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昆山友碩新材料有限公司
產(chǎn)品型號4001500108
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)代理商
所 在 地蘇州市
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更新時間:2023-06-14 09:30:09瀏覽次數(shù):360次
聯(lián)系我時,請告知來自 環(huán)保在線材質(zhì) | 不銹鋼 | 功率 | 220 |
---|---|---|---|
加工定制 | 是 | 類型 | 真空 |
溫度范圍 | 200-350℃ | 重量 | 1000kg |
晶圓級芯片尺寸封裝 (WLCSP) 因其成本性能比和無襯底封裝而具吸引力,但卻受到芯片尺寸的限制。另一種替代方案,扇出型晶圓級封裝 (FOWLP) 技術(shù)正在研發(fā)和應(yīng)用,因為它允許通過“扇出"與外部襯墊互連來增加 I/O 密度。終使其具有更小的外形尺寸和更低的功耗。異構(gòu)集成的半導(dǎo)體封裝技術(shù),如系統(tǒng)級封裝 (SIP) 和堆疊封裝 (PoP) 基礎(chǔ)結(jié)構(gòu),由于日益復(fù)雜的集成而面臨著重大挑戰(zhàn)。
晶圓級芯片尺寸封裝 (WLCSP) 因其成本性能比和無襯底封裝而具吸引力,但卻受到芯片尺寸的限制。另一種替代方案,扇出型晶圓級封裝 (FOWLP) 技術(shù)正在研發(fā)和應(yīng)用,因為它允許通過“扇出”與外部襯墊互連來增加 I/O 密度。終使其具有更小的外形尺寸和更低的功耗。異構(gòu)集成的半導(dǎo)體封裝技術(shù),如系統(tǒng)級封裝 (SIP) 和堆疊封裝 (PoP) 基礎(chǔ)結(jié)構(gòu),由于日益復(fù)雜的集成而面臨著重大挑戰(zhàn)。
晶圓級封裝挑戰(zhàn)
對于許多此類技術(shù)來說,薄化器件的襯底處理是制造流程中的一個主要挑戰(zhàn)。硅晶片薄化至 <50 微米 (µm),或使用一個 RDL-first流程創(chuàng)建的重分布層 (RDL) 需非常小心且制造成本很昂貴。處理過程要求使用通過臨時鍵合和解鍵合 (TBDB) 技術(shù)處理支撐襯底,以方便構(gòu)建復(fù)雜的封裝基礎(chǔ)機構(gòu)。
芯片封裝氣泡問題
ELT科技研發(fā)的高溫真空壓力除泡烤箱,利用技術(shù)采用真空+壓力+高溫烘烤的方法將內(nèi)部氣體抽至表面. 之后再施以壓力及加熱烘烤,已達(dá)到去除氣泡的目的。效果一目了然。目前眾多臺資PCB廠都在使用ELT科技的除氣泡設(shè)備,我們?yōu)槟峁iT的定制解決方案,讓您提高產(chǎn)品良品率,降低消耗。
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