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深圳市泰德蘭電子有限公司
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ME4174是N通道邏輯增強型功率場效應晶體管,采用高密度DMOS溝道技術制造
ME4174是N通道邏輯增強型功率場效應晶體管,采用高密度DMOS溝道技術制造。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些設備特別適用于低電壓應用,如蜂窩電話和筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路,在非常小的外形表面貼裝封裝中,需要高側切換和低在線功耗。
The ME4174 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
● RDS(ON)≦6.2m?@VGS=10V
● RDS(ON)≦11m?@VGS=4.5V
● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
應用:
●筆記本中的電源管理
●便攜式設備
●電池供電系統(tǒng)
●DC/DC轉換器
●負荷開關
●差示掃描量熱儀
●液晶顯示逆變器
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