「設備用途」
采用物理冶金提純法,主要用于冶金級工業(yè)硅粉的提純,用以制備太陽能級多晶硅原材料。
產(chǎn)品型號 | VEBZ-2 | |
主真空室 | 臥式圓筒型真空室,尺寸φ1000×2000mm,雙層水冷。 | |
主真空室真空獲得系統(tǒng) | 擴散泵,羅茨泵,機械泵,高真空氣動擋板閥。 | |
極限真空度 | 6.6×10-3Pa(冷態(tài)),漏率:≤1×10-7Pa.L/s;壓升率:1.33Pa./h。 | |
雙槍電子束系統(tǒng) | 電子槍漏率:≤1×10-7Pa.L/s;工作真空度6.6×10-1Pa-6.6×10-3Pa.(用戶可自己提供)。 | |
加料系統(tǒng) | 加料倉設有電動給料裝置,硅料塊直徑不大于30mm,加料倉下面設有電動進料裝置,每次加料量為2kg硅料。加料倉和進料機構(gòu)之間設有電動閘板閥,采用獨立真空獲得系統(tǒng)。 | |
澆鑄系統(tǒng) | 設有一套翻轉(zhuǎn)同軸電極。 | |
出料系統(tǒng) | 出料倉尺寸 | 立式U型:φ600×1000,雙層水冷,獨立真空獲得系統(tǒng)。 |
料框升降機構(gòu) | 液壓升降機構(gòu)。 | |
水冷銅結(jié)晶器 | 內(nèi)部尺寸:φ300×800。 |