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武漢普賽斯儀表有限公司
武漢普賽斯儀表有限公司
產品型號PMST-3000V
品 牌其他品牌
廠商性質生產商
所 在 地武漢市
聯(lián)系方式：陶女士查看聯(lián)系方式
更新時間：2022-02-23 14:03:42瀏覽次數(shù)：236次
聯(lián)系我時，請告知來自 環(huán)保在線| 測量范圍 | 高達3000V/100mA | 測量精度 | 0.1% |
|---|---|---|---|
| 外形尺寸 | 19英寸1U機箱mm | 用途 | 0.1% |
| 重量 | 30kg | Z大輸出功率? | 300W，3000V/100mA（不同型號有差異）； |
| 輸出電壓建立時間? | 輸出接口 | KHV（三同軸），支持四線測量； |
功率半導體器件靜態(tài)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達3KV,電流可高達4KA
功率半導體器件靜態(tài)測試系統(tǒng)認準武漢生產廠家普賽斯儀表，普賽斯以自主研發(fā)為導向，深耕半導體測試領域，在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設備，廣泛應用于高校研究所、實驗室，新能源，光伏，風電，軌交，變頻器等場景。
那么IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測試需要哪些儀器呢？
E系列高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高（3000V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設備工作在D一象限，輸出及測量電壓0~3000V，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。
用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。
E300高電壓源測單元
HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（10uS）、支持兩路脈沖電壓測量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點。
設備可應用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合，使用該設備可以獨立完成“電流-導通電壓"掃描測試。
HCPL100型高電流脈沖電源
P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達10A，Z大輸出電壓達300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應用于各種電氣特性測試中。P系列源表適用于各行各業(yè)使用者，特別適合現(xiàn)代半導體、納米器件和材料、有機半導體、印刷電子技術以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。
P系列脈沖源表
功率半導體器件靜態(tài)測試系統(tǒng)簡介
功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，p*電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。
產品特點
高電壓：支持高達3KV高電壓測試；
大電流：支持高達4KA大電流測試；
高精度：支持uΩ級電阻、pA級電流、uV級精準測量；
豐富模板：內置豐富的測試模板，方便用戶快速配置測試參數(shù)；
配置導出：支持一鍵導出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能；
數(shù)據(jù)預覽及導出：支持圖形界面以及表格展示測試結果，亦可一鍵導出；
模塊化設計：內部采用模塊化結構設計，可自由配置，方便維護；
可拓展：支持拓展溫控功能，方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度；
可定制開發(fā)：可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā)；
技術指標
功率半導體器件靜態(tài)測試系統(tǒng)應用
功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN；
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