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深圳市泰德蘭電子有限公司
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產(chǎn)品型號ME2328-G
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更新時(shí)間:2022-03-24 11:21:04瀏覽次數(shù):190次
聯(lián)系我時(shí),請告知來自 環(huán)保在線ME2328/ME2328-G,N-通道105-V(D-S)MOSFETME2328-G一般說明:ME2328是N溝道邏輯增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管,采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)
ME2328/ME2328-G,N - 通道 105-V (D-S) MOSFET
ME2328-G一般說明:
ME2328 是 N 溝道邏輯增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管,采用高單元密度、DMOS 溝槽技術(shù)生產(chǎn)。 這種高密度工藝特別適用于限度地減少導(dǎo)通電阻。
ME2328-G特征:
RDS(ON)≦270mΩ@VGS=10V
RDS(ON)≦340mΩ@VGS=4.5V
超高密度電池設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)極低的 RDS(ON)
出色的導(dǎo)通電阻和直流電流能力
ME2328-G應(yīng)用:
筆記本中的電源管理
DC/DC 轉(zhuǎn)換器
負(fù)載開關(guān)
LCD顯示逆變器
ME2328/ME2328-G,N - Channel 105-V (D-S) MOSFET
GENERAL DESCRIPTION
The ME2328 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.
FEATURES
RDS(ON)≦270m?@VGS=10V
RDS(ON)≦340m?@VGS=4.5V
Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
Exceptional on-resistance and maximum DC current
capability
APPLICATIONS
Power Management in Note book
DC/DC Converter
Load Switch
LCD Display inverter
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