產(chǎn)品簡介:單室等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是一種用等離子體激活反應(yīng)氣體,促進(jìn)在基體表面或近表面空間進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),生成固態(tài)膜的技術(shù)。等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)的基本原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體電離形成等離子體,利用低溫等離子體作為能量源,通入適量的反應(yīng)氣體,利用等離子體放電,使反應(yīng)氣體激活并實現(xiàn)化學(xué)氣相沉積的技術(shù)。該系統(tǒng)為單室等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝研發(fā)設(shè)備,用于生長納米線或用CVD,方法來制作各種薄膜是一款新的探索工具。
產(chǎn)品名稱 | 單室等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD) |
安裝條件 | 1、環(huán)境溫度:10℃~35℃ 2、相對濕度:不大于75% 3、供電電源:220V、單相、50±0.5 Hz 4、設(shè)備功率:小于4KW 5、供水:水壓0.2MPa~0.4MPa,水溫15℃~25℃, 6、設(shè)備周圍環(huán)境整潔,空氣清潔,不應(yīng)有可引起電器及其他金屬件表面腐蝕或引起金屬間導(dǎo)電的塵?;驓怏w存在。 |
技術(shù)參數(shù) | 1、系統(tǒng)采用單室筒式結(jié)構(gòu),手動前開門; 3、極限真空度:8.0x10-5 Pa (經(jīng)烘烤除氣后,采用600L/S分子泵抽氣,前級采用4L/S);系統(tǒng)真空檢漏漏率:≤5.0x10-7Pa.l/S; 系統(tǒng)從大氣開始抽氣到8.0x10-4 Pa,40分鐘可達(dá)到; 停泵關(guān)機(jī)12小時后真空度:≤5 Pa; 10、氣體過濾設(shè)備用戶自備; 11、系統(tǒng)尾氣處理系統(tǒng)(用戶自備)。 |