CK500高真空多靶磁控濺射鍍膜機(jī)主要由鍍膜腔室(φ500×H430mm),永磁圓形平面靶,真空系統(tǒng),旋轉(zhuǎn)加熱基片臺(tái),氣路系統(tǒng),電氣控制及報(bào)警保護(hù)系統(tǒng)等組成。
設(shè)備特點(diǎn)及主要用途
CK500高真空多靶磁控濺射鍍膜機(jī)主要由真空專用不銹鋼腔室、四只3英寸圓形平面磁控靶;直流、射頻濺射電源各一臺(tái)。機(jī)械泵+分子泵高真空系統(tǒng)、旋轉(zhuǎn)、加熱基片臺(tái)(室溫至300±1℃可調(diào)可控)、機(jī)架、氣路、水路、邏輯按鈕控制及安全保護(hù)等組成。該設(shè)備選配電源可具備四靶共濺射功能,實(shí)現(xiàn)一機(jī)多用,可開發(fā)納米級(jí)單層或多層的導(dǎo)電膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、絕緣膜等。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、占地小、操作方便、抽真空速度快。
技術(shù)參數(shù)
真空腔室 | φ500×H430mm |
真空系統(tǒng) | 復(fù)合分子泵+直聯(lián)旋片泵,氣動(dòng)真空閥門 |
真空極限 | 優(yōu)于8.0×10-5Pa |
抽速 | 從大氣抽至6.0×10-3Pa≤15min |
基片臺(tái) | 基片臺(tái)尺寸:φ150mm |
基片加熱與旋轉(zhuǎn) | 襯底加熱:室溫~300℃,自動(dòng)測(cè)溫,PID控溫;基片旋轉(zhuǎn):0-50轉(zhuǎn)/分鐘,可調(diào)可控 |
濺射靶規(guī)格 | 3英寸,四只 |
膜厚不均勻性 | ≤±5% |
控制方式 | 手動(dòng)按鈕控制;(自動(dòng)控制可選) |
報(bào)警及保護(hù) | 缺水報(bào)警,強(qiáng)制水冷,過流過壓等異常情況自動(dòng)執(zhí)行保護(hù)功能 |
占地面積 | 長(zhǎng)×寬: 1700×1600mm |