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PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱武漢普賽斯儀表有限公司
  • 品       牌
  • 型       號
  • 所  在  地
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時間2022/7/5 16:47:56
  • 訪問次數(shù)243
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普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺式數(shù)字源表、卡式源表、窄脈沖電流源、VCSEL測試系統(tǒng)等,*國產(chǎn)空白。主要應用于半導體器件的測試工藝,為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定解決方案。為半導體封測廠家提供相關(guān)測試儀表、測試平臺,以及相關(guān)技術(shù)服務,滿足行業(yè)對測試效率、測試精度,以及低成本的挑戰(zhàn)。

武漢普賽斯將以服務客戶為中心,追求可持續(xù)發(fā)展,精益求精,堅持不懈,努力將自身打造成。

普賽斯儀表www.whpssins.com

武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司是一家高科技企業(yè),專業(yè)研究和開發(fā)光通信器件產(chǎn)線監(jiān)測和測試方案和自動化測試設(shè)備。產(chǎn)品覆蓋CHIP、BAR、TO、OSA等器件、光收發(fā)模塊、BOB等生產(chǎn)線。客戶包括:華為、海思、中興、光迅、海信、正源光子、旭創(chuàng)等,公司旨在為光電器件生產(chǎn)企業(yè)提供完美的服務,針對產(chǎn)線生產(chǎn)的痛點問題,模擬現(xiàn)實應用環(huán)境,進行半導體光器件性能指標生產(chǎn)監(jiān)測和測試,實現(xiàn)產(chǎn)品生產(chǎn)過程實時可監(jiān)控、可追溯。具有綜合性、完備性、穩(wěn)定性、半自動化或自動化等特點,從而提高用戶產(chǎn)線產(chǎn)品的生產(chǎn)效率、可靠性、穩(wěn)定性、一致性。

源表,數(shù)字源表,源測單元,SMU,脈沖電流源,VCSEL測試儀器,
功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體,可精準測量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達3KV,電流可高達4KA
PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

       功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體,可精準測量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級電阻,p電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容,輸出電容、反向傳輸電容等。

       普賽斯以自主研發(fā)為導向,深耕半導體測試領(lǐng)域,在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗,先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設(shè)備,廣泛應用于高校研究所、實驗室,新能源,光伏,風電,軌交,變頻器等場景。

4.jpg

功率器件:

?二極管

?三極管

?MOS管

?IGBT

?SIC

?GaN


?高電壓:支持高達3KV高電壓測試;

?大電流:支持高達4KA大電流測試;

?高精度:支持uΩ級電阻、p電流、uV級精準測量;

?豐富模板:內(nèi)置豐富的測試模板,方便用戶快速配置測試參數(shù);

?配置導出:支持一鍵導出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能;

?數(shù)據(jù)預覽及導出:支持圖形界面以及表格展示測試結(jié)果,亦可一鍵導出;

?模塊化設(shè)計:內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計,可自由配置,方便維護;

?可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度;

?可定制開發(fā):可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā);









PMST系統(tǒng)配置

關(guān)鍵參數(shù)

備注

P系列
脈沖源表

PW高達30V/10A、300V/1A

柵極特性測試

CW高達300V/0.1A、30V/1A

最小脈沖寬度200uS

HCP系列
大電流脈沖源表

PW高達30V/100A

IGBT導通壓降、二極管瞬時前向電壓測試

CW高達10V/30A

最小分辨率30uV/10pA

最小脈沖寬度80uS

HCPL系列
高電流脈沖電流源

單臺PW高達12V/1000A,可多臺并聯(lián)

最小脈沖寬度50uS

E系列
高電壓源測單元

CW高達3000V/100mA

IGBT擊穿電壓測試

最小分辨率10mV/100pA

測量精度 0.1%

電橋

頻率范圍:20Hz~1MHz

IGBT各級間電容測試

HVP系列提供0~400V直流偏置電壓

S系列提供0~30V直流偏置電壓

預置偏置電阻100kΩ

矩陣開關(guān)

/

電路切換及源表切換

主機

/


測試夾具

根據(jù)器件封裝形式定制



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