在醫(yī)院的水質(zhì)直接影響手術(shù)器械的消毒。該消毒用水的處理過程需符合標(biāo)準(zhǔn)DIN N285：2016的要求，用于蒸汽滅菌等。使用的蒸汽或水不得超過規(guī)定的極限值，否則儀器的金屬表面會(huì)發(fā)生沉積和腐蝕。因此，滅菌過程通常使用去離子水(EDI)。該工藝用水（軟化水）是在醫(yī)院的水處理系統(tǒng)中自己制備的。

醫(yī)院中央滅菌裝置的水處理系統(tǒng)

  在醫(yī)院使用Testomat®808SiO2進(jìn)行實(shí)際測(cè)試：

  為了滿足醫(yī)院對(duì)簡(jiǎn)單，可靠的硅酸鹽測(cè)量裝置的需求, Heyl開發(fā)了T808SiO2。測(cè)量裝置可測(cè)定0.3至1.2ppm的范圍內(nèi)硅酸鹽，符合硅酸鹽監(jiān)的DIN標(biāo)準(zhǔn)EN 285：2016的規(guī)格。在設(shè)計(jì)開發(fā)之后，我們?cè)趦杉椅挥跐h堡的醫(yī)院進(jìn)行了幾個(gè)月的實(shí)際測(cè)試。我們的設(shè)備成功通過了這一測(cè)試。

家醫(yī)院：

  該硅酸鹽在線監(jiān)測(cè)是在EDI系統(tǒng)下游進(jìn)行的。EDI系統(tǒng)下游的硅酸鹽濃度隨EDI系統(tǒng)的電流強(qiáng)度而變化。但是，如果此處的電流設(shè)置得太低，則硅酸鹽會(huì)突破。此外，如果太多的硬化劑突破滲透系統(tǒng)，它們將沉積在EDI系統(tǒng)中的膜上并破壞離子交換，功耗上升。使用EDI系統(tǒng)下游的Testomat®808SiO2，可立即注冊(cè)硅酸鹽突破，并可對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行檢查。

EDI系統(tǒng)中離子流的示意圖

  第二家醫(yī)院：

  該醫(yī)院采用常規(guī)水處理，雙軟化系統(tǒng)，反滲透系統(tǒng)和兩個(gè)*脫鹽濾芯（以下稱為過濾器1和2），如第1頁的圖表所示。 當(dāng)我們的Testomat 808  SiO2監(jiān)測(cè)到過濾器1下游的硅酸鹽值超限，表示過濾器1耗盡。在這種情況下，Testomat 808 SiO2會(huì)自動(dòng)切換到過濾器2（警報(bào)過濾器）進(jìn)行監(jiān)測(cè)并發(fā)出報(bào)警信號(hào)。 該報(bào)警信號(hào)可通過RS232接口或固定值為8 mA的模擬電流值進(jìn)行通知。更換耗盡的過濾器1后，系統(tǒng)會(huì)再次監(jiān)測(cè)過濾器1是否平穩(wěn)運(yùn)行，直到下一次耗盡。 過濾器2一般不會(huì)耗盡，因?yàn)槿藛T總是通過極限值指示及時(shí)更換過濾器1，因此不必停止供應(yīng)用水。

分析水處理中不同點(diǎn)的值：

• 一個(gè)顯著的特征是:  盡管電導(dǎo)率的數(shù)值在滲透系統(tǒng)后端始終在正常范圍內(nèi), 但硅酸鹽在過濾器1處已多次超過限值。
• 這些可以通過以下事實(shí)來解釋：來自滲透系統(tǒng)的較大陰離子沉積在過濾器中的樹脂上并抑制已經(jīng)結(jié)合在那里的較小硅酸鹽離子。這些硅酸鹽離子被去離子水沖洗掉并重新釋放。

較大離子抑制硅酸鹽離子的示意圖

    Testomat 808 SiO2通過檢測(cè)過濾器1的硅酸鹽離子的超出限值，自動(dòng)切換到過濾器2，以繼續(xù)確保水質(zhì)達(dá)標(biāo)。如果第二個(gè)過濾器也耗盡，Testomat®808SiO2將切斷供水并發(fā)出警報(bào)。 該分析方法可以始終確保滿足1ppm硅酸鹽的極限值不超標(biāo)，并且在中心滅菌裝置中不會(huì)出現(xiàn)超標(biāo)的硅酸鹽值。Testomat®808SiO2中的USB數(shù)據(jù)記錄器還可以連續(xù)保存測(cè)量值，以便進(jìn)行評(píng)估。

Testomat ® 808 SiO2的技術(shù)參數(shù)：

* 該裝置僅可用于鉬反應(yīng)性硅酸鹽，因?yàn)樗褂玫氖歉缓f的試劑。