主要參數(shù)
1、測(cè)試頻率:20Hz~200KHz,精確度0.02%基本量測(cè)準(zhǔn)確度:0.1%
2、3種阻抗輸出模式選擇,測(cè)量結(jié)果可與各廠家之LCR表對(duì)比增強(qiáng)式圈數(shù)比
3、準(zhǔn)確測(cè)量,適用于低磁道率的磁芯
4、提供各種標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試治具及特殊治具訂制四端測(cè)試治具,可得到DCR,電感量和圈數(shù)比精確穩(wěn)定的測(cè)量。內(nèi)建式比較器,10級(jí)分類及計(jì)數(shù)功能(僅適于3252/3302)2M SRAM記憶卡供機(jī)臺(tái)資料設(shè)定及備份標(biāo)準(zhǔn)RS~232,HANDLER及PRINER界面50組內(nèi)部?jī)x器設(shè)定可供儲(chǔ)存及呼叫
5、測(cè)試參數(shù):圈數(shù)比(TURN RATIO),相位(PHASE),圈數(shù)(TURN),電感(L),品質(zhì)因子(Q),漏電感(LK),平衡(BALANCE),交流電阻(ACR),電容(CP),直流電阻(DCR),接腳短路(PIN SHORT)
6、測(cè)試電壓:10MV-10V,10MV/STEP
7、測(cè)試頻率:20Hz~200KHz/1MHz