簡介
scia Mill 150適用于在多種材料復雜多層膜上的微結構刻蝕。該系統(tǒng)對活性氣體相容,能夠進行反應蝕刻工藝以提高選擇性和刻蝕速率。由于其節(jié)省空間的設計,scia Mill 150是小規(guī)模生產和研發(fā)應用的理想選擇。
常規(guī)屬性
- 采用圓形離子源對全部樣品區(qū)域在惰性或反應氣體環(huán)境下進行刻蝕
- 可進行離子束刻蝕(IBE、IBM)、反應離子束刻蝕(RIBE)和化學輔助離子束刻蝕(CAIBE)
- 刻蝕角度調整:樣品臺可以旋轉且傾斜可調
- 可獲得的均勻性而無需修正擋板
- 通過反應氣體可以提高刻蝕速率,并控制刻蝕選擇性
- 通過基于SIMS(二次離子質譜)或光學的截止點探測技術控制工藝
- 可配備晶圓載具(wafer carrier)以適用不同尺寸基底
- 可以刻蝕光刻膠晶圓,具有良好的樣品冷卻配置
系統(tǒng)性能