業(yè)界分辨率
1．MEMS加工工藝，芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜厚度可達(dá)10 nm。
2．芯片封裝采用鍵合內(nèi)封以及環(huán)氧樹脂外封雙保險方式，使芯片間的夾層僅約100~200 nm，超薄夾層大幅減少對電子束的干擾，可清晰觀察樣品的原子排列情況，液相環(huán)境可實現(xiàn)原子級分辨。
3．經(jīng)過特殊設(shè)計的芯片視窗形狀，可避免氮化硅膜鼓起導(dǎo)致液層增厚而影響分辨率。
高安全性
1．市面常見的其他品牌液體樣品桿，由于受自身液體池芯片設(shè)計方案制約，只能通過液體泵產(chǎn)生的巨大壓力推動大流量液體流經(jīng)樣品臺及芯片外圍區(qū)域，有液體大量泄露的安全隱患。其液體主要靠擴散效應(yīng)進(jìn)入芯片中間的納米孔道，芯片觀察窗里并無真實流量流速控制。
2．采用納流控技術(shù)，通過壓電微控系統(tǒng)進(jìn)行流體微分控制，實現(xiàn)納升級微量流體輸送，原位納流控系統(tǒng)及樣品桿中冗余的液體量僅有微升級別，有效保證電鏡安全。
3．采用高分子膜面接觸密封技術(shù)，相比于o圈密封，增大了密封接觸面積，有效減小滲漏風(fēng)險。
4．采用超高溫鍍膜技術(shù)，芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜具有耐高溫低應(yīng)力耐壓耐腐蝕耐輻照等優(yōu)點。
多場耦合技術(shù)
可在液相環(huán)境中實現(xiàn)光、電、熱、流體多場耦合。
智能化軟件和自動化設(shè)備
1．人機分離，軟件遠(yuǎn)程控制實驗條件，全程自動記錄實驗細(xì)節(jié)數(shù)據(jù)，便于總結(jié)與回顧。
2．全流程配備精密自動化設(shè)備，協(xié)助人工操作，提高實驗效率。
團隊優(yōu)勢
1．團隊帶頭人在原位液相TEM發(fā)展初期即參與研發(fā)并完善該方法。
2．獨立設(shè)計原位芯片，掌握芯片核心工藝，擁有多項芯片patent。
3．團隊20余人從事原位液相TEM研究，可提供多個研究方向的原位實驗技術(shù)支持。
技術(shù)參數(shù)
| 功能 | 參數(shù) |
桿體材質(zhì) | |
視窗膜厚 | |
漂移率 | |
適用電鏡 | |
適用極靴 | |
傾轉(zhuǎn)角 | |
(HR)TEM/STEM | |
(HR)EDS/EELS/SAED | |
芯片池厚度 | |
電流范圍 | |
電壓范圍 | |
液體流速 | |
流速精度 |
應(yīng)用案例
金納米粒子原子分辨液相動態(tài)成像TEM（a）STEM （b）
光催化析氫過程觀察活性位點原位生成過程
Real time imaging of photocatalytic active site formation during H2 evolution by in-situ TEM[J]. Applied Catalysis B: Environmental, 2021, 284: 119743.
流體流動及擴散對晶體生長形貌影響觀察
Efficient CO2 reduction MOFs derivatives transformation mechanism revealed by in-situ liquid phase TEM[J]. Applied Catalysis B: Environmental, 2022, 307: 121164.
光照下環(huán)境氛圍對納米團簇演變過程影響
Visualizing light-induced dynamic structural transformations of Au clusters-based photocatalyst via in situ TEM[J]. Nano Research, 2021, 14(8): 2805-2809.
二維材料液相合成新生長模式的發(fā)現(xiàn)：三維生長和原子層剝離
