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海納光學(xué)代理的Yb:YVO4，Yb:Yab，Yb:YAP晶體，Yb:YLF晶體，摻Y(jié)b鋁酸釔Yb3+, (Yb3+YAP) 是一種雙軸正交晶體。YAP晶體的硬度和熱導(dǎo)率與YAG相似，但具有很高的各向異性熱膨脹系數(shù)，且具有雙折射特性。發(fā)射波長偏振，而發(fā)射和吸收截面是強(qiáng)烈依賴于晶體的定向。Yb:YAP晶體的吸收截面高于Yb:YAG晶體。
與YAG相比，Yb3+：YLF激光晶體具有更好的熱光學(xué)性能，其大的熱導(dǎo)率提供了有效的熱量提取。Yb3+：YLF具有寬的發(fā)射截面，其發(fā)射波長的峰值與Yb3+：Sr3Y（BO3）3和Yb3+：Ca4GdO（BO3）3激光晶體中的峰值相當(dāng)。此外，YLF晶體具有較高的摻鐿性能。
Yb3+:YVO4晶體具有寬而平滑的發(fā)射光譜，允許寬波長調(diào)諧范圍，并在鎖模激光器中產(chǎn)生超短脈沖。具有良好的導(dǎo)熱系數(shù)Yb:YVO4晶體可作為高功率薄盤激光器的有源介質(zhì)。Yb3+:YAB是少數(shù)幾個(gè)具有多功能特性的代表之一：作為一種負(fù)單軸晶體，它還具有非線性光學(xué)特性，可通過二階非線性過程將紅外輻射直接轉(zhuǎn)換為可見光。摻Y(jié)b鋁酸釔Yb3+, (Yb3+YAP) 是一種雙軸正交晶體。YAP晶體的硬度和熱導(dǎo)率與YAG相似，但具有很高的各向異性熱膨脹系數(shù)，且具有雙折射特性。與YAG相比，Yb3+：YLF激光晶體具有更好的熱光學(xué)性能，其大的熱導(dǎo)率提供了有效的熱量提取。Yb3+：YLF具有寬的發(fā)射截面，其發(fā)射波長的峰值與Yb3+：Sr3Y（BO3）3和Yb3+：Ca4GdO（BO3）3激光晶體中的峰值相當(dāng)。
摻雜Yb3+晶體具有高的激光效率、較寬的熒光光譜和較長的熒光壽命，非常適合波長調(diào)諧、鎖模和調(diào)Q運(yùn)轉(zhuǎn)。Optogama公司提供很多三價(jià)稀土離子 Yb3+的選擇，例如Yb:YAP晶體，Yb:YLF晶體，Yb:YVO4晶體，Yb:Yab晶體的(鐿)摻雜激光增益介質(zhì)。
Yb3+:YVO4晶體具有寬而平滑的發(fā)射光譜，允許寬波長調(diào)諧范圍，并在鎖模激光器中產(chǎn)生超短脈沖。由于良好的導(dǎo)熱系數(shù)Yb:YVO4晶體可作為高功率薄盤激光器的有源介質(zhì)。
Yb3+:YAB是少數(shù)幾個(gè)具有多功能特性的代表之一：作為一種負(fù)單軸晶體，它還具有非線性光學(xué)特性，可通過二階非線性過程將紅外輻射直接轉(zhuǎn)換為可見光。高濃度Yb3+離子可以包含在YAB晶體基體中，濃度猝滅很小。Yb:Yab晶體具有良好的機(jī)械強(qiáng)度，良好的導(dǎo)熱性能和穩(wěn)定的化學(xué)性能。
。

Yb:YVO4，Yb:Yab，Yb:YAP晶體，Yb:YLF晶體

Yb:YVO4晶體主要特點(diǎn)：
-簡單的電子結(jié)構(gòu)排除了激發(fā)態(tài)吸收和各種有害的猝滅過程。
-寬光發(fā)射光譜
-低量子缺陷
-可根據(jù)要求提供定制水晶
Yb:YVO4晶體主要應(yīng)用：
 -高功率連續(xù)波調(diào)Q鎖模激光器
-薄盤激光器。

Yb:YVO4晶體技術(shù)特性：
吸收峰波長 985 nm
峰值吸收截面 7.5×10-20厘米2
峰值吸收帶寬 5 nm
激光波長 1027 nm
2F5/2鐿能級(jí)的壽命 250 μs
發(fā)射截面@1027 nm 0.5×10-20厘米2
折射率@1064 nm n0=1.93，ne=2.1
晶體結(jié)構(gòu) 四邊形
密度 4.22克/厘米3
Mohs硬度 5
熱導(dǎo)率 ~5 Wm-1K-1
DN/DT 8.41×10-6(//c)k-1, 15.5×10-6((//a)k-1
熱膨脹系數(shù) 1.5×10-6(//a)k-1, 8.2×10-6(//c)k-1
典型摻雜水平 1%-3%
Yb:YVO4晶體的吸收和發(fā)射曲線
 
Yb:YVO4晶體產(chǎn)品規(guī)格：
定向 A-切
透明孔徑 >90%
面尺寸公差 +0/-0，1毫米
長度公差 ±0，1毫米
平行度誤差 <10 arcsec
垂直度誤差 <10 arcmin
保護(hù)槽 <0,1 mm at 45?
表面質(zhì)量 10-5 S-D
表面平整度 <λ/10@6328 nm
涂層 Ar(R<0，25%)@985 nm+AR(R<0，15%)@1000-1070 nm
激光損傷閾值 >10 J/cm2@1030 nm，10 ns

Yb:YVO4晶體產(chǎn)品型號(hào)
SKU 面尺寸 長度 端面 定向 摻雜 涂層 價(jià)格(RMB)
7844 3x3毫米 5毫米 直角切割 五切 1% AR/Ar@985納米+1000-1070 nm 5700
7845 5x5毫米 5毫米 直角切割 五切 1% AR/Ar@985納米+1000-1070 nm 5700
7846 3x3毫米 5毫米 布魯斯特切 五切 1% 無涂層 5200
7847 5x5毫米 5毫米 布魯斯特切 五切 1% 無涂層 5200
7848 3x3毫米 2毫米 直角切割 五切 3% AR/Ar@985納米+1000-1070 nm 5200
7849 5x5毫米 2毫米 直角切割 五切 3% AR/Ar@985納米+1000-1070 nm 5700
7850 3x3毫米 2毫米 布魯斯特切 五切 3% 無涂層 5200
7851 5x5毫米 2毫米 布魯斯特切 五切 3% 無涂層 5200

Yb:Yab晶體主要特點(diǎn)：
-自倍頻激光晶體
-高導(dǎo)熱率
-976 nm附近寬吸收帶寬
-高吸收和高發(fā)射截面
-低量子缺陷
Yb:Yab晶體主要應(yīng)用：
-高功率連續(xù)激光器
-鎖模飛秒激光器
-連續(xù)波鎖模自倍頻激光器
Yb:Yab晶體技術(shù)特性：
吸收峰波長 976 nm
峰值吸收截面 3.8×10-20厘米2
峰值吸收帶寬 20 nm
激光波長 1040 nm
壽命2F5/2能級(jí) 680 μs
發(fā)射截面@1040 nm 0.5×10-20厘米2
折射率@632.8 nm n0=1.7757，ne=1.7015
晶體結(jié)構(gòu) 三角狀
密度 3.84克/厘米3
Mohs硬度 7.5
熱導(dǎo)率 ~6 Wm-1K-1
DN/DT 1.4×10-6(//a)k-1, 4.8×10-6(//c)k-1
熱膨脹系數(shù) 2×10-6(//a)k-1, 9.5×10-6(//c)k-1
典型摻雜水平 5-8%
Yb:Yab晶體產(chǎn)品型號(hào)：
SKU 面尺寸 長度 端面 定向 摻雜 涂層 價(jià)格(RMB)
12826 3x3毫米 2毫米 直角切割 C-切 10% AR/AR(R<0，5%)@960-1060 nm 5700
12827 3x3毫米 2毫米 布魯斯特角切割 C-切 10% 無涂層 5200
12828 3x3毫米 2毫米 直角切割 θ=31°，φ=0° 10% AR/Ar@520+976+1040 nm 請求

Yb:YAP晶體的主要特點(diǎn)：
-雙軸正交晶體
-高吸收介子截面依賴于晶體的取向
-高導(dǎo)熱率
-低量子缺陷
-可根據(jù)要求提供定制水晶
Yb:YAP晶體的主要應(yīng)用：
-飛秒激光器和再生放大器
-連續(xù)和被動(dòng)鎖模薄盤激光器

Yb:YAP晶體的技術(shù)特性：
吸收峰波長 978 nm
峰值吸收截面 6.6×10-20厘米2
峰值吸收帶寬 4nm
激光波長 1040 nm
壽命2F5/2能級(jí) 500 μs
發(fā)射截面@1040 nm 0.5×10-20厘米2
折射率@632.8 nm 1.96(//a)，1.94(//b)，1.97(/c)
晶體結(jié)構(gòu) 正交性
密度 5.35克/厘米3
Mohs硬度 8.5
熱導(dǎo)率 11.7 (//a), 10.0 (//b), 13.3 (//c) W/m*K
DN/DT 7.7×10-6 (//a) K-1, 11.7×10-6 (//b) K-1,
8.3×10-6 (//c) K-1
熱膨脹系數(shù) 2.32×10-6 (//a) K-1, 8.08×10-6 (//b) K-1,
8.7×10-6 (//c) K-1
典型摻雜水平 <2 at.%

Yb:YAP晶體的產(chǎn)品規(guī)格：
定向 A-切
透明孔徑 >90%
面尺寸公差 +0/-0，1毫米
長度公差 ±0，1毫米
平行度誤差 <10 arcsec
垂直度誤差 <10 arcmin
保護(hù)槽 <0,1 mm at 45?
表面質(zhì)量 10-5 S-D
表面平整度 <λ/10@6328 nm
涂層 Ar(R<0，25%)@978 nm+AR(R<0，15%)@1020-1070 nm
激光損傷閾值 >10 J/cm2@1030 nm，10 ns

Yb:YAP晶體的產(chǎn)品型號(hào)：
SKU 面尺寸 長度 端面 摻雜 涂層 價(jià)格
7825 3x3毫米 5毫米 直角切割 1% AR/Ar@978nm+1020-1070 nm 780歐元
7826 3x3毫米 5毫米 布魯斯特切 1% 無涂層 700歐元

Yb:YLF晶體的主要特點(diǎn)：
-簡單的電子結(jié)構(gòu)排除了激發(fā)態(tài)吸收和各種有害的猝滅過程。
-寬光發(fā)射光譜
-寬調(diào)諧范圍
-吸收光譜與InGaAs激光二極管的發(fā)射波長很好地匹配。
-低量子缺陷
-可根據(jù)要求提供定制水晶
Yb:YLF晶體的主要應(yīng)用：
-二極管泵浦鎖模激光器
-薄盤激光器

Yb:YLF晶體的技術(shù)特性：
吸收峰波長 960 nm
峰值吸收截面 10.5×10-21厘米2
峰值吸收帶寬 ~10 nm
激光波長 1017 nm
壽命2F5/2能級(jí) 2.1毫秒
發(fā)射截面@1053 nm 4.1×10-21厘米2
折射率@1040 nm ~1.4
晶體結(jié)構(gòu) 四邊形
密度 3.95克/厘米3
Mohs硬度 5
熱導(dǎo)率 6 Wm-1K-1
DN/DT -4.6×10-6(//c)k-1, -6.6×10-6(//a)k-1
熱膨脹系數(shù) 8×10-6(//c)k-1, 13×10-6(//a)k-1
典型摻雜水平 5%-20%

Yb:YLF晶體的產(chǎn)品規(guī)格：
定向 A-切
透明孔徑 >90%
面尺寸公差 +0/-0，1毫米
長度公差 ±0，1毫米
平行度誤差 <10 arcsec
垂直度誤差 <10 arcmin
保護(hù)槽 <0,1 mm at 45?
表面質(zhì)量 10-5 S-D
表面平整度 <λ/10@6328 nm
涂層 Ar(R<0，5%)@960 nm+AR(R<0，15%)@1000~1060 nm
激光損傷閾值 >10 J/cm2@1030 nm，10 ns

Yb:YLF晶體的產(chǎn)品型號(hào)：
SKU 面尺寸 長度 端面 摻雜 涂層 價(jià)格(RMB)
7828 3x3毫米 8毫米 直角切割 5% AR/Ar@960納米+1000-1060 nm 5700
7829 3x3毫米 8毫米 布魯斯特切 5% 無涂層 5200
7830 ?8毫米 8毫米 直角切割 5% AR/Ar@960納米+1000-1060 nm 6600
7831 3x3毫米 4毫米 直角切割 10% AR/Ar@960納米+1000-1060 nm 5700
7832 3x3毫米 4毫米 布魯斯特切 10% 無涂層 5200
7833 ?8毫米 4毫米 直角切割 10% AR/Ar@960納米+1000-1060 nm 6600
7834 3x3毫米 2毫米 直角切割 20% AR/Ar@960納米+1000-1060 nm 5700
7835 3x3毫米 2毫米 布魯斯特切 20% 無涂層 5200
7836 ?8毫米 2毫米 直角切割 20% AR/Ar@960納米+1000-1060 nm 6600