Post-CMP清洗設(shè)備
主要優(yōu)勢(shì)
特性和規(guī)格(Ultra C WPN(WIDO))
在線預(yù)清洗設(shè)備:
可實(shí)現(xiàn)37納米以下少于15個(gè)剩余顆?;?8納米以下
20-25個(gè)剩余顆粒
金屬污染可控制在1E+8(原子/平方厘米)以?xún)?nèi)
當(dāng)配置4個(gè)腔體的時(shí)候,產(chǎn)能可達(dá)每小時(shí)35片晶圓
離線預(yù)清洗設(shè)備:
可實(shí)現(xiàn)37納米以下少于15個(gè)剩余顆?;?8納米以下
20-25個(gè)剩余顆粒
占地面積小
特性和規(guī)格(Ultra C WPN(DIDO))
可配置四個(gè)裝載端口
占地面積小
可配置四或六個(gè)腔體,分別為兩個(gè)軟刷和兩個(gè)清洗腔體或兩個(gè)軟刷和四個(gè)清洗腔體
可實(shí)現(xiàn)37納米以下少于15個(gè)剩余顆?;?8納米以下20-25個(gè)剩余顆粒
產(chǎn)能可達(dá)每小時(shí)60片晶圓