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產(chǎn)品型號langer
品 牌
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
所 在 地深圳市
更新時(shí)間:2020-02-28 18:33:37瀏覽次數(shù):303次
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LF系列包含七個(gè)磁場探頭,其中四個(gè)包含在我們的LF1探頭套件中。我們很樂意根據(jù)要求創(chuàng)建定制的布景。
RF系列由9個(gè)磁場探頭和6個(gè)電場探頭組成,可分批購買。這些設(shè)置針對不同的測量任務(wù)進(jìn)行了優(yōu)化。我們很樂意根據(jù)要求創(chuàng)建定制的布景。
XF系列包含四個(gè)磁場探頭和三個(gè)電場探頭。提供XF1套件(四個(gè)磁場探頭和一個(gè)電場探頭)以及定制的套件。
SX系列由三個(gè)磁場探頭和一個(gè)電場探頭組成。提供SX1套(兩個(gè)H場探頭和一個(gè)E場探頭)和SX-R 20-1套。
MFA系列由四個(gè)有源磁場探頭組成。MFA 01包括三個(gè)磁場探頭。MFA 02組由兩個(gè)用于低頻測量的磁場探頭組成。
定制形狀
Langer EMV-Technik GmbH還可根據(jù)客戶要求制造特殊形狀的近場探頭。這里有些例子。
應(yīng)用領(lǐng)域
使用近場探頭和頻譜分析儀或示波器對E和H場進(jìn)行RF場測量。
校正磁場探頭的特性曲線
Langer EMV-Technik GmbH的RF型探頭
磁場強(qiáng)度和電流確定
下一段說明了如何從近場測量結(jié)果中計(jì)算出磁場強(qiáng)度和底層電流。
磁場探頭發(fā)出U 探頭電壓信號輸出,該信號通過頻譜分析儀分散到頻譜中。定義校正因子K H,該校正因子描述電壓信號與相關(guān)磁場H RF之間的關(guān)系。磁場H RF與電流I RF關(guān)聯(lián)。因此,可以基于當(dāng)前的I RF定義另一個(gè)校正因子。
磁場校正:
借助于校正特性,可以根據(jù)U 探頭磁場探頭的電壓輸出信號來計(jì)算出磁場探頭線圈中的磁場強(qiáng)度H RF。磁場探頭的校正系數(shù)與每種單獨(dú)應(yīng)用中的測量幾何形狀無關(guān),即,探頭可以相對于電導(dǎo)體以任意距離和角度引導(dǎo),而沒有任何校正誤差(圖2)。結(jié)果是探測線圈所包圍的平均磁場(圖1)。
均勻的H場
圖1探針線圈中的場強(qiáng)分布
圖2常規(guī)應(yīng)用程序布局
在適配量方程中使用校正因子K H:
如何使用數(shù)量方程的示例,圖3:
圖3如何使用磁場校正特性的示例
在圖3中,磁場探頭位于在整個(gè)頻率范圍內(nèi)恒定的磁場中。由于耦合因素,探頭中感應(yīng)的電壓取決于頻率。耦合因子介于測得的電壓U probe和平均磁場強(qiáng)度之間。如果將校正因子添加到測得的電壓U probe(對數(shù)方程式),則可獲得現(xiàn)有的磁場強(qiáng)度。
平均磁場強(qiáng)度H RF可以使用量方程由測量曲線U probe和校正特性K H確定。結(jié)果如圖3所示。
當(dāng)前校正:
磁場H RF和電流I RF之間存在一致的物理相關(guān)性,這取決于電流導(dǎo)體布局的幾何形狀。因此,給定的校正系數(shù)K I是義的參考設(shè)置。
僅當(dāng)幾何參數(shù)與使用探頭時(shí)的參考設(shè)置一致時(shí),確定的電流值I corr才正確。如果此設(shè)置存在偏差,則電流值I corr也將偏離。計(jì)算出的電流值I corr只能用作方向值。
參考設(shè)置具有以下幾何參數(shù)(圖4和5):
圖4 RF-R 400-1,RF-R 50-1的測量設(shè)置。RF-R 3-2,RF-R 0.3-3近場探頭
圖5 RF-B 3-2,RF-B 0.3-3,RF-K 7-4,RF-U 2.5-2,RF-U 5-2近場探頭的測量設(shè)置
在適配量方程中使用校正因子K I:
該示例基于在整個(gè)頻率范圍內(nèi)恒定的電流(圖6)。該電流在磁場探頭中感應(yīng)出一個(gè)電壓,該電壓由頻譜分析儀測量為U 探頭。從電壓波形中(對數(shù)地)添加頻率相關(guān)的校正因子,以獲得導(dǎo)體中的電流。I corr是在參考設(shè)置中流動的電流,單位為dBµA。
圖6)電流校正示例(電流以dBµA [黃色]為單位)
下載校正特征
您可以將特殊磁場探頭類型的校正數(shù)據(jù)下載為xlsx文件。
langer探頭 langer探頭
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