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深圳市泰德蘭電子有限公司
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產(chǎn)品型號ME2N7002E-G
品 牌
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聯(lián)系方式:楊澤銘查看聯(lián)系方式
更新時間:2022-03-24 11:14:39瀏覽次數(shù):139次
聯(lián)系我時,請告知來自 環(huán)保在線ME2N7002E-G(綠色)N溝道增強型場效應晶體管ME2N7002E-G一般說明:ME2N7002E-G是N溝道增強型場效應晶體管,采用高單元密度DMOS技術生產(chǎn)
ME2N7002E-G(綠色)N 溝道增強型場效應晶體管
ME2N7002E-G一般說明:
ME2N7002E-G 是 N 溝道增強型場效應晶體管,采用高單元密度 DMOS 技術生產(chǎn)。
這些產(chǎn)品旨在限度地減少通態(tài)電阻,同時提供堅固、可靠和快速的開關性能。它們可用于需要高達 300mA DC 的大多數(shù)應用,并可提供高達 1.2A 的脈沖電流。這些產(chǎn)品特別適用于低電壓、低電流應用,例如小型伺服電機控制、功率 MOSFET 柵極驅(qū)動器和其他開關應用。
ME2N7002E-G特征:
60V / 0.50A , RDS(ON)= 5.0?@VGS=10V
60V / 0.30A , RDS(ON)= 5.5?@VGS=4.5V
超高密度電池設計,適用于極低 RDS (ON)出色的導通電阻和值直流電流能力
ME2N7002E-G封裝:
采用SOT-23 封裝設計
ME2N7002E-G應用:
用于低 RDS(ON) 的高密度電池設計
壓控小信號開關
堅固可靠
高飽和電流能力。
焊接溫度和時間不得超過
260° 10 秒以上。
標簽:ME2N7002E-G,ME2N7002E-G規(guī)格書,ME2N7002E-G中文資料,ME2N7002E-G原理圖
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