產品簡介:用于制備超導薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬薄膜等。廣泛應用于大專院校、科研院所進行薄膜材料的科研與小批量制備。與同類設備相比,其不僅應用廣泛,且具有體積小便于操作及清理方便的優(yōu)點,還具有蒸鍍速率快,電子束定位準確能量密度高,可以避免坩堝材料的污染等特點。
產品型號 | GSL-ZDDZS-500電子束蒸鍍 | ||
安裝條件 | 本設備要求在海拔1000m以下,溫度25℃±15℃,濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水:設備配有自循環(huán)冷卻水機,水溫小于25℃,水壓0.25-0.4Mpa,流量高于12 l/min(加注純凈水或者去離子水); 2、電:AC380V 50Hz,功率大于10KW,波動范圍:小于±6%,必須有良好接地(對地電阻小于2Ω); 3、氣:設備腔室內需充注氮/氬氣(純度99.99%以上),需自備氮/氬氣氣瓶(自帶Ø10mm雙卡套接頭)及減壓閥 4、場地面積:設備尺寸2000mm×2000mm,承重1000kg以上 5、通風裝置:需要(外排廢氣管道); | ||
主要特點 | 1、由于電子束定位準確能量很高,可蒸發(fā)難熔金屬或化合物,蒸發(fā)速率快; 2、體積小,操作簡便可以非常容易的放置材料和清理; 3、蒸發(fā)材料放置在水冷銅坩堝中,可避免坩堝材料的污染,制備高純薄膜; 4、由于蒸發(fā)物面積小,因而熱輻射損失小,熱效率高; | ||
技術參數(shù) | 1、極限真空度:≤6.67x10-5 Pa (經烘烤除氣后); 2、系統(tǒng)真空檢漏漏率:≤5.0x10-7 Pa.l/S; 3、系統(tǒng)短時間暴露大氣并充干燥氮氣后,再開始抽氣,45分鐘可達到6.6x10-4 Pa; | ||
基片參數(shù) | 1、基片尺寸:可放置φ4″基片(帶手動擋板); 2、基片加熱溫度 800℃±1℃,由熱電偶閉環(huán)反饋控制; 3、基片可連續(xù)回轉,轉速5~60轉/分; 4、基片與蒸發(fā)源之間距離300~350mm可調; | ||
電子束蒸發(fā)源參數(shù) | 1、E型電子槍,陽極電壓6KV、8KV; | ||
真空腔體 | 1、U型真空室尺寸Ф500X600mm,選用優(yōu)質不銹鋼材料制造,氬弧焊接,表面進行特殊工藝拋光處理,接口采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封; 2、真空腔體前開門鉸鏈結構,方便取、放樣品; 3、前開門設有兩個觀察窗接口,可以觀察電子槍和基片; 4、設備預留膜厚儀接口,可選配膜厚儀; 5、高真空分子泵機組,閘板閥隔斷(也可使用高真空擋板閥); | ||
產品規(guī)格 | 整機尺寸:1800mm×1200mm×2000mm; | ||
標準配件 | 1 | 電源控制系統(tǒng) | 1套 |
2 | 真空獲得機組 | 1套 | |
3 | 真空測量 | 1套 | |
4 | 電子槍 | 1套 |