當前位置：深圳市泰德蘭電子有限公司>>SOT-223>>中國臺灣松木MOS管 ME2612數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書ME2612中文資料pdf

中國臺灣松木MOS管 ME2612數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書ME2612中文資料pdf

返回列表頁

參考價

面議

具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號ME2612

品牌

廠商性質(zhì)代理商

所在地

在線詢價收藏產(chǎn)品查看聯(lián)系電話

聯(lián)系方式：楊澤銘查看聯(lián)系方式

更新時間：2022-03-25 09:56:26瀏覽次數(shù)：129次

聯(lián)系我時，請告知來自環(huán)保在線

產(chǎn)品分類 品牌分類

  SOT-223

全部產(chǎn)品列表

暫無信息

深圳市泰德蘭電子有限公司

經(jīng)營模式：代理商

商鋪產(chǎn)品：525條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：楊澤銘（銷售經(jīng)理）

詢價 給他留言

產(chǎn)品簡介

TheME2612istheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

詳細介紹

The ME2612 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

應用：

●DC/DC轉(zhuǎn)換器

●負荷開關(guān)

● RDS(ON)≦375mΩ@VGS=10V

● RDS(ON)≦390mΩ@VGS=4.5V

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

關(guān)鍵詞：負荷開關(guān)