MHz/160MHz，信號源具有信號失真小、頻率精確、信號幅度穩(wěn)定的優(yōu)點，更保證了測量精度的精確性。LJD-B主電容調(diào)節(jié)用傳感器感應(yīng)，電容讀數(shù)精確,且頻率值可設(shè)置。LJD-C主電容調(diào)節(jié)用步進馬達控制，電容讀數(shù)更加精確,頻率值和電容值均可設(shè)置。LJD-B/LJD-C電容、電感、Q值、頻率、量程都用數(shù)字顯示，在某一頻率下，只要能找到諧振點，都能直接讀出電感、電容值，大大擴展了電感和電容的測量范圍，而不再是固定的幾個頻率下才能測出電感值的大小。LJD-B/LJD-C*的諧振點頻率自動搜索或LJD-C*的電容自動搜索功能，能幫助你在使用時快速地找到被測量器件的諧振點，自動讀出Q值和其它參數(shù)。Q值量程可手動或自動轉(zhuǎn)換。

ASTM D150-11

實心電絕緣材料的交流損耗特性和

電容率（介電常數(shù)）的標準試驗方法¹

本標準是以固定代號D150發(fā)布的。其后的數(shù)字表示原文本正式通過的年號；在有修訂的情況下，為上一次的修訂年號；圓括號中數(shù)字為上一次重新確認的年號。上標符號（ε）表示對上次修改或重新確定的版本有編輯上的修改。
　　　　本標準經(jīng)批準用于所有機構(gòu)。
1.介電常數(shù)測試儀范圍
1.1 本試驗方法包含當所用標準為集成阻抗時，實心電絕緣材料樣本的相對電容率，耗散因子，損耗指數(shù)，功率因子，相位角和損耗角的測定。列出的頻率范圍從小于1Hz到幾百兆赫茲。

注1：在普遍的用法，“相對”一詞經(jīng)常是指下降值。

1.2 這些試驗方法提供了各種電極，裝置和測量技術(shù)的通用信息。讀者如對某一特定材料相關(guān)的議題感興趣的話，必須查閱ASTM標準或直接適用于被測試材料的其它文件。^2,3

1.3　　本標準并沒有*列舉所有的安全聲明，如果有必要，根據(jù)實際使用情況進行斟酌。使用本規(guī)范前，使用者有責任制定符合安全和健康要求的條例和規(guī)范，并明確該規(guī)范的使用范圍。特殊危險說明見7.2.6.1和10.2.1。

¹　本規(guī)范歸屬于電學和電子絕緣材料ASTM D09委員會管轄，并由電學試驗D09.12附屬委員分會直接管理。

當前版本核準于2011年8月1日。2011年8月發(fā)行。原版本在1922年批準。前一較新版本于2004年批準，即為　D150-98R04。DOI：10.1520/D0150-11。

²　R. Bartnikas, 第2章, “交流電損耗和電容率測量,” 工程電介質(zhì), Vol. IIB, 實心絕緣材料的電學性能, 測量技術(shù), R. Bartnikas, Editor, STP 926,ASTM, Philadelphia, 1987.

³　R. Bartnikas, 第1章, “固體電介質(zhì)損耗,” 工程電介質(zhì),Vol IIA, 實心絕緣材料的電學性能: 分子結(jié)構(gòu)和電學行為, R. Bartnikas and R. M. Eichorn, Editors, STP 783, ASTM, Philadelphia, 1983.

2.介電常數(shù)測試儀引用文件
2.1 ASTM標準：⁴

D374 　　　　固體電絕緣材料厚度的標準試驗方法

D618 　　　　試驗用塑料調(diào)節(jié)規(guī)程

D1082 　　　云母耗散因子和電容率（介電常數(shù)）試驗方法

D1531 　　　用液體位移法測定相對電容率（介電常數(shù)）與耗散因子的試驗方法

D1711 　　　電絕緣相關(guān)術(shù)語

D5032 　　　用飽和甘油溶液方式維持恒定相對濕度的規(guī)程

E104 　　　　用水溶液保持相對恒定濕度的標準實施規(guī)程

E197 　　　　室溫之上和之下試驗用罩殼和服役元件規(guī)程（1981年取消）⁵

3.介電常數(shù)測試儀術(shù)語

3.1 定義：

3.1.1 這些試驗方法所用術(shù)語定義以及電絕緣材料相關(guān)術(shù)語定義見術(shù)語標準D1711。

3.2 本標準術(shù)語定義：

3.2.1 電容，C，名詞——當導體之間存在電勢差時，導體和電介質(zhì)系統(tǒng)允許儲存電分離電荷的性能。

3.2.1.1 討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當電量采用庫倫為單位，電位采用伏特為單位時，電容單位為法拉，即：

C=q/V 　　　　　　　　　　（1）

3.2.2 耗散因子（D），（損耗角正切），（tanδ），名詞——是指損耗指數(shù)（K''）與相對電容率（K'）之間的比值，它還等于其損耗角（δ）的正切值或者其相位角（θ）的余切值（見圖1和圖2）。

D=K''/K' 　　　　(2)

⁴　相關(guān)ASTM標準，可瀏覽ASTM網(wǎng)站，.astm.org或與ASTM客服service聯(lián)系。ASTM標準手冊卷次信息，可參見ASTM網(wǎng)站標準文件匯總。

⁵　該歷史標準的較后批準版本參考網(wǎng)站astm.org。

3.2.2.1 討論——a：

D=tanδ=cotθ=X_p/R_p=G/ωC_p=1/ωC_pR_p　　　　　　　　(3)

式中：

G=等效交流電導，

X_p=并聯(lián)電抗，

R_p=等效交流并聯(lián)電阻，

C_p=并聯(lián)電容，

ω=2πf（假設(shè)為正弦波形狀）

耗散因子的倒數(shù)為品質(zhì)因子Q，有時成為儲能因子。對于串聯(lián)和并聯(lián)模型，電容器耗散因子D都是相同的，按如下表示為：

D=ωR_sC_s=1/ωR_pC_p　　　　　　　　(4)

串聯(lián)和并聯(lián)部分之間的關(guān)系滿足以下要求：

C_p=C_s/(1 D²) 　　　　　　　　　　　　(5)

R_p/R_s=(1 D²)/D²=1 (1/D²)=1 Q²　　　　　　　　　　　　　(6)

4、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動測量控件（裝入AS2853A)，實現(xiàn)了數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)分析和計算的微處理化，tanδ 測量結(jié)果的獲得無須繁瑣的人工處理，因而提高了數(shù)據(jù)的精確度和測量的同一性，是人工讀值和人工計算*的。

三、主要技術(shù)特性及配置

主要配置