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環(huán)保APP正式上線

Post-CMP清洗設(shè)備

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱(chēng)盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)
  • 所  在  地
  • 廠商性質(zhì)經(jīng)銷(xiāo)商
  • 更新時(shí)間2023/8/12 7:33:07
  • 訪問(wèn)次數(shù)1193
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盛美成立于2005年,是一家注冊(cè)在上海浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)、具備領(lǐng)先技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)備制造商。公司集研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、銷(xiāo)售于一體,主要產(chǎn)品包括半導(dǎo)體清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備和先進(jìn)封裝濕法設(shè)備等。公司堅(jiān)持差異化競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新的發(fā)展戰(zhàn)略,通過(guò)自主研發(fā)的單片兆聲波清洗技術(shù)、單片槽式組合清洗技術(shù)、電鍍技術(shù)、無(wú)應(yīng)力拋光技術(shù)和立式爐管技術(shù)等,向全球晶圓制造、先進(jìn)封裝及其他客戶提供定制化的設(shè)備及工藝解決方案,有效提升客戶的生產(chǎn)效率、提升產(chǎn)品良率并降低生產(chǎn)成本。
 
盛美具有高新技術(shù)企業(yè)資質(zhì),承擔(dān)十一五國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)課題“65-45nm銅互連無(wú)應(yīng)力拋光設(shè)備研發(fā)項(xiàng)目”的研發(fā)和十二五國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)課題“20-14nm銅互連鍍銅設(shè)備研發(fā)與應(yīng)用”和“45-22納米單片晶圓清洗裝備研發(fā)與應(yīng)用”的研發(fā)。公司立足自主創(chuàng)新,通過(guò)多年的技術(shù)研發(fā)和工藝積累,成功研發(fā)出首個(gè)的 SAPS/TEBO 兆聲波清洗技術(shù)和 Tahoe 單片槽式組合清洗技術(shù),可應(yīng)用于 28nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的晶圓清洗領(lǐng)域,可有效解決刻蝕后有機(jī)沾污和顆粒的清洗難題,并大幅減少濃硫酸等化學(xué)試劑的使用量,在幫助客戶降低生產(chǎn)成本的同時(shí),滿足節(jié)能減排的要求。
 
盛美憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線,已發(fā)展成為中國(guó)大陸少數(shù)具有一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備提供商,產(chǎn)品得到眾多國(guó)內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可,并取得良好的市場(chǎng)口碑。
清洗設(shè)備
盛美上海的Post-CMP設(shè)備用于制造高質(zhì)量襯底化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工藝之后的清洗,有濕進(jìn)干出(WIDO)和干進(jìn)干出(DIDO)兩種配置。該清洗設(shè)備6英寸和8英寸的配置適用于碳化硅(SiC)襯底制造;8英寸和12英寸配置適用于硅片制造。
Post-CMP清洗設(shè)備 產(chǎn)品信息

Post-CMP清洗設(shè)備

  

主要優(yōu)勢(shì)

在CMP步驟之后,需要在低溫下使用稀釋的化學(xué)品進(jìn)行物理預(yù)清洗工藝,以減少顆粒數(shù)量。盛美上海的Post-CMP清洗設(shè)備能夠滿足這些要求,并提供多種配置,包括盛美上海自主研發(fā)的 Smart MegasonixTM先進(jìn)清洗技術(shù)。
 


特性和規(guī)格(Ultra C WPN(WIDO))

在線預(yù)清洗設(shè)備:
    可實(shí)現(xiàn)37納米以下少于15個(gè)剩余顆?;?8納米以下
    20-25個(gè)剩余顆粒
    金屬污染可控制在1E+8(原子/平方厘米)以?xún)?nèi)
    當(dāng)配置4個(gè)腔體的時(shí)候,產(chǎn)能可達(dá)每小時(shí)35片晶圓

 

離線預(yù)清洗設(shè)備:
    可實(shí)現(xiàn)37納米以下少于15個(gè)剩余顆?;?8納米以下
    20-25個(gè)剩余顆粒
    占地面積小




特性和規(guī)格(Ultra C WPN(DIDO))

可配置四個(gè)裝載端口

占地面積小

可配置四或六個(gè)腔體,分別為兩個(gè)軟刷和兩個(gè)清洗腔體或兩個(gè)軟刷和四個(gè)清洗腔體

可實(shí)現(xiàn)37納米以下少于15個(gè)剩余顆?;?8納米以下20-25個(gè)剩余顆粒

產(chǎn)能可達(dá)每小時(shí)60片晶圓

關(guān)鍵詞:清洗設(shè)備
產(chǎn)品對(duì)比
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