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霍爾效應(yīng)實驗?zāi)康?/span>
霍爾效應(yīng)是電磁效應(yīng)的一種,霍爾系數(shù)和電導(dǎo)率的測量已成為研究半導(dǎo)體材料的主要方法之一?;魻栃?yīng)實驗是指為了解霍爾效應(yīng)測量磁場原理而進(jìn)行的實驗。
實驗的目的主要有:
1. 通過實驗掌握霍爾效應(yīng)基本原理,了解霍爾元件的基本結(jié)構(gòu);
2. 學(xué)會測量半導(dǎo)體材料的霍爾系數(shù)、電導(dǎo)率、遷移率等參數(shù)的實驗方法和技術(shù);
3. 學(xué)會用“對稱測量法"消除副效應(yīng)所產(chǎn)生的系統(tǒng)誤差的實驗方法。
4. 學(xué)習(xí)利用霍爾效應(yīng)測量磁感應(yīng)強度及磁場分布。
儀器與裝置:霍爾效應(yīng)實驗儀
霍爾效應(yīng)測試儀,是用于測量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù),而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的,因此是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必*的工具。該儀器為性能穩(wěn)定、功能強大、性價比高的霍爾效應(yīng)儀,在國內(nèi)高校、研究所及半導(dǎo)體業(yè)界擁有廣泛的用戶和知*度。儀器輕巧方便,易于攜帶。
可測試材料:
半導(dǎo)體材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料,低阻抗材料:石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料,高阻抗材料:半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等。
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