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DT640硅二極管低溫溫度傳感器詳解

時(shí)間:2022/8/5閱讀:72
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DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管,具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度(V-T)曲線,因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。

DT640-BC型裸片溫度計(jì),相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì),具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)★的優(yōu)勢(shì)。  

特點(diǎn):

激勵(lì)電流小,因而具有很小的自熱效應(yīng); 

符合標(biāo)準(zhǔn)曲線,具有良好的互換性;

多種封裝,不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝;

在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi),可提供較好的測(cè)量精度;

遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線;

多種可選封裝方式。

 
參數(shù)

溫度范圍:3K~500K

標(biāo)準(zhǔn)曲線:DT640

推薦激勵(lì)電流:10µA±0.1%;

可重復(fù)性:10mK@4.2K,16mK@77K,75mK@273K

反向電壓高達(dá)75V;

損壞前電流高達(dá):長時(shí)間200mA 或瞬間1A

推薦激勵(lì)下的功率耗散:20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K;

BC封裝響應(yīng)時(shí)間:10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K;

輻射影響:只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用;

磁場(chǎng)影響:不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。



 



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