牛津離子束刻蝕機Ionfab 300 IBE
離子束刻蝕的靈活性、均勻性俱佳且應用范圍廣。我們的設備具有靈活的硬件選項,包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對盒式模式。系統(tǒng)配置與實際應用緊密協(xié)調,以確保獲得速率更快且重復性更好的工藝結果。
。多模式功能
。能夠與其它等離子體刻蝕和沉積設備相集成
。單晶圓傳送模式或集群式晶圓操作
。雙束流配置
。更低的表面薄膜粗糙度
。更佳的批次均勻性和工藝重復性
。準確終點監(jiān)測 —— SIMS,發(fā)射光
產(chǎn)品特點:
· 質量薄膜高 ——超低污染
· 產(chǎn)量高,緊湊的系統(tǒng)體積設計 ——運行成本低
· 已獲得的高速襯底架(高達1000RPM)設計,并配備了白光光學監(jiān)視器(WLOM)——更為準確的實時光學薄膜控制
· 配置靈活 ——適于*的研究應用
· 靈活的晶圓操作方式 —— 直開式、單晶圓傳送模式或者帶機械手臂的盒對盒模式
應用:
· 磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)
· 介電薄膜
· III-V族光電子材料刻蝕
· 自旋電子學
· 金屬電極和軌道
· 超導體
· 激光端面鍍膜
· 高反射(HR)膜
· 防反射(AR)膜
· 環(huán)形激光陀螺反射鏡
· X射線光學系統(tǒng)
· 紅外(IR)傳感器
· II-VI族材料
· 通信濾波器