拔插式四探針頭技術指標
1、 游移率
B級…………… <0.5%
*……………<0.3%
*……………<0.3%
A*………… <0.2%
2、 間距偏差
2、 間距偏差
B級…………… <3%
*…………… <2%
A*………… <2%
3、 zui大針與導孔間隙:0.006mm
4、 探針材料:進口硬質合金或高速鋼
5、 探針壓力 標準壓力:4—10N(4根針總壓力)
1牛頓(N)=101.97克
6、 針尖壓痕直徑:25—100μm、100—250μm(簿層)
7、 500V絕緣電阻:>1000MΩ
*…………… <2%
A*………… <2%
3、 zui大針與導孔間隙:0.006mm
4、 探針材料:進口硬質合金或高速鋼
5、 探針壓力 標準壓力:4—10N(4根針總壓力)
1牛頓(N)=101.97克
6、 針尖壓痕直徑:25—100μm、100—250μm(簿層)
7、 500V絕緣電阻:>1000MΩ
拔插式四探針頭適用范圍:
1、 測量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率,測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻。
2、 測量導電玻璃(ITO)和其它導電薄膜的方塊電阻。
1、 測量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率,測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻。
2、 測量導電玻璃(ITO)和其它導電薄膜的方塊電阻。