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ICP-RIE 等離子體刻蝕機(jī)

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  • 公司名稱重慶眺望科技有限公司
  • 品       牌
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  • 所  在  地
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時(shí)間2023/1/26 9:52:04
  • 訪問次數(shù)636
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眺望科技專注光電科技、半導(dǎo)體以及新能源行業(yè)。眺望科技自2005年成立以來, - -直致力于為客戶提供高品質(zhì)產(chǎn)品與服務(wù)。目前,眺望科技與多個(gè)國(guó)際品牌-直保持著長(zhǎng)期合作關(guān)系,主要包括美國(guó)AJA磁控濺射、離子刻蝕、電子束蒸發(fā)等PVD設(shè)備,美國(guó)AYMONT碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)工藝及設(shè)備,美國(guó)Digital Matrix*電鍍?cè)O(shè)備,德國(guó)SENTECH等離子體工藝設(shè)備等,美國(guó)Film Sense多波長(zhǎng)橢偏儀,德國(guó)ATL激光器以及徠卡LEICA光學(xué)顯微鏡等產(chǎn)品。行業(yè)應(yīng)用覆蓋半導(dǎo)體、真空鍍膜、光電科技以及材料分析等領(lǐng)域,服務(wù)范圍。眺望科技作為國(guó)際品牌代理商,依托良好的產(chǎn)品平臺(tái)和專業(yè)務(wù)實(shí)的服務(wù)團(tuán)隊(duì),目前在國(guó)內(nèi)北京、上海、 成都、重慶等城市分別設(shè)立辦事處,與國(guó)內(nèi)科研院和企事業(yè)單位也建立了良好的合作關(guān)系。我們期待能為您提供更多更專業(yè)的行業(yè)解決方案。
ICP-RIESI500納米結(jié)構(gòu)低損傷刻蝕由于等離子的能量分布低,從而能實(shí)現(xiàn)低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)刻蝕
ICP-RIE 等離子體刻蝕機(jī) 產(chǎn)品信息

ICP-RIE SI 500

 

納米結(jié)構(gòu)低損傷刻蝕 

由于等離子的能量分布低,從而能實(shí)現(xiàn)低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)刻蝕。 

簡(jiǎn)單高速率刻蝕 

MEMS制造工藝中,Si材料光滑側(cè)壁的高速高選擇比刻蝕,可以很容易的通過室溫或低溫工藝實(shí)現(xiàn)。 

內(nèi)置ICP等離子源 

平板三螺旋天線(PTSA)等離子源是SENTECH的等離子工藝系統(tǒng)。PTSA能產(chǎn)生高密度低能量分布的等離子體。

在多種材料刻蝕工藝中都能實(shí)現(xiàn)高效率耦合及穩(wěn)定起輝 。

動(dòng)態(tài)溫控 

襯底溫度設(shè)定和工藝過程中的穩(wěn)定性是影響刻蝕工藝質(zhì)量的重要因素。ICP襯底電極結(jié)合背面氦氣冷卻和溫度傳感器進(jìn)行動(dòng)態(tài)溫控,工藝溫度范圍為-150 °C 至 +400 °C。 

 

SENTECH面向高靈活性和高產(chǎn)能的刻蝕和沉積系統(tǒng)提供各種級(jí)別的自動(dòng)化裝置,從預(yù)真空系統(tǒng)到6端口的多工藝腔室裝置。SI500可以作為多腔室工藝模塊。

 


 

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SI 500 

ICP等離子刻蝕機(jī)

真空樣品室/load-lock

裝載200mm晶圓

樣品溫度 -20 °C ~ 300 °C 

 

 

 

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SI 500C 

低溫ICP等離子刻蝕機(jī)

配置傳送腔和真空樣品室

樣品溫度 -150 °C ~ 400 °C 

 

 

 

 

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SI 500-RIE 

RIE等離子刻蝕機(jī)

智能氦氣背部冷卻刻蝕

電容耦合等離子源

可升級(jí)到ICP等離子源PTSA200

 

 

 

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SI 500-300 

ICP等離子刻蝕機(jī)

真空樣品室/load-lock

裝載300mm晶圓

 

 

 

 

 

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