設(shè)備簡介
PS-200單靶磁控濺射鍍膜機(jī)主要由真空室、磁控靶、旋轉(zhuǎn)基片架、真空系統(tǒng)、機(jī)架、電器控制等幾大部分組成??捎脕碇苽鋵?dǎo)電膜、金屬膜、介質(zhì)膜、半導(dǎo)體膜、絕緣膜、多層膜等。設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊,占地面積小適合高校實驗室及科研院所。
環(huán)境要求
供電:AC220V,功率≥20KVA
獨立地線:<3Ω,從設(shè)備到地線連接建議采用≥10mm2 的扁平銅線
供水:流量≥10L/min 水溫0~25℃
室溫:<30℃
相對濕度:<75%
高純氬氣
室內(nèi)無腐蝕易燃、易爆、有毒氣體,無大的塵埃。
技術(shù)參數(shù)
真空室尺寸(內(nèi)徑X高) | Ф200×200mm |
極限真空 | 2X10-4 Pa |
恢復(fù)工作真空 | 從大氣抽至8X10-4 Pa,≤40min |
工作真空 | ≤6X10-1Pa |
升壓率 | ≤8X10-1Pa/h |
基片架旋轉(zhuǎn)速度 | 2~20rpm可調(diào) |
靶-片距 | 80~120mm |
真空系統(tǒng) | 分子泵:FF63/80 型 62 L/S |
機(jī)械泵:TRP-12型 3L/S | |
總功率 | 20KVA |
設(shè)備占地尺寸 | 800X800 |