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中國臺灣松木MOS管 ME2333-G數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書ME2333-G中文資料pdf

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產(chǎn)品型號ME2333-G

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更新時間：2022-03-24 11:17:56瀏覽次數(shù)：146次

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深圳市泰德蘭電子有限公司

經(jīng)營模式：代理商

商鋪產(chǎn)品：525條

所在地區(qū)：廣東深圳市

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產(chǎn)品簡介

TheME2333istheP-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

詳細(xì)介紹

The ME2333 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology.

This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.

These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switchingａnd low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

ME2333是P通道邏輯增強型功率場效應(yīng)晶體管，采用高密度DMOS溝道技術(shù)制造。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些設(shè)備特別適用于低電壓應(yīng)用，如蜂窩電話和筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在非常小的外形表面安裝包中，需要高側(cè)切換和低在線功耗。

應(yīng)用：

●筆記本中的電源管理

●便攜式設(shè)備

●電池供電系統(tǒng)

●DC/DC轉(zhuǎn)換器

●負(fù)荷開關(guān)

●差示掃描量熱儀

●液晶顯示逆變器

●RDS（開）≤35mΩ@VGS=-4.5V

●RDS（開）≤49mΩ@VGS=-2.5V

●RDS（開）≤69mΩ@VGS=-1.8V

●超高密度電池設(shè)計，適用于極低RDS（開）