服務內容
廣電計量的DB-FIB均配備了納米機械手,氣體注入系統(tǒng)(GIS)和能譜EDX,能夠滿足各種基本和高階的半導體失效分析需求。還將持續(xù)不斷地投入先進電子顯微分析設備,不斷提升和擴充半導體失效分析相關能力,為客戶提供細致且全面深入的失效分析解決方案。廣電計量能提供一站式雙束掃描電子顯微鏡檢測,材料微觀分析服務
服務范圍
目前DB-FIB被廣泛應用于陶瓷材料、高分子、金屬材料、生物、半導體、地質學等領域的研究和相關產品檢測。
檢測標準
廣電計量雙束掃描電子顯微鏡檢測,材料微觀分析服務執(zhí)行:國家標準(GB/T)、國家汽車行業(yè)標準(QC/T)、國際標準(ISO)、以及國內外各大汽車主機廠標準。
測試項目
1、定點截面加工
2、TEM樣品成像分析
3、選擇性刻蝕或增強刻蝕檢驗
4、金屬材料沉積和絕緣層沉積測試
檢測資質
CNAS、CMA
檢測周期
常規(guī)5-7個工作日
服務背景
著半導體電子器件及集成電路技術的飛速發(fā)展,器件及電路結構越來越復雜,這對微電子芯片工藝診斷、失效分析、微納加工的要求也越來越高。FIB雙束掃描電鏡所具備的強大的精細加工和微觀分析功能,使其廣泛應用于微電子設計和制造領域。
FIB雙束掃描電鏡是指同時具有聚焦離子束(FocusedIonBeam,F(xiàn)IB)和掃描電子顯微鏡(ScanningElectronMicroscope,SEM)功能的儀器。它可以實現(xiàn)SEM實時觀測FIB微加工過程的功能,把電子束高空間分辨率和離子束精細加工的優(yōu)勢集于一身。其中,F(xiàn)IB是將液態(tài)金屬離子源產生的離子束經過加速,再聚焦于樣品表面產生二次電子信號形成電子像,或強電流離子束對樣品表面刻蝕,進行微納形貌加工,通常是結合物理濺射和化學氣體反應,有選擇性的刻蝕或者沉積金屬和絕緣層。
我們的優(yōu)勢
廣電計量聚焦集成電路失效分析技術,擁有業(yè)界專家團隊及目前市場上先進的Ga-FIB系列設備,可為客戶提供完整的失效分析檢測服務,幫助制造商快速準確地定位失效,找到失效根源。同時,我們可針對客?的研發(fā)需求,提供不同應?下的失效分析咨詢、協(xié)助客戶開展實驗規(guī)劃、以及分析測試服務,如配合客戶開展NPI階段驗證,在量產階段(MP)協(xié)助客戶完成批次性失效分析。