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噴射型AP等離子處理系統(tǒng)CRF-APO-DP1010-D

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  • 型號 CRF-APO-DP1010-D
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更新時間:2022-08-15 14:59:42瀏覽次數(shù):160

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)品特點:采用PFC全橋數(shù)字式等離子電源,輸出功率穩(wěn)定,抗力強,反應(yīng)迅速

詳細介紹

產(chǎn)品特點:
采用PFC全橋數(shù)字式等離子電源,輸出功率穩(wěn)定,抗力強,反應(yīng)迅速;
可選配多種類型等離子噴槍和噴嘴,使用于不同場合,滿足各種不同產(chǎn)品和處理環(huán)境;
設(shè)備尺寸小巧,方便攜帶和移動,節(jié)省客戶使用空間;
可ln-Line式安裝于客戶設(shè)備產(chǎn)線中,減少客戶投入成本;
使用壽命長,保養(yǎng)維修成本低,便于客戶成本控制;
 
應(yīng)用范圍:
等離子表面處理儀主要應(yīng)用于電子行業(yè)的手機殼印刷、涂覆、點膠等前處理,手機屏幕的表面處理;連接器表面清洗;通用行業(yè)的絲網(wǎng)印刷、轉(zhuǎn)移印刷前處理等。
 
等離子清洗設(shè)備普遍用于等離子清理、蝕刻、表層的鍍膜、等離子灰化對材料表層改性等。經(jīng)等離子處理后,能提升材料表層的濕潤性,使多種多樣材料都能開展涂覆、表層的鍍膜等實際操作,提高粘結(jié)力和鍵合能力,另外還可以除去有機化學(xué)污染物、油污和油脂。用等離子體對材料開展表層改性,接枝層會與表層分子結(jié)構(gòu)中間產(chǎn)生化學(xué)鍵,使其具備優(yōu)良的使用性能。

等離子清洗設(shè)備采用高精密的數(shù)控加工技術(shù),具備高精密的全自動清洗機械裝置,時間控制度高;等離子體的恰當清理不會對其表層造成損害,產(chǎn)品的工藝性能獲得確保;它是一種綠色環(huán)保的清洗加工工藝,不會造成環(huán)境污染,防止了人為失誤的危害,清理表層不會受到二次污染。

很多材料在必須開展粘接以前,需要用等離子清洗設(shè)備來更改其表面張力,提升粘接抗壓強度。等離子體與表層的有機化學(xué)空氣污染物產(chǎn)生化學(xué)變化,形成廢氣從機械管道排出來,進而做到清洗材料表層的目地。根據(jù)實驗說明,材料清理前后左右界面張力變化顯著,可對下一道粘合工藝流程具有輔助功效。材料在噴涂前開展表層改性處理,可提升材料噴涂的實際效果。一些化工材料,如PP或別的化工材料,自身是疏水或親水性的,但還可以一樣根據(jù)所述過程開展等離子清理,使其材料表層改性,使其吸水性或疏水性提升,有利于下一步的涂裝工藝。

等離子清洗機具備線上生產(chǎn)量,并可完成自動式清理。等離子體清洗不會受到幾何圖形樣子的限定,能夠?qū)π×慵?、塑膠板材、無防布、紡織產(chǎn)品、橡膠軟管、內(nèi)腔、pcb線路板等開展表面處理。零件不會產(chǎn)生機械形變,是一種高質(zhì)量加工工藝;且考慮凈化車間等嚴苛標準,方便使用靈活實際操作簡易,對各種形狀的零件處理成效顯著,加工工藝可控,低成本,效果非常的好,而且時間較短。生產(chǎn)加工過的產(chǎn)品外型不會遭受等離子體處理的高低溫影響,零件非常少遇熱。等離子清洗機具備運作花費低、加工工藝安全、實際操作安全性高等優(yōu)勢,也是一種處理后成效顯著的清洗生產(chǎn)流程。
未找到相應(yīng)參數(shù)組,請于后臺屬性模板中添加

 

名稱(Name)

噴射型AP等離子處理系統(tǒng)(Jet type plasma processing system)

等離子電源型號(Plasma power model)

CRF-APO-R&D-XXXHD

直噴式等離子噴槍型號(Direct jet type plasma spray gun modet)

直噴式:DXX(Option:2mm-6mm)

電源(Power supply)

220V/AC,50/60Hz

功率(Power)

600-1000W/25KHz(Option)

功率因素(Power factor)

0.98

處理高度(Processing height)

5-15mm

處理寬幅(Processing width)

直噴式:1-6mm(Option)

內(nèi)部控制模式(Internal control mode)

數(shù)字控制

外部控制模式(External control mode)

RS485/RS232、模擬通訊口、 啟停I/O

工作氣體(Gas)

Compressed Air (0.4mpa)/N2(0.2mpa)

電源重量(Power weight)

10kg

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