絕緣材料塑膠介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
GDAT-A 面議污水處理設(shè)備 污泥處理設(shè)備 水處理過濾器 軟化水設(shè)備/除鹽設(shè)備 純凈水設(shè)備 消毒設(shè)備|加藥設(shè)備 供水/儲(chǔ)水/集水/排水/輔助 水處理膜 過濾器濾芯 水處理濾料 水處理劑 水處理填料 其它水處理設(shè)備
北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司
參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)GDAT-A
品 牌
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更新時(shí)間:2022-06-07 13:45:48瀏覽次數(shù):97次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來自 環(huán)保在線介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)定儀裝置:2.3.1 平板電容器極片尺寸::38mm和50mm二種.2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率:0~8mm, 0.01mm2.3.3 圓筒電容器線性: 0.33 pF /mm0.05 pF, 2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍:12.5mm(4.2pF)2.3.5 裝置插頭間距:25mm0.1mm
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)定儀工作特性
1.Q值測(cè)量
a.Q值測(cè)量范圍:2~1023;
b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔;
c.標(biāo)稱誤差
A | C | |
頻率范圍 | 25kHz~10MHz | 100kHz~10MHz |
固有誤差 | ≤5%±滿度值的2% | ≤5%±滿度值的2% |
工作誤差 | ≤7%±滿度值的2% | ≤7%±滿度值的2% |
頻率范圍 | 10MHz~60MHz | 10MHz~160MHz |
固有誤差 | ≤6%±滿度值的2% | ≤6%±滿度值的2% |
工作誤差 | ≤8%±滿度值的2% | ≤8%±滿度值的2% |
2.電感測(cè)量范圍
A | C |
14.5nH~8.14H | 4.5nH~140mH |
3.電容測(cè)量
A | C | |
直接測(cè)量范圍 | 1~460p | 1~205p |
主電容調(diào)節(jié)范圍 | 40~500pF | 18~220pF |
準(zhǔn)確度 | 150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1% | 150pF以下±1.5pF 150pF以上±1% |
注:大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見使用方法。
4.信號(hào)源頻率覆蓋范圍
| A | C |
頻率范圍 | 10kHz~60MHz | 0.1~160MHz |
CH1 | 10~99.9999kHz | 0.1~0.999999MHz |
CH2 | 100~999.999kHz | 1~9.99999MHz |
CH3 | 1~9.99999MHz | 10~99.9999MHz |
CH4 | 10~60MHz | 100~160MHz |
頻率指示誤差 | 3×10-5±1個(gè)字 |
5.Q合格指示預(yù)置功能:預(yù)置范圍:5~1000
6.Q表正常工作條件
a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃;
b.相對(duì)濕度:<80%;
c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
7.其他
a.消耗功率:約25W;
b.凈重:約7kg;
c.外型尺寸:(寬×高×深)mm:380×132×280。
主電容調(diào)節(jié)用步進(jìn)馬達(dá)控制,電容讀數(shù)更加精確,頻率值和電容值均可設(shè)置。A/C電容、電感、Q值、頻率、量程都用數(shù)字顯示,在某一頻率下,只要能找到諧振點(diǎn),都能直接讀出電感、電容值,大大擴(kuò)展了電感的測(cè)量范圍,而不再是固定的幾個(gè)頻率下才能測(cè)出電感值的大小。A/C*的諧振點(diǎn)頻率自動(dòng)搜索或電容自動(dòng)搜索功能,能幫助你在使用時(shí)快速地找到被測(cè)量器件的諧振點(diǎn),自動(dòng)讀出Q值和其它參數(shù)。Q值量程可手動(dòng)或自動(dòng)轉(zhuǎn)換。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)定儀使用方法
高頻Q表是多用途的阻抗測(cè)量?jī)x器,為了提高測(cè)量精度,除了使Q表測(cè)試回路本身殘余參量盡可能地小,使耦合回路的頻響盡可能地好之外,還要掌握正確的測(cè)試方法和殘余參數(shù)修正方法。
1.測(cè)試注意事項(xiàng)
a.本儀器應(yīng)水平安放;
b.如果你需要較精確地測(cè)量,請(qǐng)接通電源后,預(yù)熱30分鐘;
c.調(diào)節(jié)主調(diào)電容或主調(diào)電容數(shù)碼開關(guān)時(shí),當(dāng)接近諧振點(diǎn)時(shí)請(qǐng)緩調(diào);
d.被測(cè)件和測(cè)試電路接線柱間的接線應(yīng)盡量短,足夠粗,并應(yīng)接觸良好、可靠,以減少因接線的電阻和分布參數(shù)所帶來的測(cè)量誤差;
e.被測(cè)件不要直接擱在面板頂部,離頂部一公分以上,必要時(shí)可用低損耗的絕緣材料如聚苯乙烯等做成的襯墊物襯墊;
f.手不得靠近試件,以免人體感應(yīng)影響造成測(cè)量誤差,有屏蔽的試件,屏蔽罩應(yīng)連接在低電位端的接線柱。
2.高頻線圈的Q值測(cè)量(基本測(cè)量法)
儀器技術(shù)指標(biāo):
☆Q值測(cè)量:
a.Q值測(cè)量范圍:5~999。 b.Q值量程分檔:30、100、300、999、自動(dòng)換檔。
c.標(biāo)稱誤差
頻率范圍:25kHz~10MHz; 固有誤差:≤5%±滿度值的2%;工作誤差:≤7%±滿度值的2%;
頻率范圍:10MHz~50MHz; 固有誤差:≤7%±滿度值的2%;工作誤差:≤10%±滿度值的2%。
☆電感測(cè)量:
a.測(cè)量范圍:0.1μH~1H。
b.分 檔:分七個(gè)量程。
0.1~1μH, 1~10μH, 10~100μH,
0.1~lmH, 1~10mH, 10~100mH, 100 mH~1H。
☆電容測(cè)量:
a.測(cè)量范圍:1~460pF(460pF以上的電容測(cè)量見使用規(guī)則);
b.電容量調(diào)節(jié)范圍
主調(diào)電容器:40~500pF; 準(zhǔn) 確 度:150pF以下±1.5pF;150pF以上±1%;
微調(diào)電容量:-3pF~0~+3pF; 準(zhǔn) 確 度:±0.2pF。
☆振蕩頻率:
a.振蕩頻率范圍:25kHz~50MHz;
b.頻率分檔
25~74kHz, 74~213kHz, 213-700kHz, 700kHz~1.95MHz,
1.95MHz~5.2MHz, 5.2MHz~17MHz, 17~50MHz。
c.頻率誤差:2×10-4±1個(gè)字。
☆Q合格指示預(yù)置功能,預(yù)置范圍:5~999。
☆儀器正常工作條件
a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃; b.相對(duì)濕度:<80%; c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
☆試樣尺寸
圓片形:厚度2+0.5mm,直徑為Φ30~40mm(ε<12時(shí)),Φ25~35mm(ε=12~30時(shí)),Φ15~20mm(ε>30時(shí))
☆其他
a.消耗功率:約25W; b.凈重:約7kg; c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。
☆ Q合格指示預(yù)置功能
預(yù)置范圍:5~1000。
主要特點(diǎn):空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低,。
◇主要技術(shù)特性:介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。
儀器特點(diǎn):
☆接線簡(jiǎn)單(正接法兩根線,反接可使用一根線),所有電纜線均有接地屏蔽,所以都能拖地使用,測(cè)量電壓緩升、緩降,全自動(dòng)測(cè)量,結(jié)果直讀,無須換算。
☆多種測(cè)量方式 可選擇正/反接線、內(nèi)/外標(biāo)準(zhǔn)電容器和內(nèi)/外試驗(yàn)電壓進(jìn)行測(cè)量。正接線可測(cè)量高壓介損。
☆ 抗震性能 儀器可承受長(zhǎng)途運(yùn)輸中強(qiáng)烈震動(dòng)顛簸而不會(huì)損壞。
☆ 抗力強(qiáng) 采用自動(dòng)跟蹤干擾抵償電路,將矢量運(yùn)算法與移相法結(jié)合,有效地消除強(qiáng)電場(chǎng)干擾對(duì)測(cè)量的影響,適用于500kV及其以下電站的現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)。
☆CVT測(cè)量 *自激法測(cè)量CVT功能,不需外加任何設(shè)備,可完成不可拆頭CVT的測(cè)量。一次接線(三根電纜,不用倒線),一個(gè)測(cè)量過程(大約1分鐘),兩個(gè)zui終測(cè)量結(jié)果(C1和C2的介損及電容值)。測(cè)量過程中文顯示,能實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)自激電流值和試驗(yàn)電壓(高壓)值。能消除引線對(duì)測(cè)試的影響,測(cè)量結(jié)果準(zhǔn)確可靠。
☆ 安全措施(1)高壓保護(hù):試品短路、擊穿或高壓電流波動(dòng),能迅速切斷高壓輸出。
(2)CVT保護(hù):設(shè)定自激電壓的過流點(diǎn),一旦超出設(shè)置的電流值,儀器自動(dòng)退出測(cè)量,不會(huì)損壞設(shè)備。
(3)接地檢測(cè):儀器有接地檢測(cè)功能,未接地時(shí)不能升壓測(cè)量。
(4)防誤操作:具備防誤操作設(shè)計(jì),能判別常見接線錯(cuò)誤,安全報(bào)警。
(5)防“容升":測(cè)量大容量試品時(shí)會(huì)出現(xiàn)電壓抬高的“容升"效應(yīng),儀器能自動(dòng)跟蹤輸出電壓,保持試驗(yàn)電壓恒定。
☆ VFD顯示 采用新穎的大屏幕VFD點(diǎn)陣顯示器,在嚴(yán)冬和盛夏都能清晰顯示。全中文操作菜單,操作提示各種警告信息,直觀明了,不需查閱說明書即可操作。
特點(diǎn):
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào) 源輸出口,所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。
◎ 測(cè)試裝置符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
電感器:
按測(cè)試頻率要求,需要配置不同量的電感器。
例如:在1MHz測(cè)試頻率時(shí),要配250μH電感器,在50MHz測(cè)試頻率時(shí),要配0.1μH電感器等。
高頻介質(zhì)樣品(選購件):
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。
該樣品由人工藍(lán)寶石,石英玻璃,氧化鋁陶瓷,聚四氟乙烯,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購,以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。
工作頻率范圍是10kHz~120MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成,平板電容器一般用來夾被測(cè)樣品,配用Q表作為指示儀器。
絕緣材料的損耗角正切值是通過被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計(jì)算得到。
同樣,由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化,通過公式計(jì)算得到介電常數(shù)。
裝置:
2.3.1 平板電容器極片尺寸::Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率:0~8mm, ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性: 0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍:±12.5mm(±4.2pF)
2.3.5 裝置插頭間距:25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4
主要技術(shù)指標(biāo):
2.1 tanδ和ε性能:
2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。
2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:
tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50
2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz):
tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%
工作頻率范圍:50kHz~50MHz 四位數(shù)顯,壓控振蕩器
Q值測(cè)量范圍:1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率
可調(diào)電容范圍:40~500 pF ΔC±3pF
電容測(cè)量誤差:±1%±1pF
Q表殘余電感值:約20nH
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