NP1216DR-G
NP1216DR-G
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12V P溝道增強型MOSFET描述NP1216DR采用*的trench技術提供出色的RDS(上)一般特征、低柵極電荷和以低至1.8V的柵極電壓工作。這器件適合用作負載開關或用于PWM應用程序。? VDS =-12V,IDR =-16ADS(開)(典型值。)= 18mω@ VGSR =-2.5VDS(開)(典型值。)= 13mω@ VGS?高功率和電流處理能力=-4.5V收購?無鉛產(chǎn)品?表面貼裝封裝應用? PWM應用?負荷開關包裹?東風2*2-6L-B
主營產(chǎn)品:電源管理IC(LDO、DC-DC、充電IC、復位/檢測IC、驅(qū)動IC、音頻功放、霍爾開關、馬達驅(qū)動等)和MOS(低壓MOS、中壓MOS、大電流MOS)