IDT晶振,石英晶體振蕩器,8N3D085晶振,Integrated Device Technology, Inc.(以下簡稱IDT晶振集團),成立于1980年公司發(fā)展在各地均設(shè)有分公司,人員大概在2000左右,總部位于加州圣何塞市主要開發(fā)優(yōu)化客戶應(yīng)用的系統(tǒng)級解決方案.
IDT晶振集團開發(fā)了能夠與處理器,存儲器等數(shù)字系統(tǒng),其他半導(dǎo)體以及物理世界連接的半導(dǎo)體解決方案.IDT認(rèn)為作為一名者努力解決我們環(huán)境所面臨的挑戰(zhàn)以及社會需求是我們義不容辭的責(zé)任.IDT晶振作為較為出色的國際企業(yè),致力于研發(fā)生產(chǎn)銷售晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,溫補晶振,石英晶體振蕩器等水晶元件.不斷提高生產(chǎn)技術(shù)以及開發(fā)更多高精密石英晶體元器件.IDT 的集成電路被的通信、計算和消費產(chǎn)業(yè)廣泛采用,在各地設(shè)有研發(fā)生產(chǎn)以及運營銷售基地.有源晶振,可編程晶體振蕩器,8N3D085晶振
項目 | 符號 | 8N3D085晶振規(guī)格說明 | 條件 |
輸出頻率范圍 | f0 | 15.476MHz to 1300MHz | 請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
電源電壓 | VCC | 2.5V to 3.3 V | 請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
儲存溫度 | T_stg | -55℃ to +125℃ | 裸存 |
工作溫度 | T_use | G: -40℃ to +85℃ | 請聯(lián)系我們查看更多資料 |
H: -40℃ to +105℃ | |||
J: -40℃ to +125℃ | |||
頻率穩(wěn)定度 | f_tol | J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 | |||
T: ±150 × 10-6 | |||
功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 無負(fù)載條件、工作頻率 |
待機電流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND |
占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 | VOH | VCC-0.4V Min. |
|
VOL | 0.4 V Max. |
| |
輸出負(fù)載條件 | L_CMOS | 15 pF Max. |
|
輸入電壓 | VIH | 80% VCC Max. | ST 終端 |
VIL | 20 % VCC Max. | ||
上升/下降時間 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % |
頻率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. | +25 ℃, 初年度,年 |
晶振使用注意事項
(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨立于石英晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶振時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏.正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容).
(2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。有源晶振,可編程晶體振蕩器,8N3D085晶振
IDT 晶振集團采用系統(tǒng)的方法來解決其產(chǎn)品的環(huán)境影響 有源晶振,可編程晶體振蕩器,8N3D085晶振
開發(fā)和銷售擁有利的環(huán)境特性同時又滿足可能功效標(biāo)準(zhǔn)的石英晶振,貼片晶振
采用對環(huán)境盡可能健康的生產(chǎn)工藝
在晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器開發(fā)和制造過程中使用對環(huán)境健康的、可回收利用的材料
為開發(fā)高效的、對環(huán)境影響最小的運輸系統(tǒng)而工作
無論公司在世界何處,其經(jīng)營都應(yīng)保證生產(chǎn)過程和產(chǎn)品符合同等的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)
確保業(yè)務(wù)合作伙伴對環(huán)境問題同等關(guān)注
從事并參與環(huán)境領(lǐng)域的研究和開發(fā)活動
以公開和客觀的方式提供有關(guān)其環(huán)境影響的信息
IDT 晶振集團將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動的質(zhì)量.
集團公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的*的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).
IDT 晶振集團將在各領(lǐng)域內(nèi)的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器商務(wù)運作中實施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等.
IDT晶振集團盡可能的采用無害的石英晶振,貼片晶振,壓電石英晶體原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物.集團公司同時將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用.
IDT 晶振環(huán)境影響的最小化:遵照社會的期望,改進(jìn)我們的環(huán)境行為,我們將通過有效利用森林、能源以及其它資源,減少各種形式的廢物來實現(xiàn)這一承諾.
環(huán)境管理體系:在每一個運行部門,實施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財力保障.每年我們都將建立可測量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)的目標(biāo)和指標(biāo).