巨納集團NextCVD系列多功能寬密度等離子體CVD（ICP-LP-PE-CVD）結合了電感耦合和電容耦合輝光放電的優(yōu)點，可在寬密度工藝范圍（109-1013 cm-3)實現(xiàn)穩(wěn)定的等離子體輔助CVD，具有優(yōu)良的材料處理性能和廣泛的應用范圍，是目前功能強大的等離子體CVD系統(tǒng)。

NextCVD 的原創(chuàng)性高密度低頻平板式電感耦合等離子體系統(tǒng)。頻率可調節(jié)，從低頻0.5- 4MHz范圍內調節(jié)；電感天線是平板式，可根據(jù)客戶要求改變天線的形狀、大小，從而實現(xiàn)兩種不同的放電模式：電感放電和電容放電，兩種模式下都能實現(xiàn)穩(wěn)定放電，兩種模式的等離子體特性截然不同，可以實現(xiàn)不同的功能。

多功能寬密度等離子體等離子體改性及刻蝕產(chǎn)品特點

基片臺可電動旋轉、可加熱、可升降

配裝手動高真空插板閥、手動角閥、電腦復合真空計

由于采用了超高真空密封技術，極限真空度高，沉積室可進入10-5Pa量級，可保證更高的鍍膜純凈度，提高鍍膜質量

自動監(jiān)控和保護功能，包括缺水欠壓檢測與保護、相序檢測與保護、溫度檢測與保護、真空系統(tǒng)檢測與保護等

配備可開關觀察窗，方便觀察及取樣品

設備真空系統(tǒng)采用分子泵+機械泵真空機組

采用磁力耦合傳動密封技術密封運動部件

真空規(guī)用金屬規(guī)，刀口金屬密封

性能技術參數(shù)

設備極限真空度：5.0×10-5Pa（等離子體沉積腔室）。5.0×10-1Pa進樣室

高密度等離子體：電子密度高能達到1013 cm-3

氣體物離化率：1-10%

電感耦合離子體電源發(fā)生器頻率從0.5-4 MHz可調，功率可從0-5000 W調節(jié)

電感天線有橢圓和圓形兩種，相應等離子源石英窗口形狀也有橢圓和圓形兩種，相應等離子體放電模式也有電感和電容模式兩種，可根據(jù)用途選擇。等離子體源石英窗口大小可根據(jù)要求進行調節(jié)

供電：～380V三相供電系統(tǒng)（容量7KW），冷卻水循環(huán)量1M3/H，工作環(huán)境溫度10℃～35℃，冷卻水溫度18℃～25℃

設備占用面積12M2（設備安裝面積4M×3M）

進樣室上方窗口（玻璃橡膠圈密封）：￠20cm

沉積室抽氣口在底部，樣品架的兩邊抽氣，有利于薄膜的均勻沉積

設備總體漏放率：關機12小時后，真空度≤10Pa

從大氣到抽到≤7×10-4Pa，小于45min(新設備充干燥氮氣)，提高了工作效率

樣品臺可旋轉，速度：0～25轉／分 可控可調。（樣品臺尺寸￠200mm）

基片尺寸￠6英寸（根據(jù)用戶需要可變）

樣品臺加熱器溫度：室溫～500±1℃。溫度可控可調

基片升降距離0～100mm可調

配備2支￠3英寸磁控靶，其中一支可鍍鐵磁材料，磁控靶可伸縮

磁控濺射靶電源：射頻源 500W、13.56MHz；直流濺射電源，500W

缺水欠壓檢測與保護、相序檢測與保護、溫度檢測與保護、真空系統(tǒng)檢測與保護

應用領域：

光伏行業(yè)（氮化硅/非晶硅/微晶硅/等離子體織構與刻蝕）

新型二維材料（石墨烯/二硫化鉬等的表面改性及制備）

半導體工藝（刻蝕工藝/氮化硅與二氧化硅工藝等）

納米材料的生長與納米形貌的刻蝕構造

石墨烯氫等離子體可控改性

氬等離子體可控改性：引入空位缺陷

氫等離子體可控改性：引入SP3缺陷