主要技術(shù)指標(biāo):
特點(diǎn):
控制單元采用16位微處理芯片,使計(jì)算機(jī)速度更快實(shí)時(shí)性好。實(shí)現(xiàn)了數(shù)字化溫度控制調(diào)節(jié),可任意設(shè)定起始溫度,可選擇不同的線性升溫速度。通過數(shù)字濾波技術(shù)增強(qiáng)了抗干擾性??梢宰詣?dòng)記錄初熔、終熔溫度。
主要技術(shù)參數(shù):
熔點(diǎn)測(cè)量范圍:室溫至320°C
最小讀數(shù)值:0.1°C
測(cè)量重復(fù)性:<200°C時(shí):±1°C
200°C-300°C時(shí): ±2°C
線性升溫速度:1, 2, 2.5, 2.8, 3(°C/min)
顯微鏡:4倍物鏡,10倍物鏡
儀器重量:4kg
儀器尺寸:215×170×410(mm)
加攝像模塊測(cè)試效果圖: