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目錄:北京海富達(dá)科技有限公司>>儀器儀表>>試驗(yàn)機(jī)>> PP322-FJTDG1110電光效應(yīng)實(shí)驗(yàn)儀報(bào)價
| 產(chǎn)地 | 國產(chǎn) |
|---|
實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：
觀察會聚偏振光激光LiNbO3晶體后形成的干涉圖形，
比較不同電壓下的差異，理解單軸與雙軸晶體的區(qū)別；
觀察測量不同電壓條件下的輸出光的偏振態(tài)；
理解Pockels效應(yīng)的工作機(jī)理，測量半波電壓，確定△n與E的線性關(guān)系，繪出調(diào)制曲線；
用外加電信號對晶體進(jìn)行調(diào)制，實(shí)驗(yàn)電信號的光傳輸；
理解工作點(diǎn)對調(diào)制、傳輸過程的影響。
儀器特點(diǎn)：采用半導(dǎo)體激光器（650nm，4mW）作為光源，使得實(shí)驗(yàn)操作靈活、簡單；可觀察在電場作用下LN晶體由一個單軸晶體變化為雙軸晶體的過程，干涉圖樣完整、清晰。
儀器參數(shù)：
光學(xué)實(shí)驗(yàn)導(dǎo)軌800mm，半導(dǎo)體激光器650nm 4mW；激光功率計(jì)數(shù)字表頭，量程分別為200Μw、2mW、20mW、200mW和可調(diào)檔；晶體的通光面積為5*5mm；大驅(qū)動電壓Vmax≥1600V。
實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：
觀察會聚偏振光激光LiNbO3晶體后形成的干涉圖形，
比較不同電壓下的差異，理解單軸與雙軸晶體的區(qū)別；
觀察測量不同電壓條件下的輸出光的偏振態(tài)；
理解Pockels效應(yīng)的工作機(jī)理，測量半波電壓，確定△n與E的線性關(guān)系，繪出調(diào)制曲線；
用外加電信號對晶體進(jìn)行調(diào)制，實(shí)驗(yàn)電信號的光傳輸；
理解工作點(diǎn)對調(diào)制、傳輸過程的影響。
儀器特點(diǎn)：采用半導(dǎo)體激光器（650nm，4mW）作為光源，使得實(shí)驗(yàn)操作靈活、簡單；可觀察在電場作用下LN晶體由一個單軸晶體變化為雙軸晶體的過程，干涉圖樣完整、清晰。
儀器參數(shù)：
光學(xué)實(shí)驗(yàn)導(dǎo)軌800mm，半導(dǎo)體激光器650nm 4mW；激光功率計(jì)數(shù)字表頭，量程分別為200Μw、2mW、20mW、200mW和可調(diào)檔；晶體的通光面積為5*5mm；大驅(qū)動電壓Vmax≥1600V。
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